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氮化鎵陶瓷薄膜電路的激光直寫
氮化鎵陶瓷薄膜電路的激光直寫
氮化鎵材料常用于無線通訊領(lǐng)域里電力互連及射頻電子方面,在電力電子技術(shù)的發(fā)展過程中,氮化鎵越來越多的被視為硅基芯片和電路的替代品,其應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋了 5G、國防和商業(yè)航空航天以及衛(wèi)星通信等方面,然而如果同時加工厚的氮化鎵陶瓷和薄膜導(dǎo)電層, 那么對氮化鎵陶瓷電路的加工就極具挑戰(zhàn)性了,因為氮化鎵陶瓷基底厚且脆,其上的薄膜電路薄且精細(xì),LPKF ProtoLaser R4將兩種材料的加工能力合二為一,尤其適合氮化鎵陶瓷薄膜電路的研發(fā)打樣以及小批量加工。

氮化鎵陶瓷薄膜電路的激光直寫

ProtoLaser R4配備了LPKF皮秒激光器,可輕松加工敏感基材以及切割脆性或燒結(jié)基板。

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? ? ? ?氮化鎵陶瓷電路的加工,由于這兩種材料的特性和加工參數(shù)相差甚遠(yuǎn),因此加工系統(tǒng)必須精準(zhǔn)、柔性、靈活,才能快速干凈地完成處理,LPKF激光直寫系統(tǒng)ProtoLaser R4 基于這種需求應(yīng)運而生,尤其適合新型特殊的材料的加工。該系統(tǒng)配備了LPKF皮秒激光器,能夠輕松完成表面圖形的精細(xì)直寫和基底材料的精密切割,是氮化鎵薄膜電路的完美加工工具。由于皮秒激光加工幾乎沒有熱量,加工后的材料基本沒有熱損傷或燒蝕,所以系統(tǒng)能夠以柔性、精準(zhǔn)的“冷加工”方式來切割和刻蝕所需的任何材料。

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實驗室樣品制作,突破了樣品切割尺寸以及微蝕分辨率的極限。樣品轉(zhuǎn)角設(shè)計為圓弧形。

 

? ? ? ?基于皮秒激光的這種特性,LPKF ProtoLaser R4將陶瓷基板切割和導(dǎo)電圖形蝕刻這兩個傳統(tǒng)工藝?yán)铼毩⒌募庸げ襟E結(jié)合到一起,一個設(shè)備即可完成兩種材料的加工,并且整個加工過程無化學(xué)藥液、對材料無接觸,這種新工藝新設(shè)備已經(jīng)在其出生地歐洲完成了充分驗證。ProtoLaser R4首先對陶瓷基底進(jìn)行精密切割,這個過程不會產(chǎn)生裂紋或應(yīng)力,然后自動完成表面金屬層的圖形直寫(表面金屬層是金)。針對其他不同材料,該系統(tǒng)的激光功率和脈沖能量等參數(shù)會根據(jù)具體應(yīng)用進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整。

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當(dāng)然,這只是 LPKF ProtoLaser R4 的眾多應(yīng)用方向之一,該系統(tǒng)不僅可以輕松加工特殊材料,也同樣適用于加工射頻電子,PTFE、雙面柔性 PCB 材料、玻璃基底薄金屬層等,加工效果同樣穩(wěn)定可靠,精度極高。

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作者 sun, keting

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