No.1 案例背景 Case background 某產(chǎn)品測試過程中發(fā)生功能不良,初步分析不良是因為電阻阻值變大導(dǎo)致。 注:電阻阻值標(biāo)稱值為1KΩ,實際達(dá)到幾十或幾百KΩ。 No.2?分析過程 Analysis process 針對原始失效電阻的分析 電阻#1 電阻#2 01 ?34.22 KΩ 電阻#1 萬用表檢測 ?1.693KΩ 電阻#2 失效品金屬膜面均有損傷,且阻值均變大失效。 02 電阻#1 X-Ray檢測 電阻#2 失效品電阻膜中間位置有擴(kuò)散性損傷,其中電阻#1有明顯的燒損損傷特征,即中心擴(kuò)散,類似圓形區(qū)域。 03 電阻#2 切片分析 通過對電阻#2進(jìn)行切片斷面分析,發(fā)現(xiàn)在電阻膜中間位置有明顯的缺損損傷,其他位置電阻膜狀態(tài)良好。 04 電阻#1 開封分析 通過對電阻#1進(jìn)行開封分析,發(fā)現(xiàn)電阻膜層有明顯的燒損狀態(tài)。 針對失效復(fù)現(xiàn)電阻的分析?? 電阻#3 電阻#4 01 電壓階躍性測試 通過電阻失效復(fù)現(xiàn),存在電阻EOS擊穿的可能性。當(dāng)有過電流作用于電阻時,驗證出電阻阻值變大失效現(xiàn)象。 02 X-Ray檢測 復(fù)現(xiàn)驗證發(fā)現(xiàn),復(fù)現(xiàn)品與原始失效樣品相比,外觀及X-Ray檢測的結(jié)果基本一致,均在電阻膜位置發(fā)生了部分缺損。 03 電阻#3 切片分析 電阻#3失效點(diǎn)狀態(tài)VS電阻#1失效點(diǎn)狀態(tài) 對復(fù)現(xiàn)品進(jìn)行切片分析,其損傷狀態(tài)與電阻#2切片狀態(tài)一致,損傷界面特征相同。 04 電阻#4 開封分析 對電阻#4進(jìn)行開封分析,電阻膜層有明顯的燒損狀態(tài)。 No.3分析結(jié)果 Analysis results 綜合以上分析,推斷電阻阻值變大失效的原因: 在產(chǎn)品測試過程中,電阻受到EOS沖擊,過流的可能性較大,電阻膜燒損導(dǎo)致失效。 不良解析 1.通過X-Ray及開封分析,可以看到電阻膜層有明顯的燒損,其特征呈現(xiàn)部分燒斷、中心擴(kuò)散的特點(diǎn)。 2.通過失效電阻的切片斷面分析,電阻膜失效點(diǎn)的金屬膜完全損傷,呈斷開狀態(tài)。 如下圖所示: 3.通過電阻EOS的失效驗證,驗證復(fù)現(xiàn)失效品,電阻阻值變大。通過X-RAY分析,其電阻膜損傷狀態(tài)與失效原始樣品一致。分別對其進(jìn)行的切片及開封分析,失效特征與原始失效樣品基本一致。
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