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近年來(lái),電子元器件的小型化以及大規(guī)模集成電路的快速發(fā)展對(duì)其所使用的陶瓷絕緣基板提出了更高的要求。在某些特定的領(lǐng)域中,不但要求陶瓷絕緣基板需要具有較高的熱導(dǎo)率,而且還應(yīng)該具有足夠的強(qiáng)度和韌性。由于氮化硅(Si3N4)陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機(jī)械性能,作為大功率器件封裝基板材料備受矚目。
2024年SiC有望大規(guī)模放量,高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板備受矚目

圖源大商電子

一、氮化硅是?SiC?器件首選基板材料

據(jù) Yole 預(yù)測(cè),全球碳化硅器件市場(chǎng)將從 2021 年 10?億美元的規(guī)模增長(zhǎng)至 2027 年的 60?億美元以上,復(fù)合增速將高達(dá) 34%;其中汽車(chē)碳化硅器件的市場(chǎng)將從 2021 年的 6.85 億美元增長(zhǎng)至 2027 年的約 50?億美元,復(fù)合增速高達(dá) 40%。然而碳化硅襯底的成本較高限制了限制了碳化硅的應(yīng)用放量。8 英寸 SiC 襯底在降低器件成本、增加產(chǎn)能供應(yīng)方面擁有巨大潛力,從2022 年開(kāi)始,目前國(guó)內(nèi)已有十余家企業(yè)與機(jī)構(gòu)公布 8 英 SiC 襯底開(kāi)發(fā)成功,處于研發(fā)或小批量驗(yàn)證階段甚至具備量產(chǎn)能力,SiC 襯底將全面進(jìn)入8英寸時(shí)代。中金公司認(rèn)為,需求端新能源車(chē)+光伏上量與供給端良率突破或于2024 年迎來(lái)共振,SiC 有望迎接大規(guī)模放量。
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圖源安森美

AMB 氮化硅(Si3N4)基板是 SiC 功率器件導(dǎo)熱基板材料首選。氮化硅具有優(yōu)異的機(jī)械性能,兼顧高彎曲強(qiáng)度和高斷裂韌度,可靠性高,高導(dǎo)熱率(>80 W/mK),氮化硅的出色機(jī)械強(qiáng)度有助于釬焊較厚的銅層,載流能力較高。且氮化硅陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)與第三代半導(dǎo)體襯底 SiC 晶體接近,使其能夠與 SiC 晶體材料匹配更穩(wěn)定,AMB 氮化硅基板主要用于電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合動(dòng)力車(chē)(HV)功率半導(dǎo)體,特別在 800V 以上高端新能源汽車(chē)中應(yīng)用中不可或缺。

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圖源Ferrotec
但由于 AMB 氮化硅陶瓷基板工藝還還存在一些短板,對(duì)技術(shù)要求高,且在良率、材料等方面還有待進(jìn)一步完善,這使得該技術(shù)目前的實(shí)現(xiàn)成本還比較高。

二、氮化硅陶瓷覆銅基板的應(yīng)用難點(diǎn)

1、氮化硅基板實(shí)際熱導(dǎo)率低
氮化硅的固有材料特性意味著它的熱導(dǎo)率可能超過(guò) 200 W/mK。但是,目前可用的氮化硅陶瓷原料的導(dǎo)熱率受多種因素的限制,目前商用氮化硅基板的熱導(dǎo)率多為 85 W/mK 左右,熱導(dǎo)率還有待進(jìn)一步提高。影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素有晶格氧、晶相、晶界相等,其中氧原子因?yàn)樵诰Ц裰袝?huì)發(fā)生固溶反應(yīng)生成硅空位和造成晶格畸變,從而引起聲子散射,降低氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率而成為主要因素。此外,晶型轉(zhuǎn)變和晶軸取向也能在一定程度上影響氮化硅的熱導(dǎo)率。如何實(shí)現(xiàn)高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的大規(guī)模生產(chǎn)也是一個(gè)不小的難題。
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圖?陶瓷基板的彎曲強(qiáng)度與熱導(dǎo)率
目前,高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的制備方法主要有兩種:一種是燒結(jié)出氮化硅陶瓷塊體,然后將其切割成所需厚度氮化硅基板,但通過(guò)這種方法制備氮化硅陶瓷基板的成本較高。另一種是通過(guò)流延成型的方法制備出所需厚度的氮化硅坯片,然后再通過(guò)適當(dāng)?shù)呐拍z、燒結(jié)工藝制得氮化硅陶瓷基板。相對(duì)于前一種制備方法,這種方法對(duì)于降低生產(chǎn)成本無(wú)疑具有巨大的優(yōu)勢(shì)。
2、氮化硅基板覆銅工藝
氮化硅覆銅陶瓷基板是氮化硅陶瓷與銅通過(guò)活性釬焊工藝形成的銅-陶瓷復(fù)合材料,是大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的一種新的基礎(chǔ)材料。生產(chǎn)氮化硅覆銅陶瓷基板的技術(shù)關(guān)鍵是獲得高可靠性的銅-瓷連接。但由于氮化硅陶瓷與銅之間的熱膨脹系數(shù)差別較大,在鍵合的過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生較大的殘余應(yīng)力,不易獲得優(yōu)良的結(jié)合性能,此外,不同于氧化鋁,氮化硅與銅之間不會(huì)形成 Cu-Si-O 化合物,需要利用活性金屬元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf 等)可以潤(rùn)濕陶瓷表面的特性,將銅層通過(guò)活性金屬釬料釬焊在氮化硅陶瓷基板上(即 AMB 工藝),實(shí)現(xiàn)銅-瓷的連接。
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圖??Al2O3?DBC、AlN?DBC?和?Si3N4?AMB的橫截面
AgCuTi 是常用的活性金屬釬焊焊膏。AgCuTi 應(yīng)用廣泛,釬焊性能好,但AgCuTi 活性金屬釬焊焊膏應(yīng)用于覆銅陶瓷基板的釬焊工藝中會(huì)帶來(lái)一些問(wèn)題:
1)使用 AgCuTi 活性金屬釬焊焊膏不容易獲得均勻的焊縫,通常 AgCuTi 焊料采用漿料的方式涂裝在氮化硅的表面,與銅片裝夾成三明治結(jié)構(gòu)后進(jìn)行真空釬焊。由于焊料的涂裝厚度、焊料熔化后流動(dòng)、焊料中銀向銅中擴(kuò)散、焊料凝固時(shí)析晶等因素的影響,使用 AgCuTi 漿料釬焊的銅瓷界面均勻性較差。均勻性較差的焊料會(huì)影響后續(xù)的蝕刻工藝,并影響產(chǎn)品的尺寸精度及可靠性。
2)AgCuTi 焊料中的 Ag 作為重金屬,在覆銅陶瓷基板的后續(xù)蝕刻工藝中會(huì)帶來(lái)環(huán)境污染的風(fēng)險(xiǎn)。
3)含銀的釬焊層會(huì)影響刻蝕線路的精準(zhǔn)度,含銀焊料會(huì)造成蝕刻不凈,影響電路板的絕緣性能。
4)銀的電遷移系數(shù)較大,在惡劣的使用環(huán)境下,AgCuTi 焊料中銀的電遷移會(huì)影響產(chǎn)品的可靠性。
AMB氮化硅陶瓷基板是采用高溫真空釬焊工藝將銅釬接于基板上,釬焊工藝及陶瓷的抗彎強(qiáng)度對(duì)AMB基板的可靠性有較大的影響,同時(shí),圖形設(shè)計(jì)與銅-瓷厚度的匹配,對(duì)AMB基板的可靠性也有較大影響。因此,AMB氮化硅陶瓷基板的發(fā)展需要解決高品質(zhì)原材料、活性釬料、真空釬焊等工藝問(wèn)題,目前國(guó)內(nèi)企業(yè)也在此方面積極實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。
為加強(qiáng)陶瓷基板及其封裝行業(yè)上下游交流聯(lián)動(dòng),艾邦建有陶瓷基板產(chǎn)業(yè)群,歡迎涉及汽車(chē)、LED、5G、陶瓷封裝、陶瓷管殼、陶瓷基板及覆銅板生產(chǎn)企業(yè);氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、氧化鈹、玻璃粉等陶瓷材料企業(yè);金屬銅箔、金屬焊料、金屬漿料等材料企業(yè);陶瓷粉體生產(chǎn)配制設(shè)備、陶瓷流延機(jī)、拋光研磨設(shè)備、打孔設(shè)備、填孔設(shè)備、印刷機(jī)、鍍膜設(shè)備、顯影設(shè)備、燒結(jié)爐、釬焊爐、X-RAY、AOI、超聲波掃描顯微鏡、自動(dòng)化組裝等加入微信群。

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推薦活動(dòng):【邀請(qǐng)函】 2024年第六屆精密陶瓷暨功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈展覽會(huì)(深圳·8月28日-30日)

第六屆精密陶瓷暨功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈展覽會(huì)

同期舉辦:熱管理材料展

2024年8月28日-30日

深圳國(guó)際會(huì)展中心7號(hào)館(寶安新館)
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01展會(huì)規(guī)模

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展出2萬(wàn)平米、1,000個(gè)攤位、500多家展商、50,000名專(zhuān)業(yè)觀眾;匯聚IGBT/SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈;熱管理材料產(chǎn)業(yè)鏈,精密陶瓷、電子陶瓷、陶瓷基板、薄膜/厚膜陶瓷電路板、陶瓷封裝管殼、LTCC/HTCC/MLCC加工產(chǎn)業(yè)鏈等產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)!

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02展覽范圍

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一、精密陶瓷產(chǎn)業(yè)鏈:

 

 

1、陶瓷器件及材料:MLCC、LTCC、HTCC、微波介質(zhì)陶瓷、壓電陶瓷、鈦酸鋇、碳酸鋇、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋯、玻璃粉、氮化鋁、LTCC介質(zhì)陶瓷粉體、稀土氧化物、生瓷帶等;

 

2、精密陶瓷:氧化鋯、氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、碳化硅、氧化釔、結(jié)構(gòu)陶瓷、高溫陶瓷、透明陶瓷、陶瓷微珠、新能源陶瓷、陶瓷軸承、陶瓷球、半導(dǎo)體陶瓷(搬運(yùn)臂、陶瓷劈刀、靜電卡盤(pán)、蝕刻環(huán)……)、3D打印陶瓷、燃料電池(SOFC)隔膜片、穿戴陶瓷、光纖陶瓷插芯、陶瓷套筒、CIM、生物陶瓷等。

 

3、陶瓷基板及封裝外殼:陶瓷封裝外殼、DPC、DBC、AMB、HTCC基板、LTCC基板、薄膜電路板、厚膜電路板、陶瓷封裝基座、熱沉、氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、氧化鈹、莫來(lái)石粉體及基板等;

 

4、金屬材料:銀粉、金粉、銅粉、鎳粉、焊料(焊片、焊膏)、MLCC用內(nèi)/外電極漿料、LTCC銀漿、金漿、鎢鉬漿料、銅漿、靶材、無(wú)氧銅帶、可伐合金、金屬?zèng)_壓件等;

 

5、助劑:陶瓷和導(dǎo)電漿料用分散劑、黏合劑、增塑劑、絮凝劑、礦化劑、消泡劑、潤(rùn)滑劑、燒結(jié)助劑等;

 

6、設(shè)備:

 

陶瓷加工設(shè)備:砂磨機(jī)、球磨機(jī)、真空脫泡機(jī)、三輥機(jī)、噴霧造粒機(jī)、干壓機(jī)、流延機(jī)、注塑機(jī)、3D打印機(jī)、模具、干燥設(shè)備、研磨機(jī)、精雕機(jī)、裁片機(jī)、激光設(shè)備、打孔機(jī)、填孔機(jī)、絲網(wǎng)印刷機(jī)、疊層機(jī)、層壓機(jī)、等靜壓機(jī)、熱切機(jī)、整平機(jī)、排膠爐、燒結(jié)爐、釬焊設(shè)備、電鍍?cè)O(shè)備、化學(xué)鍍、噴銀機(jī)、浸銀機(jī)、端銀機(jī)、真空鍍膜設(shè)備、顯影設(shè)備、去膜設(shè)備、蝕刻機(jī)、濕制程設(shè)備、等離子清洗、超聲波清洗、自動(dòng)化設(shè)備、剝離強(qiáng)度測(cè)試儀、AOI檢測(cè)設(shè)備、打標(biāo)機(jī);

 

封裝測(cè)試設(shè)備:貼片機(jī)、引線鍵合機(jī)、封蓋機(jī)、平行縫焊封帽、切筋機(jī)、釬焊設(shè)備、激光調(diào)阻機(jī)、網(wǎng)絡(luò)分析儀、熱循環(huán)測(cè)試設(shè)備、測(cè)厚儀、氦氣檢漏儀、老化設(shè)備、外觀檢測(cè)、超聲波掃描顯微鏡、X-光檢測(cè)、激光打標(biāo)、分選設(shè)備、測(cè)包編帶機(jī)等;

 

7、耗材:離型膜、載帶(塑料和紙質(zhì))、耐火材料、承燒板/匣缽(氧化鋁、剛玉莫來(lái)石、氮化硼等)、承燒網(wǎng)、發(fā)泡膠、研磨耗材(金剛石微粉、研磨液)、精密網(wǎng)版、清洗劑、電鍍藥水等。

 

二、熱管理產(chǎn)業(yè)鏈:

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1、熱管理材料:氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、石墨烯、石墨、碳納米管、空心玻璃微珠、導(dǎo)熱粉體、散熱基板、熱沉(鎢銅、鉬銅、氮化鋁、金剛石等)、鋁碳化硅AlSiC、相變材料、導(dǎo)熱凝膠、導(dǎo)熱界面材料、導(dǎo)熱墊片、導(dǎo)熱膠帶、灌封膠、熱管/均熱板;

 

2、散熱器件:半導(dǎo)體制冷片(TEC)、IGBT散熱器(銅、鋁)、大功率晶體管散熱器、通信基站散熱殼體、液態(tài)金屬散熱器、插針式散熱器等;

 

3、設(shè)備:壓延機(jī)、涂布機(jī)、分條機(jī)、模切機(jī)、復(fù)卷機(jī)、切片機(jī),CNC設(shè)備、壓鑄/沖壓設(shè)備、熱分析儀器、激光導(dǎo)熱儀、導(dǎo)熱系數(shù)儀、強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)、檢測(cè)設(shè)備、自動(dòng)化等。

 

三、功率半導(dǎo)體器件封裝產(chǎn)業(yè)鏈:

 

1、材料:碳化硅,陶瓷襯板(DBC、AMB)、封裝管殼、鍵合絲、散熱基板(銅、鋁碳化硅AlSiC)、導(dǎo)熱硅凝膠、環(huán)氧灌封膠、焊料(預(yù)制焊片)、銀膜/銀膏、散熱器(銅、鋁)、功率引出端子(銅端子)、外殼(工程塑料PPS、PBT、高溫尼龍)、清洗劑等;

2、設(shè)備及配件:真空焊接爐、貼片機(jī)、固晶機(jī)、引線鍵合機(jī)、X-ray、推拉力測(cè)試機(jī)、等離子清洗設(shè)備、點(diǎn)膠機(jī)、絲網(wǎng)印刷機(jī)、超聲波掃描設(shè)備、動(dòng)靜態(tài)測(cè)試機(jī)、點(diǎn)/灌膠機(jī)、銀燒結(jié)設(shè)備、垂直固化爐、甲酸真空共晶爐、自動(dòng)封蓋設(shè)備、高速插針機(jī)、彎折設(shè)備、超聲波焊接機(jī)、視覺(jué)檢測(cè)設(shè)備、推拉力測(cè)試機(jī)、高低溫沖擊設(shè)備、功率循環(huán)測(cè)試設(shè)備、打標(biāo)機(jī)、檢驗(yàn)平臺(tái)、治具等;

 

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作者 gan, lanjie

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