DPC 是在陶瓷薄膜工藝加工基礎上發展起來的陶瓷電路加工工藝。以氮化鋁/氧化鋁陶瓷作為線路的基板，采用濺鍍工藝于基板表面復合金屬層，并以電鍍和光刻工藝形成電路。DPC 基板具有圖形精度高、可垂直互連、生產成本低等技術優勢。
一、DPC 陶瓷基板的優勢特點
1、采用半導體微加工技術，陶瓷基板上金屬線路更加精細（線寬/線距低至30μm~50μm，與線路層厚度相關），因此DPC陶瓷基板非常適合對精度要求較高的微電子器件封裝；
2、采用激光打孔和電鍍填孔技術，實現了陶瓷基板上下表面垂直互連，可實現電子器件三維封裝與集成，降低器件體積；
3、采用電鍍生長控制線路層厚度（一般為10μm~100μm），并通過研磨降低線路層表面粗糙度，滿足高溫、大電流器件封裝需求；
4、低溫制備工藝（300℃以下）避免了高溫對基片材料和金屬線路層的不利影響，同時也降低了生產成本。
DPC 陶瓷基板可普遍應用于大功率 LED 照明、汽車大燈等大功率 LED 領域、半導體激光器、電力電子功率器件、微波、光通訊、VCSEL、射頻器件等應用領域，市場空間很大。根據 HNY Research 發布的數據，2021 年 DPC 陶瓷基板市場規模約為 21 億美元，預計 2027 年將達到 28.2 億美元，2021-2027 期間的復合增長率為 5.07%。
隨著LED在照明領域的不斷發展，功率和亮度不斷提高，尤其是大功率白光LED的出現，熱問題成為制約LED進一步發展的關鍵問題。直接鍍銅陶瓷基板其工藝為在陶瓷基片氧化鋁或氮化鋁表面采用濺射方式沉積種子層，再以光刻、顯影工藝完成線路制作，最后通過電鍍方式，由于采用了半導體微加工技術，DPC基板具有線路精度高(10~30um)與表面平整度高(小于0.3um)等特性，非常適用于對準精確要求較高的LED倒裝/共晶工藝。特別是采用激光打孔與通孔填銅技術后可實現大功率LED的垂直封裝，降低器件體積，提高封裝集成度。
特點：強度高、絕緣性好、導熱和耐熱性能優良、熱膨脹系數小；
功能：封裝基板作為整個 LED 散熱系統關鍵的環節，既承載芯片，又是將芯片產生的熱傳導給冷卻裝置的載體；
激光熱沉基板作為半導體激光器的襯底材料，包括陶瓷熱沉、銅塢熱沉和金剛石熱沉等技術路線，目前主流的技術路線是氮化鋁陶瓷熱沉。氮化鋁陶瓷熱沉可滿足高功率半導體激光芯片鍵合的需求，在光通信、高功率 LED 封裝、半導體激光器和光纖激光器泵浦源制造等領域應用前景廣闊。
特點：主要用于激光器芯片封裝，與激光器芯片熱膨脹系數匹配、高導熱；
功能：提升散熱能力，減少熱阻，提高激光器輸出功率，延長激光器壽命；
終端應用：工業激光設備，如激光焊接、激光切割、激光打碼、醫療設備、激光測距等。
激光雷達探測精度高，完美契合輔助駕駛對環境高精度感知的需求。與毫米波雷達、超聲波雷達等競品相比，激光雷達具備探測精度高、測距精度可達毫米級、能夠精確獲得三維位置信息等優勢，與輔助駕駛對環境高精度感知的需求相適應。激光雷達探測距離可達 300 米，探測角度范圍優于毫米波雷達和超聲波雷達，在技術指標上具備較大優勢。VCSEL 運行時會產生較大熱量。其一，熱量需要通過基板及時散發出去；其次，VCSEL 芯片功率密度很高，需要考慮芯片和基板熱膨脹失配導致的應力問題。因此，實現高效散熱、熱電分離及熱膨脹系數匹配成為 VCSEL 元件封裝基板選擇的重要考量。DPC 陶瓷基板具備了高導熱、高絕緣、高線路精準度、高表面平整度及熱膨脹系數與芯片匹配、可垂直互連等諸多特性，極大滿足了 VCSEL 的封裝要求，在 VCSEL 的應用方面具有廣泛的前景。
特點：主要用于激光雷達模組封裝，高導熱、高絕緣、高線路精準度、高 表面平整度及熱膨脹系數與芯片匹配等；
功能：DPC 陶瓷基板在每個激光雷達中的使用數量為 3-4 顆，每臺車上面有 2-3 個激光雷達。保證雷達信號的高效，靈敏，準確；
半導體制冷片，也叫熱電制冷片，是一種熱泵。它的優點是沒有滑動部件，應用在一些空間受到限制，可靠性要求高，無制冷劑污染的場合。利用半導體材料的 Peltier 效應，當直流電通過兩種不同半導體材料串聯成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實現制冷的目的。它是一種產生負熱阻的制冷技術，其特點是無運動部件，可靠性也比較高。熱電制冷片終端應用市場已經涉及通信、汽車、工業、航天國防領域，并在醫療實驗、油氣采礦等領域市場中儲備了相關技術解決方案或熱電器件產品。
特點：良好的熱傳導性能、較高的機械強度、優異的絕緣性能；
功能：熱電制冷片 TEC 由上下兩片陶瓷基板和中間的熱電體組成，陶瓷基片成本占比約 50%；
終端應用：光通信、醫療器械、汽車、航空航天、紅外熱像儀、車輛冷暖座椅空調系統、芯片加工熱管理、余熱發電、家用電器。
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第六屆精密陶瓷暨功率半導體產業鏈展覽會
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原文始發于微信公眾號（艾邦陶瓷展）：市場空間廣闊，DPC 陶瓷基板的主要應用領域盤點
