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近日,深圳先進電子材料國際創(chuàng)新研究院 (簡稱“電子材料院”) 團隊在電磁屏蔽材料領(lǐng)域取得新進展,相關(guān)成果發(fā)表于材料領(lǐng)域國際著名期刊《Small Methods》上(20232201694)。電子材料院萬艷君副研究員等成員提出了一種有效的策略,通過氫鍵和配位鍵的協(xié)同作用提高MXene的化學(xué)穩(wěn)定性并改善組裝膜的力學(xué)性能。MXene在電磁屏蔽材料領(lǐng)域具有潛在應(yīng)用價值,但其化學(xué)不穩(wěn)定和機械脆性限制了其實際應(yīng)用,提高其化學(xué)穩(wěn)定性或機械性能的方法常常以犧牲電導(dǎo)率為代價,從而影響電磁屏蔽性能。這種協(xié)同策略不僅可以顯著提高材料的化學(xué)穩(wěn)定性和力學(xué)強度,還可以保持良好的電導(dǎo)率和電磁屏蔽性能,為后續(xù)開發(fā)性能優(yōu)異的多功能材料奠定了基礎(chǔ)。

院內(nèi)成果 | 電子材料院在電磁屏蔽材料研究領(lǐng)域取得新進展

圖:a) MXeneMXene- cysCysteine薄膜的應(yīng)力-應(yīng)變曲線b) MXeneMXene- cys薄膜的隨時間變化的電磁屏蔽性能(EMI SE),c)層狀結(jié)構(gòu)薄膜的電磁干擾屏蔽機理。

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