陶瓷電容器可分為單層陶瓷電容器（SLCC）和多層瓷介電容器（MLCC），其中 MLCC 的市場規(guī)模占整個陶瓷電容器的 90%以上。
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MLCC
Multi-layer Ceramic Capacitors，多層瓷介電容器，業(yè)界常指片式多層瓷介電容器，片式多層陶瓷電容器，標準上稱多層片式瓷介電容器。是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯位的方式疊合起來，經(jīng)過一次性高溫燒結(jié)形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），形成一個類似獨石的結(jié)構(gòu)體，也被稱為獨石電容器。MLCC 一般用于噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路等，在大規(guī)模集成電路方面應(yīng)用廣泛。以不同介質(zhì)材料對MLCC進行區(qū)分， MLCC 按材料分為 C0G(NP0)、X5R、X7R、Z5U、Y5V 等。
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COG
代表溫度系數(shù)為在-55℃至+125℃，其容量變化率為±30ppm；C0G電容器具有高溫度補償特性，適合作旁路電容和耦合電容
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X5R
代表溫度系數(shù)為在-55℃至+85℃，其容量變化率為 ±15%；X5R電容器是溫度穩(wěn)定型陶瓷電容器，適合要求不高的工業(yè)應(yīng)用
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X7R
代表溫度系數(shù)為在-55℃至+125℃，其容量變化率為±15%；X7R電容器是溫度穩(wěn)定型陶瓷電容器，適合要求不高的工業(yè)應(yīng)用
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Y5V
代表溫度系數(shù)為在 -30℃至+85℃，其容量變化率為-80%/+20%；Y5V電容器溫度特性最差，但容量大，可取代低容鋁電解電容
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電容器
由兩片接近并相互絕緣的導(dǎo)體制成的電極組成的儲存電荷和電能的元件
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芯片
多層片式瓷介電容器，作為原材料用于生產(chǎn)有可靠性特殊要求的多層片式瓷介電容器、有引線多層瓷介電容器、金屬支架多層瓷介電容器時被稱為芯片
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陶瓷介質(zhì)膜片
利用流延成形技術(shù)或其他技術(shù)制備的坯片，經(jīng)干燥燒結(jié)后的陶瓷介質(zhì)層，是MLCC的組成部分
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MLCC 配方粉、配方粉、瓷粉
在鈦酸鋇粉體中添加改性添加劑后形成的電子陶瓷粉體材料，可直接用作 MLCC 中的電介質(zhì)
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I類介電瓷粉
專門設(shè)計并用在低損耗、電容量穩(wěn)定性高或要求溫度系數(shù)有明確規(guī)定的諧振電路中的一種電容器用介質(zhì)材料。例如COG
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II類介電瓷粉
適用于做旁路、耦合或用在對損耗和電容量穩(wěn)定性不高的電路中的具有高介電常數(shù)的一種電容器用介質(zhì)材料，例如X5R、X7R、Z5U、Y5V等。
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鈦酸鋇粉（BaTiO3）、基礎(chǔ)粉、BT 粉
鈦酸鋇粉是一種強介電材料，是電子陶瓷元器件行業(yè)的重要基礎(chǔ)原料，被譽為"電子陶瓷工業(yè)的支柱"。高純度、納米級鈦酸鋇粉體主要用于介質(zhì)陶瓷、敏感陶瓷的制造，如 MLCC、PTC 熱敏電阻器件等。
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添加劑、改性添加劑
高純度、納米級鈦酸鋇粉體在常溫下介質(zhì)損耗較大，不宜直接用于制造陶瓷電容器，還需要摻入其他材料來對鈦酸鋇粉體進行改性，這些添加的材料被稱為添加劑或改性添加劑
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內(nèi)電極
通過交替分布又互不相連的方式與相鄰的電介質(zhì)層組成基本單元電容的電極層，是MLCC的組成部分
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外部電極
外電極、端電極，將多個基本單元電容的內(nèi)電極鏈接，形成串聯(lián)或并聯(lián)方式，實現(xiàn)器件功能的點擊，是MLCC的組成部分
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電極漿料
電極漿料又稱導(dǎo)電漿料，是金屬粉、玻璃粉和合成樹脂的混合物，用于制作MLCC的內(nèi)電極和外電極
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PME
Precious Metal Electrode，MLCC 的內(nèi)電極金屬為貴金屬（純鈀或純銀或鈀銀合金）
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BME
Base Metal Electrode，MLCC 的內(nèi)電極金屬為賤金屬（鎳或銅）
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賤金屬
業(yè)界主要指鎳或銅
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SMT
表面組裝技術(shù)（Surface Mounted Technology的縮寫），是目前電子組裝行業(yè)里最流行的一種技術(shù)和工藝
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電容量
表征電容器容納電荷本領(lǐng)的物理量。極板的距離、極板的面積和介質(zhì)材料的介電常數(shù)是影響電容器容量大小的重要因素。
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F、μF、pF
法拉、微法、皮法，電容器電容量單位，1F=1,000,000μF，1μF=1,000,000pF
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電介質(zhì)
電介質(zhì)是能夠產(chǎn)生極化現(xiàn)象的物質(zhì)，主要包括陶瓷、云母、玻璃、塑料和各種金屬氧化物等。電介質(zhì)的電阻率很高，一般超過 10 歐/厘米。
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ESR
Equivalent Series Resistance，即等效串聯(lián)電阻。理論上，一個完美的電容自身不會產(chǎn)生任何能 量損失，但實際上由于制造電容的材料有電阻，電容的絕緣介質(zhì)有損耗，各種因素導(dǎo)致電容變得不"完美"。這個損耗在外部表現(xiàn)為就像一個電阻跟電容串聯(lián)在一起，因此被稱為"等效串聯(lián)電阻"。ESR 越小，損耗越小，輸出電流越高，電容的品質(zhì)也越高。
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ESL
Equivalent Series Inductance，即等效串聯(lián)電感。電容器內(nèi)的有效感抗，等效干理想電容器的串聯(lián)電感值。理論上一個完美的電容器，自身不會產(chǎn)生任何能量損失，但是實際上，因為電容器有電感，電容器的絕緣介質(zhì)有損耗，各種原因?qū)е码娙萜髯兊貌?完美"。這個損耗在外部，表現(xiàn)為就像一個電感跟電容器串聯(lián)在一起，所以稱為"等效串聯(lián)電感"。
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晶相
陶瓷顯微結(jié)構(gòu)中由晶體構(gòu)成的部分。在陶瓷顯微結(jié)構(gòu)中可以是由一種晶體(單相)或不同類型的晶體(多相)組成。其中含量多者稱為主晶相，含量少的稱次級晶相或第二晶相。
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體積電阻率
介電材料每單位立方體積的電阻，體積電阻率越高，材料用作電絕緣部件的效能就越高。
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介電常數(shù)
又稱電容率或相對電容率，用于衡量絕緣體儲存電能的相對能力。指兩塊金屬板之間以絕緣材料為介質(zhì)時的電容量與同樣的兩塊板之間真空時的電容量之比，常用ε 表示。電容器中所用電介質(zhì)材料的介電常數(shù)越大，電容器的電容量越大。
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介質(zhì)損耗
電介質(zhì)中在交變電場作用下轉(zhuǎn)換成熱能的那部分能量，這些熱量會使電介質(zhì)升溫并可能引起熱擊穿。因此介質(zhì)損耗越小，電介質(zhì)的性能越好。
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Q值
品質(zhì)因數(shù)。容器或電感器在某一頻率的交流電壓下工作時，所呈現(xiàn)的感抗與其等效損耗電阻之比，表示一個儲能器件（如電感線圈、電容等）、諧振電路所儲能量同每個周期損耗能量之比的一種質(zhì)量指標。元件的 Q 值越高，損耗越小、效率和穩(wěn)定度越高，因此可更加準確 地發(fā)揮作用電
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耐電壓
表征電容器耐電壓能力
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極化
電介質(zhì)陶瓷中的分子正負電荷彼此強烈地束縛，在弱電場的作用下，雖然正電荷沿電場方向移動，負電荷逆電場方向移動，但它們并不能掙脫彼此的束縛而形成電流，具有絕緣性。由于電介質(zhì)陶瓷中電荷的移動，造成了正負電荷中心不重合，在電介質(zhì)陶瓷內(nèi)部形成偶極距，產(chǎn)生了極化。
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分層
多層陶瓷電容器內(nèi)部介質(zhì)層之間出現(xiàn)裂縫的一種現(xiàn)象
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0805
多層陶瓷電容器的外形尺寸代碼，"08"表示長度，"05"表示寬度，單位1/10英寸。實際的尺寸為2.0mm×1.25mm
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