矽瓷科技兩款LTCC新材料

實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

    矽瓷科技經(jīng)過(guò)一年多的研發(fā)，在解決了材料組成設(shè)計(jì)與優(yōu)化、材料耐水性、耐酸堿性、燒結(jié)致密性、共燒銀擴(kuò)散、工藝放大等一些列技術(shù)和生產(chǎn)問(wèn)題后，實(shí)現(xiàn)了具有超低介電常數(shù)的L4D4和高熱膨脹系數(shù)、低損耗的L7AT兩個(gè)LTCC新材料的量產(chǎn)。

兩款LTCC新材料的主要性能指標(biāo)

    低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù)是實(shí)現(xiàn)無(wú)源集成的關(guān)鍵技術(shù)之一，在無(wú)線通信、航天航空、雷達(dá)、汽車電子、半導(dǎo)體、醫(yī)療等領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。在通信領(lǐng)域，信號(hào)高頻高速傳輸材料要有更低的介電常數(shù)和損耗，以減少高頻信號(hào)傳輸過(guò)程中的延時(shí)、衰減和失真。隨著AI、高性能計(jì)算（HPC）等的快速發(fā)展，集成電路封裝尺寸越來(lái)越大、熱可靠性要求越來(lái)越高，封裝基板與芯片之間（一級(jí)封裝）、封裝基板與PCB電路板之間（二級(jí)封裝）的熱膨脹的匹配性要求越來(lái)越高；另一方面，熱膨脹匹配的封裝基板也可以在保障可靠性的情況下提高凸點(diǎn)密度，從而提高集成電路和系統(tǒng)的性能。

    矽瓷科技L4D4材料介電常數(shù)低至4.4±0.1（@8~45 GHz），且在高達(dá)45 GHz頻率下仍可保持較低的介電損耗，可滿足高頻高速信號(hào)傳輸?shù)男枰?，用于微波毫米波電路基板、射頻前端及射頻模組等，其低熱膨脹系數(shù)也使該材料有用于集成電路一級(jí)封裝基板的潛力。圖1是L4D4材料在不同頻率下的介電性能表現(xiàn)。

    矽瓷科技L7AT材料最主要的特色是具有高的熱膨脹系數(shù)，同時(shí)兼具優(yōu)異的介電性能和高的強(qiáng)度，其CTE（熱膨脹系數(shù)）高達(dá)12.5 ppm/℃(-50-400℃)，熱膨脹系數(shù)在測(cè)試區(qū)間呈現(xiàn)很好的線性度，是集成電路二級(jí)封裝基板的良好選擇。另一方面，L7AT材料還具有優(yōu)異的微波介電性能，介電損耗低至0.0005(@10GHz)，在45 GHz下介電損耗仍低于0.001，可廣泛應(yīng)用于濾波器、天線、射頻模組、射頻電路基板等，特別是在需與PCB電路板集成的大尺寸射頻前端或模組等的應(yīng)用更具優(yōu)勢(shì)。圖2為L(zhǎng)7AT材料在測(cè)試區(qū)間的熱膨脹系數(shù)。

    另一方面，LTCC元器件和多層基板通常要通過(guò)鍍錫或鍍鎳鈀金來(lái)提高可焊性及可靠性。L4D4和L7AT均具有良好的耐酸堿腐蝕性能，能確保材料在化學(xué)鍍/電鍍的鍍液環(huán)境，以及其它酸堿惡劣環(huán)境中不會(huì)因腐蝕而失效。

    浙江矽瓷科技有限公司秉承著“人才為本、自主創(chuàng)新，誠(chéng)信立業(yè)”的經(jīng)營(yíng)理念，致力于先進(jìn)介質(zhì)陶瓷材料研究開(kāi)發(fā)、規(guī)?；a(chǎn)及應(yīng)用技術(shù)服務(wù)。目前公司為客戶提供低溫共燒陶瓷（LTCC）粉體、LTCC生瓷帶、配套金屬漿料以及應(yīng)用解決方案。我們將通過(guò)不斷地技術(shù)創(chuàng)新，力爭(zhēng)為客戶創(chuàng)造更高價(jià)值。