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No.1 案例背景

Case background

某產(chǎn)品測試過程中發(fā)生功能不良,初步分析不良是因為電阻阻值變大導(dǎo)致。

注:電阻阻值標(biāo)稱值為1KΩ,實際達(dá)到幾十或幾百KΩ。

No.2?分析過程

Analysis process

針對原始失效電阻的分析

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電阻#1

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電阻#2

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?34.22 KΩ 電阻#1

萬用表檢測

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?1.693KΩ 電阻#2

失效品金屬膜面均有損傷,且阻值均變大失效。

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電阻#1

X-Ray檢測

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電阻#2

失效品電阻膜中間位置有擴(kuò)散性損傷,其中電阻#1有明顯的燒損損傷特征,即中心擴(kuò)散,類似圓形區(qū)域。

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電阻#2 切片分析

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通過對電阻#2進(jìn)行切片斷面分析,發(fā)現(xiàn)在電阻膜中間位置有明顯的缺損損傷,其他位置電阻膜狀態(tài)良好。

04

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電阻#1 開封分析

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通過對電阻#1進(jìn)行開封分析,發(fā)現(xiàn)電阻膜層有明顯的燒損狀態(tài)。

針對失效復(fù)現(xiàn)電阻的分析??

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電阻#3

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電阻#4

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電壓階躍性測試

通過電阻失效復(fù)現(xiàn),存在電阻EOS擊穿的可能性。當(dāng)有過電流作用于電阻時,驗證出電阻阻值變大失效現(xiàn)象。

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X-Ray檢測

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復(fù)現(xiàn)驗證發(fā)現(xiàn),復(fù)現(xiàn)品與原始失效樣品相比,外觀及X-Ray檢測的結(jié)果基本一致,均在電阻膜位置發(fā)生了部分缺損。

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電阻#3 切片分析

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電阻#3失效點(diǎn)狀態(tài)VS電阻#1失效點(diǎn)狀態(tài)

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對復(fù)現(xiàn)品進(jìn)行切片分析,其損傷狀態(tài)與電阻#2切片狀態(tài)一致,損傷界面特征相同。

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電阻#4 開封分析

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對電阻#4進(jìn)行開封分析,電阻膜層有明顯的燒損狀態(tài)。

No.3分析結(jié)果

Analysis results

綜合以上分析,推斷電阻阻值變大失效的原因:

在產(chǎn)品測試過程中,電阻受到EOS沖擊,過流的可能性較大,電阻膜燒損導(dǎo)致失效。

不良解析

1.通過X-Ray及開封分析,可以看到電阻膜層有明顯的燒損,其特征呈現(xiàn)部分燒斷、中心擴(kuò)散的特點(diǎn)。

2.通過失效電阻的切片斷面分析,電阻膜失效點(diǎn)的金屬膜完全損傷,呈斷開狀態(tài)。

如下圖所示:

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3.通過電阻EOS的失效驗證,驗證復(fù)現(xiàn)失效品,電阻阻值變大。通過X-RAY分析,其電阻膜損傷狀態(tài)與失效原始樣品一致。分別對其進(jìn)行的切片及開封分析,失效特征與原始失效樣品基本一致。

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