近日，南京百識電子科技有限公司（以下簡稱“百識電子”）完成A+輪融資，多家知名機構參投。

百識電子成立于2019年，由多名擁有數十年第三代半導體外延經驗的資深專家聯合創辦，核心團隊具備外延工藝開發、良率保障、設備改良等全棧能力。公司首條產線位于南京市浦口區，于2021年投產，當前年產能達5萬片，客戶多為全球巨頭及國內龍頭。公司計劃近期在長三角落地二期產線，產能規劃28萬片/年，打造全國最領先的車規級三代半外延片制造工廠。目前南京廠量產順利，二期產線也在積極落地中。

盡管碳化硅擴產如火如荼，但國內碳化硅晶圓有效產能不足100萬片，尚存產能缺口。隨著主機廠加快高壓快充平臺上車，國內襯底、設備等產業鏈上端工藝自主性更趨成熟，第三代半導體產業已進入規模化拐點。

百識電子憑借團隊雄厚量產經驗及高質量制造能力，提供六英寸及八英寸外延片, 以滿足新時代功率器件市場需求。除標準規格外延片，百識電子可針對特殊應用市場需求，提供客制化規格外延服務及器件開發所需的關鍵制程。

碳化硅外延層的厚度、濃度與表面缺陷的數量會影響器件電氣特性，導致碳化硅器件良率有所損失。目前一般外延技術只能控制表面尺寸較大 (如三角缺陷、胡蘿卜缺陷，直線缺陷與彗星缺陷等)的致命(killer)缺陷，密度大約1/cm2，表面微坑洞(micro-pits)的數量高達每片5,000顆以上。百識以獨有的外延技術可將表面缺陷數量有效控制在密度小于0.4/cm2以下，表面微坑洞(micro-pits)< 1,000個/wafer，同時具備有較低的致命缺陷與表面微坑洞的優勢。2023年百識外延工藝和技術水平持續精進，3,300V碳化硅外延片實現高良率高質量生產，產品厚度均勻性1.18%，濃度均勻性1.32%，并穩定出貨全球軌交頭部客戶。超高耐壓（6,500V及以上）外延技術持續突破，缺陷控制已達國際先進水平。

來源：百識電子官微

原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：百識電子完成A+輪融資，加速耐高壓、大尺寸碳化硅外延布局