近日，遵義師范學院物理與電子科學學院院袁龍飛博士指導本科生夏永國、左蝶等人關于介電陶瓷材料NECCTO的科研成果在Journal of Materials Science: Materials in Electronics期刊發(fā)表。

具有高介電常數、低介電損耗的材料是推動5G技術發(fā)展的關鍵材料之一。該研究利用高溫固相反應方法制備了不同摻雜濃度的單相(Na1/2Eu1/2)xCa1-xCu3Ti4O12陶瓷，得到的(Na1/2Eu1/2)0.3Ca0.7Cu3Ti4O12陶瓷材料的介電常數高達25282，介電損耗為0.061（在室溫和10Hz下），具有良好的介電穩(wěn)定性。研究發(fā)現(xiàn)，隨著陶瓷中Na+和Eu3+離子濃度的增加，Na和Eu元素在陶瓷的晶界處積累，從而增加了晶界的絕緣性，有效地降低了陶瓷的介電損耗。同時，Cu+在高摻雜量的陶瓷可以影響陶瓷內部的極化機制，改善其介電性能。相關結果為無機介電陶瓷材料的設計和優(yōu)化提供了參考。

袁龍飛博士為論文第一作者和通訊作者。該研究得到貴州省教育廳、遵義師范學院學術新苗培育項目、遵義師范學院博士基金等項目的資助。論文DOI：10.1007/s10854-024-12485-9