陶瓷金屬化和半導(dǎo)體封裝基板領(lǐng)域, 產(chǎn)品能夠滿足半導(dǎo)體制冷器，激光器熱沉、聲光氣傳感器載板、光通訊芯片等實(shí)現(xiàn)性能提升、極端環(huán)境和壽命提高的嚴(yán)格需求,廣泛應(yīng)用于工業(yè)級(jí)、消費(fèi)級(jí)各種高功率的芯片封裝場(chǎng)景。

（1）微觀-宏觀耦合模型：傳統(tǒng)的界面?zhèn)鳠釞C(jī)理研究主要集中在宏觀層面，忽視了材料微觀結(jié)構(gòu)對(duì)傳熱性能的影響。創(chuàng)新之處在于建立微觀-宏觀耦合模型，充分考慮材料結(jié)構(gòu)的微觀細(xì)節(jié)，以更真實(shí)地反映界面處傳熱機(jī)理。

（2）熱力學(xué)與熱傳導(dǎo)的結(jié)合：研究通過(guò)將熱力學(xué)性質(zhì)與熱傳導(dǎo)機(jī)理相結(jié)合，深入探討了熱力學(xué)背景下的熱傳導(dǎo)過(guò)程。這種多尺度的綜合模型有助于理解材料內(nèi)部能量傳遞的機(jī)制，為性能優(yōu)化提供更準(zhǔn)確的理論基礎(chǔ)。

（3）金屬化膜層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)：傳統(tǒng)封裝器件對(duì)溫度變化的響應(yīng)相對(duì)較緩慢，而采用獨(dú)特的金屬化膜層設(shè)計(jì)思路，引入新型的組分和結(jié)構(gòu)，以創(chuàng)造出具有卓越性能的陶瓷基封裝器件。例如，通過(guò)摻雜、合金化、納米結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等手段，實(shí)現(xiàn)金屬化膜層性能的精準(zhǔn)調(diào)控，以適應(yīng)在不同工作狀態(tài)下散熱效果，提高封裝器件的傳熱效率。

（4）散熱與電性能的協(xié)同優(yōu)化：創(chuàng)新之處在于將散熱系統(tǒng)與電性能協(xié)同優(yōu)化，避免了傳統(tǒng)上散熱與電性能之間的矛盾。通過(guò)新型金屬化膜層結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)在保持電性能的同時(shí)，最大化傳熱性能，為高功率電子器件提供更穩(wěn)定的工作環(huán)境。

（5）創(chuàng)新之處在于引入新的界面改善方法，例如納米粉末超聲技術(shù)、ALD覆蓋技術(shù)等技術(shù)，對(duì)陶瓷基底的表面微觀形貌和晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行改善，有利于提升陶瓷基底-金屬層界面的結(jié)合力，從而提升陶瓷基封裝器件的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能。