碳化硅（SiC）具有良好的耐高溫、抗氧化、耐腐蝕、耐輻照性能，且高溫力學和導熱性能優異，在航空航天、核能等領域具有良好的應用前景，被認為是未來先進核能系統中核燃料包殼管以及航空發動機渦輪葉片等部件的候選材料之一。然而，碳化硅具有強共價鍵結構，熔點高、表面自擴散系數低，一次成型制備大尺寸復雜形狀的碳化硅陶瓷及其復合材料構件面臨巨大挑戰。比如碳化硅纖維增強碳化硅復合材料核燃料包殼管與端塞的核級連接密封技術已成為抑制其應用的關鍵技術難題之一。因此，亟須開發可靠的連接技術，進一步推動碳化硅陶瓷及其復合材料的應用。

中國科學院寧波材料技術與工程研究所浙江省全省數據驅動高安全能源材料及應用重點實驗室長期致力于碳化硅陶瓷及其復合材料連接技術的研究。在前期工作中，實驗室提出以RE₃Si₂C₂作為連接層，利用其在高溫下轉變為液相而促進界面析出碳化硅與基體碳化硅燒結一體化的機制，實現了碳化硅陶瓷以及碳纖維增強碳化硅復合材料的無縫連接。

碳化硅陶瓷及其復合材料無縫連接的實現，有效解決了傳統異質連接層與基體碳化硅之間的熱失配及輻照腫脹失配的關鍵科學問題。然而，該技術通常需要施加50?MPa壓力，連接過程需要在大型燒結設備中完成，工藝周期長，在一定程度上限制了其工業化應用。

近期，實驗室提出了一種超快速無壓連接SiC陶瓷的新方法。該方法基于焦耳定律，采用Al箔為初始連接層，利用Al與SiC界面反應生成Al-C和Al-Si-C等高阻態界面相，從而大大提高界面接觸電阻，并在界面局部產生瞬態焦耳熱，在23秒內實現了SiC陶瓷的無壓連接，剪切強度可達76?±?12?MPa。所提出的基于界面反應焦耳熱效應超快速無壓連接方法，為大尺寸復雜形狀碳化硅陶瓷及其復合材料的制造和非導電陶瓷及其復合材料的快速無壓連接提供了新策略。