日本協(xié)和化學工業(yè)公司開發(fā)了可應用于電子材料用途的中空二氧化硅，具有幾微米的均勻粒徑和低介電性能，據(jù)說具有這種性能的空心二氧化硅是世界上唯一的，可望適用于日趨普及化的5G通訊系統(tǒng)或與6G相關(guān)的電子材料用途。

目前樹脂業(yè)者積極推動低介電化材料研究，但是僅使用樹脂有其極限，因此欲透過活用空氣本身低介電特性的中空形狀的填料，以改善相關(guān)問題。由于積層基板的多層化需求，一層厚度薄化至25～100 μm，因此為了配合需求，填料大小也被要求在0.5～5 μm。然而大多數(shù)的中空二氧化硅，其粒徑為數(shù)百納米，大多是低介電效果較小的尺寸，或是超過10 μm而不適用的大型尺寸，缺乏合適的大小。

協(xié)和化學工業(yè)的中空二氧化硅應用了無機粒子合成技術(shù)，系于進行菱水鎂鋁石(Hydrotalcite)的研發(fā)過程中開發(fā)而成，為非晶硅組成結(jié)構(gòu)，呈現(xiàn)橢圓狀，粒徑均一，約為1～1.9 μm，中空率則可控制在50～60%。

中空二氧化硅的內(nèi)部為空洞狀，有助于輕量化、賦予斷熱性等，因此在涂料用添加劑、樹脂制品的填料等用途已趨于普及。而協(xié)和化學工業(yè)的中空二氧化硅的介電常數(shù)約為1.6～1.7，介電損耗為0.001，可望取代5G用電子基板的覆銅板所使用的熔融二氧化硅填料。

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來源:日本經(jīng)濟新聞、材料世界網(wǎng)