日本協和化學工業公司開發了可應用于電子材料用途的中空二氧化硅，具有幾微米的均勻粒徑和低介電性能，據說具有這種性能的空心二氧化硅是世界上唯一的，可望適用于日趨普及化的5G通訊系統或與6G相關的電子材料用途。

目前樹脂業者積極推動低介電化材料研究，但是僅使用樹脂有其極限，因此欲透過活用空氣本身低介電特性的中空形狀的填料，以改善相關問題。由于積層基板的多層化需求，一層厚度薄化至25～100 μm，因此為了配合需求，填料大小也被要求在0.5～5 μm。然而大多數的中空二氧化硅，其粒徑為數百納米，大多是低介電效果較小的尺寸，或是超過10 μm而不適用的大型尺寸，缺乏合適的大小。

協和化學工業的中空二氧化硅應用了無機粒子合成技術，系于進行菱水鎂鋁石(Hydrotalcite)的研發過程中開發而成，為非晶硅組成結構，呈現橢圓狀，粒徑均一，約為1～1.9 μm，中空率則可控制在50～60%。

中空二氧化硅的內部為空洞狀，有助于輕量化、賦予斷熱性等，因此在涂料用添加劑、樹脂制品的填料等用途已趨于普及。而協和化學工業的中空二氧化硅的介電常數約為1.6～1.7，介電損耗為0.001，可望取代5G用電子基板的覆銅板所使用的熔融二氧化硅填料。

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來源:日本經濟新聞、材料世界網