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晶圓是指擁有集成電路的硅晶片,形狀是圓的,故稱為晶圓。晶圓在電子數碼領域的運用是非常廣泛的,例如內存條、SSDCPU、顯卡、手機內存、手機指紋芯片等等。可以說幾乎對于所有的電子數碼產品,晶圓都是不可或缺的。所以近年來全球晶圓的緊缺不僅僅是只導致了內存條和SSD的漲價,甚至整個電子數碼產品領域都受到了非常嚴重的波及。晶圓的重要性不言而喻。

簡述晶圓制造流程工藝

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如此緊要的晶圓,我們大多數卻對它必將陌生。先來說說晶圓的主要原料。

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晶圓需要什么,需要硅!硅是地球上第二豐富的元素。而沙子、石頭里都含有硅;滿地都是硅,那為什么晶圓還缺呢?當然,這僅僅能說沙子可以造晶圓、造CPU、芯片。如果真用沙子來做晶圓,提煉過程是及其復雜繁瑣。硅礦石的硅含量相對較高,因而晶圓一般的是以硅礦石為原料的。

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下面一起來看看晶圓制造的簡介工藝。

一、脫氧提純

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沙子/石英:硅是地殼內第二豐富的元素,而脫氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25%的Si02二氧化硅。氧化硅經由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并蒸餾后,得到純度高達99%以上的晶體硅。,以二氧化硅的形式存在,這也是半導體制造產業的基礎。硅的純化主要有兩種方法。

硅的純化I——通過化學反應將冶金級硅提純以生成三氯硅烷。

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硅的純化II——利用西門子方法,通過三氯硅烷和氫氣反應來生產電子級硅。

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二、制造晶棒

晶體硅經過高溫成型,采用旋轉拉伸的方法做成圓形的晶棒。一般選用直拉法成型。

直拉法即CZ法(切克勞斯基Czchralski):把熔化了的半導體級硅液體變為有正確晶向并且被摻雜成N型或P型的固體單晶硅錠。

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直拉法生產過程 圖源自網絡

三、晶片切割

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晶片切割:將晶棒橫向切割成圓形的單個硅片,也就是我們常說的晶圓(Wafer),這也是晶圓都是圓形的原因。

四、晶圓拋光

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切割出的晶圓經過拋光后變得幾乎完美無瑕,表面甚至可以當鏡子。

五、晶圓鍍膜

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通過thermal方式,使晶圓上產生一層Si外延層。

六、涂覆光刻膠

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光刻膠(PhotoResiet):圖中藍色部分就是在晶圓旋轉過程中澆上去的光刻膠液體,類似制作傳統膠片的那種。晶圓旋轉可以讓光刻膠鋪的非常薄且平。
 
七、光刻

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光刻膠層隨后透過掩模(Mask)被曝光在紫外線(UV)之下,變得可溶,期間發生的化學反應類似按下機械相機快門那一刻膠片的變化,掩模版上印著預先設計好的電路圖案,紫外線透過它照在光刻膠層上,就會形成微處理器的每一層電路圖案。一般來說,在晶圓上得到的電路圖案是掩模上圖案的四分之一。
 
隨著極紫外(EUV)光刻新技術出現,晶圓的光刻變得更精確,也更有效率了,甚至可以一次完成全部光刻了。

八、溶解和蝕刻
 
溶解光刻膠:光刻過程中曝光在紫外線下的光刻膠被溶解掉,清除后留下的圖案和掩模(MASK)的一致。

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蝕刻:使用化學物質溶解掉暴露出來的晶圓部分,而剩下的光刻膠保護著不應該蝕刻的部分。

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清除光刻膠:蝕刻完成后,光刻膠的使命宣告完成,全部清除后就可以看到設計好的電路圖案。

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再次澆上光刻膠:

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然后光刻,并洗掉曝光的部分,剩下的光刻膠還是用來保護不會離子注入的那部分材料。

九、離子注入

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在真空系統中,用經過加速的、要摻雜的原子的離子照射(注入)固體材料,從而在被注入的區域形成特殊的注入層,并改變這些區 域的硅的導電性。經過電場加速后,注入的離子流的速度可以超過30萬千米每小時。子注入完成后,光刻膠也被清除,而注入區域(綠色部分)也已摻雜,注入了不同的原子。注意這時候的綠色和之前已經有所不同。

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十、晶體管完成

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至此,晶體管已經基本完成。在絕緣材(品紅色)上蝕刻出三個孔洞,并填充銅,以便和其它晶體管互連。

十一、電鍍

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在晶圓上電鍍一層硫酸銅,將銅離子沉淀到晶體管上。銅離子會從正極(陽極)走向負極(陰極)。電鍍完成后,銅離子沉積在晶圓表面,形成一個薄薄的銅層。

 十二、拋光
 

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機械研磨、化學作用使表面平坦,移除晶圓表面的缺陷
 
十三、測試

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主要分三類:功能測試、性能測試、抗老化測試。具體有如:接觸測試、功耗測試、輸入漏電測試、輸出電平測試、動態參數測試、模擬信號參數測試等等。

十四、包裝入盒

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硅片裝在片架上,放入充滿氮氣的密封小盒內以免在運輸過程中被氧化或沾污

十五、發往封測

將包裝好的硅片發往封測,就成了我們電子數碼產品上的芯片。

晶圓的制造在半導體領域,科技含量相當的高,技術工藝要求非常高。而我國半導體事業起步較晚,在晶圓的制造上還處于建設發展階段。現在我國主要做的是晶圓的封測。我國的晶圓封測規模和市場都是全球首屈一指的,約占全球約1/4。雖然近年我國大力支持半導體行業,支持晶圓制造,也取得了一些成績。但是任重道遠。目前晶圓制造,核心技術,依然牢牢的把握在外國晶圓廠家的手里。我國對外國晶圓的依賴性還非常之大。

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簡述晶圓制造流程工藝

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作者 ab

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