碳化硅陶瓷，此種是陶瓷材料中高溫強(qiáng)度最好的一種，其抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷里最好的，因而被廣泛的應(yīng)用于各個(gè)工業(yè)領(lǐng)域。
無(wú)壓燒結(jié)
無(wú)壓燒結(jié)被認(rèn)為是最有希望的SiC燒結(jié)燒結(jié)方法。根據(jù)不同的燒結(jié)機(jī)理，無(wú)壓燒結(jié)可分為固相燒結(jié)和液相燒結(jié)。通過(guò)在超細(xì)β-SiC粉末中同時(shí)添加適量的B和C(氧含量小于2%)，將S. Proehazka在2020℃下燒結(jié)至密度高于98%的SiC燒結(jié)體。A.Mulla等人。使用Al2O3和Y2O3作為添加劑，在1850-1950℃燒結(jié)0.5μmβ-SiC(顆粒表面含有少量SiO2)。所得SiC陶瓷的相對(duì)密度大于理論密度的95%，并且晶粒尺寸小且平均尺寸。它是1.5微米。
反應(yīng)燒結(jié)
反應(yīng)燒結(jié)碳化硅，又稱自結(jié)合碳化硅，是指多孔鋼坯與氣相或液相反應(yīng)，提高鋼坯質(zhì)量，減少氣孔，并以一定的強(qiáng)度和尺寸精度燒結(jié)成品的過(guò)程。將α-SiC粉末與石墨按一定比例混合，加熱到1650℃左右，形成方坯。同時(shí)，它通過(guò)氣相Si滲透或滲透到鋼坯中，與石墨反應(yīng)生成β-SiC，結(jié)合現(xiàn)有的α-SiC顆粒。當(dāng)Si完全滲入時(shí)，可以得到密度完全、尺寸無(wú)收縮的反應(yīng)燒結(jié)體。與其它燒結(jié)工藝相比，致密過(guò)程中反應(yīng)燒結(jié)的尺寸變化較小，可以制得尺寸精確的產(chǎn)品，但燒結(jié)體中大量SiC的存在使反應(yīng)燒結(jié)SiC陶瓷的高溫性能變差。
無(wú)壓力燒結(jié)SiC陶瓷、熱等靜壓燒結(jié)SiC陶瓷和反應(yīng)燒結(jié)SiC陶瓷具有不同的性能。例如，在燒結(jié)密度和抗彎強(qiáng)度方面，SiC陶瓷的熱壓燒結(jié)和熱等靜壓燒結(jié)相對(duì)較多，反應(yīng)燒結(jié)SiC相對(duì)較低。另一方面，SiC陶瓷的力學(xué)性能隨燒結(jié)助劑的變化而變化。SiC陶瓷的無(wú)壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)和反應(yīng)燒結(jié)具有較好的耐酸、耐堿性能，但反應(yīng)燒結(jié)SiC陶瓷抗HF等超強(qiáng)酸腐蝕性能較差。當(dāng)溫度低于900℃時(shí)，幾乎所有SiC陶瓷的抗彎強(qiáng)度都比高溫?zé)Y(jié)陶瓷大幅度提高，反應(yīng)燒結(jié)SiC陶瓷的抗彎強(qiáng)度在超過(guò)1400℃時(shí)急劇下降。(這是由于一定量的游離Si，在燒結(jié)體上是由一定溫度以上的彎曲強(qiáng)度急劇下降引起的。)對(duì)于無(wú)壓力燒結(jié)和熱等靜壓燒結(jié)的SiC陶瓷，高溫性能主要受添加劑種類的影響。
SiC陶瓷的這兩種燒結(jié)方法各有優(yōu)勢(shì)。然而，在當(dāng)今科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展中，迫切需要提高SiC陶瓷的性能，不斷改進(jìn)制造工藝，降低生產(chǎn)成本，實(shí)現(xiàn)SiC陶瓷的低溫?zé)Y(jié)。為了降低能耗，降低生產(chǎn)成本，促進(jìn)SiC陶瓷產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化。
來(lái)源：格航真空
https://www.vacfurnace.cn/exhibition-news/1221.html
為加強(qiáng)碳化硅陶瓷行業(yè)上下游交流聯(lián)動(dòng)，艾邦建有碳化硅陶瓷產(chǎn)業(yè)群，歡迎產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)掃碼加入。
推薦活動(dòng)1：【邀請(qǐng)函】2024年半導(dǎo)體陶瓷產(chǎn)業(yè)論壇（2024年4月·泉州）
2024年半導(dǎo)體陶瓷產(chǎn)業(yè)論壇
The Semiconductor Ceramics Industry Forum
2024年4月
一、暫定議題
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序號(hào) |
暫定議題 |
擬邀請(qǐng)企業(yè) |
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1 |
半導(dǎo)體設(shè)備及陶瓷零部件的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì) |
擬邀請(qǐng)?zhí)沾闪悴考髽I(yè)/高校研究所 |
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2 |
半導(dǎo)體用高超精密陶瓷部件研制與應(yīng)用 |
擬邀請(qǐng)?zhí)沾闪悴考髽I(yè)/高校研究所 |
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3 |
半導(dǎo)體引線鍵合用陶瓷劈刀制備技術(shù) |
擬邀請(qǐng)劈刀企業(yè)/高校研究所 |
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4 |
大功率電力電子器件用陶瓷封裝基板的研究進(jìn)展 |
擬邀請(qǐng)?zhí)沾苫迤髽I(yè)/高校研究所 |
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5 |
第三代功率半導(dǎo)體封裝用AMB陶瓷覆銅基板 |
擬邀請(qǐng)AMB企業(yè)/高校研究所 |
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6 |
多孔陶瓷的研究進(jìn)展及在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用 |
擬邀請(qǐng)多孔陶瓷企業(yè)/高校研究所 |
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7 |
LTCC技術(shù)在半導(dǎo)體晶圓探針卡中的應(yīng)用 |
擬邀請(qǐng)?zhí)结樋ㄆ髽I(yè)/高校研究所 |
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8 |
CVD用絕緣高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷加熱器的研發(fā) |
擬邀請(qǐng)?zhí)沾杉訜岜P企業(yè)/高校研究所 |
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9 |
耐等離子腐蝕的氧化釔陶瓷的開發(fā)與應(yīng)用 |
擬邀請(qǐng)氧化釔陶瓷企業(yè)/高校研究所 |
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10 |
高強(qiáng)度高耐磨的氮化硅陶瓷材料的開發(fā) |
擬邀請(qǐng)氮化硅陶瓷企業(yè)/高校研究所 |
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11 |
碳化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件在集成電路制造關(guān)鍵裝備中的應(yīng)用 |
擬邀請(qǐng)?zhí)蓟杼沾善髽I(yè)/高校研究所 |
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12 |
半導(dǎo)體裝備用陶瓷靜電卡盤關(guān)鍵技術(shù) |
擬邀請(qǐng)靜電卡盤企業(yè)/高校研究所 |
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13 |
高純氧化鋁陶瓷制備工藝及其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用 |
擬邀請(qǐng)氧化鋁陶瓷企業(yè)/高校研究所 |
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14 |
真空釬焊設(shè)備在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用 |
擬邀請(qǐng)真空釬焊企業(yè)/高校研究所 |
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15 |
高精度復(fù)雜形狀碳化硅陶瓷制備工藝研究 |
擬邀請(qǐng)?zhí)蓟杼沾善髽I(yè)/高校研究所 |
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16 |
半導(dǎo)體設(shè)備用陶瓷的成型工藝技術(shù) |
擬邀請(qǐng)成型設(shè)備企業(yè)/高校研究所 |
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17 |
高強(qiáng)度氮化硅粉體制備工藝技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化 |
擬邀請(qǐng)氮化硅粉體企業(yè)/高校研究所 |
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18 |
高性能氮化鋁粉體連續(xù)式生產(chǎn)關(guān)鍵工藝技術(shù) |
擬邀請(qǐng)氮化鋁粉體企業(yè)/高校研究所 |
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19 |
覆銅陶瓷基板的失效機(jī)理分析及可靠性設(shè)計(jì) |
擬邀請(qǐng)?zhí)沾苫迤髽I(yè)/高校研究所 |
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20 |
特種陶瓷高溫?zé)Y(jié)工藝技術(shù) |
擬邀請(qǐng)熱工裝備企業(yè)/高校研究所 |
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21 |
半導(dǎo)體設(shè)備用陶瓷零部件表面處理技術(shù) |
擬邀請(qǐng)表面處理/陶瓷零部件企業(yè) |
二、報(bào)名方式
原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦陶瓷展）：碳化硅陶瓷反應(yīng)燒結(jié)和無(wú)壓燒結(jié)的區(qū)別