陶瓷電容器可分為單層陶瓷電容器（SLCC）和多層瓷介電容器（MLCC），其中 MLCC 的市場規模占整個陶瓷電容器的 90%以上。
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MLCC
Multi-layer Ceramic Capacitors，多層瓷介電容器，業界常指片式多層瓷介電容器，片式多層陶瓷電容器，標準上稱多層片式瓷介電容器。是由印好電極（內電極）的陶瓷介質膜片以錯位的方式疊合起來，經過一次性高溫燒結形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），形成一個類似獨石的結構體，也被稱為獨石電容器。MLCC 一般用于噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路等，在大規模集成電路方面應用廣泛。以不同介質材料對MLCC進行區分， MLCC 按材料分為 C0G(NP0)、X5R、X7R、Z5U、Y5V 等。
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COG
代表溫度系數為在-55℃至+125℃，其容量變化率為±30ppm；C0G電容器具有高溫度補償特性，適合作旁路電容和耦合電容
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X5R
代表溫度系數為在-55℃至+85℃，其容量變化率為 ±15%；X5R電容器是溫度穩定型陶瓷電容器，適合要求不高的工業應用
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X7R
代表溫度系數為在-55℃至+125℃，其容量變化率為±15%；X7R電容器是溫度穩定型陶瓷電容器，適合要求不高的工業應用
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Y5V
代表溫度系數為在 -30℃至+85℃，其容量變化率為-80%/+20%；Y5V電容器溫度特性最差，但容量大，可取代低容鋁電解電容
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電容器
由兩片接近并相互絕緣的導體制成的電極組成的儲存電荷和電能的元件
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芯片
多層片式瓷介電容器，作為原材料用于生產有可靠性特殊要求的多層片式瓷介電容器、有引線多層瓷介電容器、金屬支架多層瓷介電容器時被稱為芯片
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陶瓷介質膜片
利用流延成形技術或其他技術制備的坯片，經干燥燒結后的陶瓷介質層，是MLCC的組成部分
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MLCC 配方粉、配方粉、瓷粉
在鈦酸鋇粉體中添加改性添加劑后形成的電子陶瓷粉體材料，可直接用作 MLCC 中的電介質
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I類介電瓷粉
專門設計并用在低損耗、電容量穩定性高或要求溫度系數有明確規定的諧振電路中的一種電容器用介質材料。例如COG
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II類介電瓷粉
適用于做旁路、耦合或用在對損耗和電容量穩定性不高的電路中的具有高介電常數的一種電容器用介質材料，例如X5R、X7R、Z5U、Y5V等。
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鈦酸鋇粉（BaTiO3）、基礎粉、BT 粉
鈦酸鋇粉是一種強介電材料，是電子陶瓷元器件行業的重要基礎原料，被譽為"電子陶瓷工業的支柱"。高純度、納米級鈦酸鋇粉體主要用于介質陶瓷、敏感陶瓷的制造，如 MLCC、PTC 熱敏電阻器件等。
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添加劑、改性添加劑
高純度、納米級鈦酸鋇粉體在常溫下介質損耗較大，不宜直接用于制造陶瓷電容器，還需要摻入其他材料來對鈦酸鋇粉體進行改性，這些添加的材料被稱為添加劑或改性添加劑
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內電極
通過交替分布又互不相連的方式與相鄰的電介質層組成基本單元電容的電極層，是MLCC的組成部分
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外部電極
外電極、端電極，將多個基本單元電容的內電極鏈接，形成串聯或并聯方式，實現器件功能的點擊，是MLCC的組成部分
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電極漿料
電極漿料又稱導電漿料，是金屬粉、玻璃粉和合成樹脂的混合物，用于制作MLCC的內電極和外電極
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PME
Precious Metal Electrode，MLCC 的內電極金屬為貴金屬（純鈀或純銀或鈀銀合金）
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BME
Base Metal Electrode，MLCC 的內電極金屬為賤金屬（鎳或銅）
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賤金屬
業界主要指鎳或銅
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SMT
表面組裝技術（Surface Mounted Technology的縮寫），是目前電子組裝行業里最流行的一種技術和工藝
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電容量
表征電容器容納電荷本領的物理量。極板的距離、極板的面積和介質材料的介電常數是影響電容器容量大小的重要因素。
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F、μF、pF
法拉、微法、皮法，電容器電容量單位，1F=1,000,000μF，1μF=1,000,000pF
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電介質
電介質是能夠產生極化現象的物質，主要包括陶瓷、云母、玻璃、塑料和各種金屬氧化物等。電介質的電阻率很高，一般超過 10 歐/厘米。
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ESR
Equivalent Series Resistance，即等效串聯電阻。理論上，一個完美的電容自身不會產生任何能 量損失，但實際上由于制造電容的材料有電阻，電容的絕緣介質有損耗，各種因素導致電容變得不"完美"。這個損耗在外部表現為就像一個電阻跟電容串聯在一起，因此被稱為"等效串聯電阻"。ESR 越小，損耗越小，輸出電流越高，電容的品質也越高。
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ESL
Equivalent Series Inductance，即等效串聯電感。電容器內的有效感抗，等效干理想電容器的串聯電感值。理論上一個完美的電容器，自身不會產生任何能量損失，但是實際上，因為電容器有電感，電容器的絕緣介質有損耗，各種原因導致電容器變得不"完美"。這個損耗在外部，表現為就像一個電感跟電容器串聯在一起，所以稱為"等效串聯電感"。
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晶相
陶瓷顯微結構中由晶體構成的部分。在陶瓷顯微結構中可以是由一種晶體(單相)或不同類型的晶體(多相)組成。其中含量多者稱為主晶相，含量少的稱次級晶相或第二晶相。
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體積電阻率
介電材料每單位立方體積的電阻，體積電阻率越高，材料用作電絕緣部件的效能就越高。
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介電常數
又稱電容率或相對電容率，用于衡量絕緣體儲存電能的相對能力。指兩塊金屬板之間以絕緣材料為介質時的電容量與同樣的兩塊板之間真空時的電容量之比，常用ε 表示。電容器中所用電介質材料的介電常數越大，電容器的電容量越大。
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介質損耗
電介質中在交變電場作用下轉換成熱能的那部分能量，這些熱量會使電介質升溫并可能引起熱擊穿。因此介質損耗越小，電介質的性能越好。
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Q值
品質因數。容器或電感器在某一頻率的交流電壓下工作時，所呈現的感抗與其等效損耗電阻之比，表示一個儲能器件（如電感線圈、電容等）、諧振電路所儲能量同每個周期損耗能量之比的一種質量指標。元件的 Q 值越高，損耗越小、效率和穩定度越高，因此可更加準確 地發揮作用電
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耐電壓
表征電容器耐電壓能力
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極化
電介質陶瓷中的分子正負電荷彼此強烈地束縛，在弱電場的作用下，雖然正電荷沿電場方向移動，負電荷逆電場方向移動，但它們并不能掙脫彼此的束縛而形成電流，具有絕緣性。由于電介質陶瓷中電荷的移動，造成了正負電荷中心不重合，在電介質陶瓷內部形成偶極距，產生了極化。
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分層
多層陶瓷電容器內部介質層之間出現裂縫的一種現象
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0805
多層陶瓷電容器的外形尺寸代碼，"08"表示長度，"05"表示寬度，單位1/10英寸。實際的尺寸為2.0mm×1.25mm
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