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日本昭和電工23日宣布,將通過在日本和海外公開募股籌集約1100億日元資金,所得款項(xiàng)將用于資本投資,以增加半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)能力。


其中,約700億日元將用于擴(kuò)增SiC晶圓等半導(dǎo)體材料產(chǎn)能。

昭和電工增資1100億日元用于半導(dǎo)體材料增產(chǎn)
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昭和電工表示,藉由公募增資、第三者配額增資,以及視需求動(dòng)向?qū)?shí)施超額配售,預(yù)估最高將發(fā)行3,519萬股新股、約相當(dāng)于現(xiàn)行已發(fā)行股數(shù)的2成比重,最高將籌得1093億日元資金,其中約700億日元將用于增產(chǎn)半導(dǎo)體材料。

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公告顯示,昭和電工將投資248億日元在日本和海外增加用于印刷電路板的“覆銅板”和“感光膜”的生產(chǎn)能力。

232億日元用于提高全球占有率第一的半導(dǎo)體前端制程用磨料的質(zhì)量和產(chǎn)能,項(xiàng)目預(yù)估2023年12月完工;

110億日元用于客戶的半導(dǎo)體相關(guān)制造商可以結(jié)合尖端材料制作原型的基地,并增強(qiáng)他們的設(shè)施;

58億日元用于增加碳化硅(SiC)晶片和鋰離子電池組件的生產(chǎn),增產(chǎn)工程預(yù)計(jì)于2023年12月完工;

其他部分,100億日元投給定位為增長業(yè)務(wù)的汽車,用于增加樹脂部件的生產(chǎn)能力;82億日元用于再生醫(yī)學(xué)相關(guān)產(chǎn)品;資本投資剩余的約200億日元將用于償還債務(wù)。

據(jù)稱,昭和電工目標(biāo)是到2013年12月結(jié)束的財(cái)政年度,銷售額從2008年12月起增加60%,達(dá)到1.6萬億日元,EBITDA(利息、稅款和攤銷前利潤)增加6.4倍,達(dá)到3200億日元。

今年5月,昭和電工與英飛凌簽訂了一份包括外延在內(nèi)的多種SiC材料的供應(yīng)合同。英飛凌因此獲得了更多的基礎(chǔ)材料,以滿足對SiC基產(chǎn)品不斷增長的需求。據(jù)悉,英飛凌與昭和電工株式會社之間的合同為期兩年。

昭和電工預(yù)計(jì)該合同將使英飛凌能夠?qū)⒄押碗姽さ?SiC材料應(yīng)用于各種功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,并且兩家公司將通過匯集兩家公司的技術(shù)來加速改善產(chǎn)品質(zhì)量。


文稿來源:化合物半導(dǎo)體市場整理


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作者 ab

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