2024年11月28日,專門從事散熱材料的初創(chuàng)公司U-MAP株式會社與岡本硝子株式會社宣布建立AlN(氮化鋁)陶瓷基板的量產(chǎn)體系,并達(dá)成資本和業(yè)務(wù)合作協(xié)議。由此,目前已經(jīng)建立了每月生產(chǎn)3萬片4.5英寸AlN基板的生產(chǎn)體系,并開始銷售產(chǎn)品。
U-MAP和岡本硝子兩家公司一直在使用 U-MAP 的專有技術(shù)“纖維狀氮化鋁單晶(Thermalnite)”開發(fā)下一代電子產(chǎn)品所需的 AlN 基板。通過結(jié)合岡本硝子的先進(jìn)陶瓷制造技術(shù)和U-MAP的創(chuàng)新散熱材料技術(shù),成功量產(chǎn)了具有與金屬鋁相同高導(dǎo)熱率的電絕緣AlN基板。這將有助于解決LED和LD(激光二極管)等光學(xué)領(lǐng)域以及電力電子領(lǐng)域中的熱問題。
此外,隨著生成AI的普及,數(shù)據(jù)處理量不斷增加,使得數(shù)據(jù)中心內(nèi)部高速通信環(huán)境中的熱管理變得愈發(fā)重要。這種AlN基板具備優(yōu)良的熱導(dǎo)性和電絕緣性,非常適合作為數(shù)據(jù)中心內(nèi)光通信LD的熱管理解決方案。未來,兩家公司計劃擴(kuò)展產(chǎn)品線,加強(qiáng)針對數(shù)據(jù)中心市場的產(chǎn)品供應(yīng)體系。
目前,兩家公司的目標(biāo)是量產(chǎn)下一代高強(qiáng)度 AlN 基板,其機(jī)械強(qiáng)度幾乎是傳統(tǒng) AlN 基板的兩倍。該新產(chǎn)品計將有助于解決基于SiC/GaN的下一代功率器件的熱問題,該器件在5G/6G通信模塊和可再生能源領(lǐng)域備受關(guān)注。目前4.5英寸尺寸樣品已向國內(nèi)外電子企業(yè)提供,基于此次建立的量產(chǎn)和質(zhì)量保證體系,兩家公司計劃將下一代高強(qiáng)度AlN基板全面推向市場。

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