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電子信息產(chǎn)業(yè)技術不斷發(fā)展,從2G到5G,通訊技術向著高頻化發(fā)展,通訊設備的傳輸頻率迅速往上提升,高頻高Q值的片式多層陶瓷電容器(MLCC)的市場需求量逐年增加。銅內(nèi)電極MLCC由于采用高電導率的銅作為內(nèi)電極材料,大幅降低了其等效串聯(lián)電阻(ESR),具有高Q值和優(yōu)異的高頻特性,因而特別適用于各種無線通信設備、智能手機和醫(yī)療電子等領域的射頻微波電路中。艾邦建有MLCC產(chǎn)業(yè)交流群,掃描下方二維碼即可加入,與業(yè)內(nèi)人士一起交流:

銅內(nèi)電極MLCC,高頻通信的優(yōu)選方案

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01

MLCC內(nèi)電極及其要求

MLCC是由印好電極(內(nèi)電極)的陶瓷介質(zhì)膜片以交錯的方式疊合起來,經(jīng)過高溫燒結(jié)形成陶瓷塊體,再在陶瓷塊的兩端封上金屬層(外電極)而形成的。

銅內(nèi)電極MLCC,高頻通信的優(yōu)選方案

圖 MLCC的基本結(jié)構(gòu)示意圖

MLCC的結(jié)構(gòu)主要包括陶瓷介質(zhì),金屬內(nèi)電極,金屬外電極三大部分,其中,內(nèi)部電極存在于每層陶瓷介質(zhì)之間,是電容器的重要組成部分。內(nèi)電極主要是用來貯存電荷,其有效面積的大小和電極層數(shù)的連續(xù)性是影響電容質(zhì)量的兩大因素。

表 各類電極材料的物理特性

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MLCC要求內(nèi)電極與介質(zhì)一次共同燒成。在燒成溫度下,要求內(nèi)電極不熔化,不與介質(zhì)發(fā)生反應,且保證良好的導電性。內(nèi)電極材料關系到薄層化、小型化,且與MLCC的成本密切相關,以賤金屬鎳(Ni)或銅(Cu)替代含鈀(Pd)的貴金屬內(nèi)電極來縮減高性能MLCC的生產(chǎn)成本成為發(fā)展陶瓷電容器技術的主要趨勢之一。賤金屬MLCC目前一般采用鎳內(nèi)電極,銅端電極。而隨著一些低溫瓷體的開發(fā)應用,可采用銅作為內(nèi)電極,銅金屬導電性好,可應用于射頻高Q電容。
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02

銅作為MLCC內(nèi)電極的優(yōu)點

相較與其它金屬材料,銅的來源較為廣泛,開采技術成熟,成本較低,且有著極低的體電導率。同時銅電子漿料具有導電性優(yōu)良、焊接性能好、分辨率高、附著力強等優(yōu)點,非常適合代替目前主流的貴金屬金屬漿料。以銅作為MCC的內(nèi)電極具有許多優(yōu)點:

(1)銅電極的成本較低。僅為Ag/Pd電極成本的10%,因此使用銅作為內(nèi)電極將大大降低成本。

(2)銅的電遷移速度小于Pd/Ag和Ag的速度,具有良好的電化學穩(wěn)定性,有利于提高MLCC的穩(wěn)定性。

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圖 不同電極材料的電遷移速度

(3)銅的電阻率為1.7μΩ·cm,與Ag的電阻率較為接近,是Ni的1/4,Pt的1/6,可降低MLCC的串聯(lián)電阻,能有效地提高其阻抗頻率。

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圖 不同類型導電漿料的方阻值

(4)銅在高頻下的穩(wěn)定性比Au、Ag的要好,與大多焊料相容。

銅具有電阻率小,與基片附著力強,可焊性好,比金更為優(yōu)良的高頻特性和導電性,而且也沒有銀離子遷移的缺陷,還具有價格低廉等優(yōu)點。采用金屬銅(Cu)作為內(nèi)電極材料不但可以降低生產(chǎn)成本,而且還可以提高MLCC的電學品質(zhì)因素。

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03

銅作為MLCC內(nèi)電極的難點

由于銅的熔點較低并且容易氧化,銅內(nèi)電極MLCC的制造難度較大,對銅內(nèi)電極材料、介質(zhì)陶瓷材料、端電極材料、內(nèi)電極電路設計和介電陶瓷共燒技術的要求都較高。銅內(nèi)電極MLCC在燒結(jié)過程中是一個介質(zhì)與銅電極共燒的過程,銅內(nèi)電極漿料與瓷粉的燒成收縮匹配性直接影響產(chǎn)品的內(nèi)應力大小,銅漿與瓷粉燒成收縮一致性不好,產(chǎn)品容易爆瓷。

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圖 銅內(nèi)電極制程的高Q、低ESR MLCC的關鍵技術

由于銅的熔點為1083℃,使得與之匹配的瓷料其燒結(jié)溫度需降至1080℃以下,,而目前通用瓷料的燒結(jié)溫度很高,與銅電極難以匹配,從而影響MLCC的電性能,這就需要研究介質(zhì)材料的低溫燒結(jié)技術。降低介質(zhì)材料的燒結(jié)溫度可以從兩個方面考慮:從材料本身出發(fā)選擇低燒結(jié)溫度材料或提高粉體材料的表面活性、添加燒結(jié)助劑。此外,銅電極在含氧的氣氛中容易被氧化,銅內(nèi)電極的MLCC需在中性或者還原氣氛中進行,要求介質(zhì)材料要具有良好的抗還原性能來保證其介電性能的穩(wěn)定性。

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圖 高頻電容采用銅內(nèi)電極,來源:國巨

8月27日,艾邦將于深圳舉辦MLCC產(chǎn)業(yè)論壇,屆時贛州中傲新瓷 研發(fā)總監(jiān) 繆錫根先生將做《COG型MLCC用可低溫共燒的陶瓷-玻璃復合粉體研究》主題報告分享,歡迎各位行業(yè)朋友蒞臨參觀交流,演講&贊助請聯(lián)系李小姐:18124643204。

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04

銅內(nèi)電極MLCC的高頻優(yōu)勢

理想狀況下,電路上不存在電容器內(nèi)部的能量消耗,其阻抗會隨著頻率增加而減少,但在實際的電容器內(nèi)部會有ESL(等效串聯(lián)電感)與ESR(等效串聯(lián)電阻),當頻率與阻抗曲線在超過自諧振頻率點(F0)之后,其阻抗反而會因ESL的效應而導致頻率愈高,阻抗愈大。因此,阻抗-頻率特性呈V字型(或U字型)曲線,與V字曲線的底部相對應的頻率叫做自諧振頻率(SRF),在該頻率以下都作為電容器發(fā)揮作用,在此以上的頻率范圍內(nèi)則作為電感器發(fā)揮作用。

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圖 ?MLCC的等效電路和自諧振頻率,來源:TDK

由于高頻訊號傳輸上,對于訊號的質(zhì)量要求相當高,高頻通訊用射頻MLCC需具備低等效串聯(lián)電阻 (low ESR,即低耗能) 及優(yōu)越的高頻率特性 (高Q,即高訊號質(zhì)量)。當MLCC的ESR與ESL越低,將會越接近純電容的特性,其自諧振頻率會往越高頻率移動,更適合在高頻方面應用。

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在早期的MLCC生產(chǎn)中,只有貴金屬Pt、Au、Pd或它們的合金才滿足制造內(nèi)電極的要求,但這類內(nèi)電極的成本很高。隨著MLCC疊層數(shù)增加,內(nèi)電極消耗量劇增,以及Pd價格上漲,為降低成本,可以①使用賤金屬內(nèi)電極(如鎳、銅),②使用鈀/銀合金通常為Pb30/Ag70)或純銀電極。鈀/銀合金藉由銀的優(yōu)異導電性與比重增加、降低鈀的比重,可以改善ESR水平。但要再進一步降低ESR,除非采用純銅或純銀內(nèi)電極。

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圖 ESR與內(nèi)電極材料的演進趨勢,來源:華新科

鎳的電阻較銀與銅大,使用鎳作為內(nèi)電極,在高頻電路中電極的阻值過大則會導致有功功率會增大,Q值(品質(zhì)因數(shù))會降低。純度接近100%的銀內(nèi)電極導電性雖然極為優(yōu)越, 卻會有銀離子遷移的問題,導致產(chǎn)品可靠度與質(zhì)量的問題。而純銅的材料特性有著與純銀極為接近的導電性與頻率特性、卻無離子遷移、導致可靠度不佳的問題。使用銅取代鎳作為MLCC的內(nèi)電極,不僅可以降低MLCC的制造成本,而且在高頻領域,銅電極在Q值和ESR值方面具有更優(yōu)的表現(xiàn)。

參考資料:
1.《高Q值銅內(nèi)電極MLCC燒結(jié)工藝研究》,胡霞,曾雨;
2.《銅內(nèi)電極MLCC爆瓷問題的研究》,馮小玲,等;
3.《低溫共燒陶瓷用賤金屬內(nèi)電極漿料的制備、結(jié)構(gòu)與性能研究》,招明睿;
4.《高頻銅內(nèi)電極片式陶瓷電容用(Sr,Ca)(Zr,Ti)O3材料的研究》,林道譚;

5.《多層陶瓷電容器內(nèi)電極用銅粉液相制備技術》,朱琳,

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推薦活動:【邀請函】第三屆高端片式多層陶瓷電容器(MLCC)產(chǎn)業(yè)論壇(深圳 8月27日)
第三屆高端片式多層陶瓷電容器(MLCC)產(chǎn)業(yè)論壇
8月27日
深圳·沙井維納斯皇家會議酒店
地址:深圳市寶安區(qū)沙井路118號
一、暫定議題

序號

暫定議題

邀請單位

1

MLCC 端電極低溫燒結(jié)技術

風華高科 研究院院長 曹秀華

2

MLCC行業(yè)現(xiàn)狀及技術發(fā)展趨勢

三環(huán)集團 電子元件事業(yè)部副總經(jīng)理 孫鵬

3

多層瓷介電容器端電極制備工藝研究 宏科電子

4

人工智能加速高性能介電材料研發(fā) 佛山(華南)新材料研究院 戚俊磊 博士

5

MLCC納米無機粉體漿料分散劑解決方案

嘉智信諾

6

MLCC超薄瓷片制備技術

金岷江

7

COG型MLCC用可低溫共燒的陶瓷-玻璃復合粉體研究

贛州中傲新瓷 研發(fā)總監(jiān) 繆錫根

8

MLCC電極用超細金屬粉體的研發(fā)與改性

712所?主任 陳大鵬

9

基于缺陷工程的BaTiO3基MLCC可靠性研究

深圳先進電子材料國際創(chuàng)新研究院 副研究員? 張蕾

10

高容量、超微型MLCC的關鍵技術研究

擬邀請MLCC企業(yè)/高校研究所

11

MLCC用內(nèi)/外電極漿料成分及性能研究

擬邀請漿料企業(yè)/高校研究所

12

稀土元素摻雜對鈦酸鋇陶瓷介電性能的影響研究

擬邀請材料企業(yè)/高校研究所

13

柔性端子MLCC的設計與軟端材料優(yōu)化

擬邀請MLCC企業(yè)/高校研究所

14

MLCC用高純納米電子級二氧化鈦制備關鍵技術研發(fā)

擬邀請材料企業(yè)/高校研究所

15

MLCC高端關鍵生產(chǎn)裝備解決方案

擬邀請設備企業(yè)

16

MLCC精密疊層工藝技術研究

擬邀請疊層設備/高校研究所

17

MLCC用高速外觀檢測自動分選裝置

擬邀請檢測設備企業(yè)/高校研究所

18

MLCC性能測試與可靠性評估

擬邀請檢測企業(yè)/高校研究所

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二、報名方式
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作者 gan, lanjie

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