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三星電子(Samsung Electronics Co.)周四(10月7日)表示,將在2025年前實(shí)現(xiàn)2納米晶體管工藝技術(shù)的商業(yè)化,以在芯片加工領(lǐng)域與規(guī)模更大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電(TSMC)展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。

三星電子:2025年量產(chǎn)2納米芯片,明年上半生產(chǎn)3納米芯片


三星預(yù)計(jì)2025量產(chǎn)2納米芯片

據(jù)媒體報(bào)道,三星在近日舉辦的晶圓代工論壇上表示,2025年將開(kāi)始量產(chǎn)2納米芯片,明年上半開(kāi)始生產(chǎn)客戶(hù)設(shè)計(jì)的3納米芯片,第二代的3納米芯片則預(yù)期在2023年生產(chǎn)。


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三星表示,公司的GAA電晶體結(jié)構(gòu)先進(jìn)制程技術(shù)已經(jīng)發(fā)展完備,明年可為客戶(hù)量產(chǎn)3納米芯片,2025年量產(chǎn)2納米芯片。GAA制程生產(chǎn)的3納米芯片與5納米相較,性能增強(qiáng)30%,功耗減少50%。

三星同時(shí)也在持續(xù)改善鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù),該公司表示,其17納米FinFET制程芯片,與28納米比較,性能增強(qiáng)39%,功率效率增強(qiáng)49%,面積減少43%。

勢(shì)要趕超臺(tái)積電

三星計(jì)劃量產(chǎn)第一代3納米芯片的時(shí)間大約與臺(tái)積電計(jì)劃大批量生產(chǎn)這些芯片的時(shí)間相同。臺(tái)積電總裁魏哲家今年6月時(shí)表示,3納米工藝將于2022年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。

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若三星先于臺(tái)積電引入更先進(jìn)的工藝技術(shù),無(wú)疑將吸引谷歌、高通和蘋(píng)果等主要全球客戶(hù)。市場(chǎng)研究公司Counterpoint research的數(shù)據(jù)顯示,從營(yíng)收來(lái)看,作為全球第二大代工廠商,三星第二季度占據(jù)芯片全球代工市場(chǎng)14%的份額,遠(yuǎn)低于臺(tái)積電的58%。

據(jù)半導(dǎo)體市場(chǎng)研究公司IC Insights預(yù)測(cè),到2025年,全球芯片代工市場(chǎng)規(guī)模將從今年的1072億美元增長(zhǎng)到1512億美元。
 
文章來(lái)源:財(cái)聯(lián)社

 

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2021第三屆高端電子陶瓷產(chǎn)業(yè)高峰論壇

11月26日·江蘇昆山

01

主要議題


序號(hào)

議題

擬邀請(qǐng)單位

1

基于HTCC技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用

佳利電子 胡元云 常務(wù)副總/研究院院長(zhǎng) 

2

高端電子陶瓷在汽車(chē)領(lǐng)域的發(fā)展應(yīng)用

博世

3

先進(jìn)低溫共燒無(wú)源集成材料和器件技術(shù)發(fā)展

電子科大

4

LTCC射頻模塊的發(fā)展與應(yīng)用

京瓷

5

陶瓷覆銅板在大功率半導(dǎo)體的應(yīng)用

羅杰斯

6

高精密疊層機(jī)應(yīng)用于多層陶瓷基板介紹

上海住榮

7

LTCC絲網(wǎng)印刷中與網(wǎng)版相關(guān)的不良改善

昆山田菱  渡邊智貴

8

高性能陶瓷基板在IGBT中的應(yīng)用與發(fā)展

比亞迪半導(dǎo)體、

9

LTCC低介電常數(shù)粉體量產(chǎn)應(yīng)用發(fā)展

中科院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院  顏廷楠  博士

10

LTCC生瓷帶的環(huán)境與工藝適應(yīng)性要求研討

兵器214所 何中偉  總工程師

11

應(yīng)用于HTCC的高性能粉體制備

艾森達(dá) 

12

應(yīng)用于低溫共燒陶瓷5G射頻模組材料方案

杜邦

13

電子陶瓷用金屬漿料配套應(yīng)用方案

常州聚和

14

高導(dǎo)熱陶瓷低溫?zé)Y(jié)助劑的研究

廈門(mén)鎢業(yè)

如有演講意向,請(qǐng)聯(lián)系周小姐:18320865613(微信同電話(huà)號(hào)碼)


三星電子:2025年量產(chǎn)2納米芯片,明年上半生產(chǎn)3納米芯片

原文始發(fā)于微信公眾號(hào)(艾邦陶瓷展):三星電子:2025年量產(chǎn)2納米芯片,明年上半生產(chǎn)3納米芯片

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作者 ab

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