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隨著電子設(shè)備功耗越來(lái)越高、小型化集成化更為突出和頻率越來(lái)越高,要求封裝產(chǎn)品更高的散熱效果、更為密集的布線(xiàn)電路、更低的損耗,因此在封裝材料以及制作工藝方面需要不斷的創(chuàng)新。艾邦建有陶瓷封裝全產(chǎn)業(yè)鏈微信群,歡迎陶瓷封裝產(chǎn)業(yè)鏈上下游加入,請(qǐng)您識(shí)別二維碼加入。
厚膜工藝+薄膜工藝,高精度HTCC薄厚膜基板了解一下
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1.厚膜工藝和薄膜工藝各有千秋

在電子封裝領(lǐng)域,陶瓷厚膜產(chǎn)品與薄膜產(chǎn)品由于其各自的特點(diǎn)都有較為廣泛的應(yīng)用。
●?陶瓷厚膜工藝的優(yōu)勢(shì)是多層布線(xiàn)容易,能夠很好地實(shí)現(xiàn)三維互聯(lián),但是其金屬化由于絲網(wǎng)印刷工藝的限制平整度較差,微波傳輸損耗較大,線(xiàn)寬與線(xiàn)間距很難突破30μm。
●?陶瓷薄膜工藝則很容易實(shí)現(xiàn) 20μm 線(xiàn)寬線(xiàn)間距,滿(mǎn)足高密度布線(xiàn),并且金屬化平整度較高,微波傳輸損耗小,其缺點(diǎn)是布線(xiàn)層數(shù)限制難以突破,多層布線(xiàn)難度相對(duì)較大。

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圖 陶瓷薄膜電路板,來(lái)源:SemiGen
受到加工方式的限制,多層共燒陶瓷(HTCC/LTCC)在高可靠系統(tǒng)級(jí)封裝領(lǐng)域中存在平面度較大(>30μm)、最小線(xiàn)寬較大(>50μm)等問(wèn)題。這些問(wèn)題會(huì)導(dǎo)致陶瓷基板與芯片無(wú)法高可靠連接、封裝密度難以進(jìn)一步提升,直接限制了陶瓷基板向更高密度封裝領(lǐng)域發(fā)展。與厚膜陶瓷加工工藝不同,薄膜工藝主要采用光刻、刻蝕、沉積等方式進(jìn)行,具有無(wú)收縮、可制作納米級(jí)精細(xì)線(xiàn)條、沉積方式選擇多等優(yōu)勢(shì)。若將半導(dǎo)體制造工藝與多層共燒陶瓷技術(shù)相結(jié)合,有望獲得性能更好的產(chǎn)品以滿(mǎn)足未來(lái)高密度集成電路封裝需求。

2.多層共燒陶瓷薄厚膜基板制作工藝流程

HTCC薄厚膜基板結(jié)構(gòu)一般由 HTCC與 HTCC表面薄膜金屬化布線(xiàn)兩部分組成,結(jié)構(gòu)中心為 HTCC,上下表面為薄膜金屬化布線(xiàn)。

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圖? HTCC薄厚膜基板示意圖
首先通過(guò)HTCC工藝進(jìn)行陶瓷多層基板的加工,包括通孔制作和內(nèi)部線(xiàn)路制作,再通過(guò)研磨、拋光等處理,獲得平整、光潔的陶瓷基板,使表面粗糙度達(dá)到薄膜電路制作的要求,再利用薄膜工藝分別對(duì) HTCC基板正背面進(jìn)行精細(xì)線(xiàn)條制作。
①HTCC工藝流程
采用氧化鋁/氮化鋁生瓷帶和厚膜金屬漿料作為主要原材料,通過(guò)絲網(wǎng)印刷的方式將金屬漿料印刷在生瓷帶上構(gòu)成金屬電路,并采用通孔填孔的方式使上下層導(dǎo)通,再進(jìn)行多片疊層,最后經(jīng)過(guò)高溫?zé)Y(jié)(溫度在1800℃以上)、表面處理,形成一個(gè)三維布線(xiàn)系統(tǒng)的單片結(jié)構(gòu)(HTCC基板)。

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圖 典型的多層陶瓷基板制造過(guò)程
②薄膜工藝流程
薄膜工藝流程包括清洗磨拋后的 HTCC基板,進(jìn)行烘干,利用磁控濺射在陶瓷基板表面沉積一層金屬種子層,并在其表面利用光刻膠進(jìn)行圖形化制作,將需要電鍍的區(qū)域裸露出來(lái);光刻膠圖形化后,利用電鍍工藝進(jìn)行金屬層增厚;電鍍完成后去除光刻膠,利用刻蝕劑將沉積的種子層去除即可完成單面金屬化制作。之后將制作完成的表面進(jìn)行保護(hù),利用相同的工藝進(jìn)行另一表面圖形化制作。

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圖 HTCC表面薄膜金屬化制備工藝流程
在制造過(guò)程中,最為重要的環(huán)節(jié)是 HTCC與金屬化薄膜的結(jié)合。因此,HTCC基板的表面處理與表面薄膜金屬化的制作尤為重要。HTCC的表面處理決定了 HTCC表面特性是否滿(mǎn)足后續(xù)薄膜金屬化工藝條件,薄膜金屬化工藝則決定了薄厚膜 HTCC陶瓷基板精細(xì)布線(xiàn)能力及薄膜與 HTCC的結(jié)合力。

3.多層共燒陶瓷薄厚膜基板的應(yīng)用

多層共燒陶瓷薄厚膜電路基板是一種理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料,具有結(jié)構(gòu)強(qiáng)度高、耐高溫、導(dǎo)熱性能好、布線(xiàn)密度高、物理化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn),可應(yīng)用于光通信800G高速光模塊、微波射頻、功率器件、T/R組件等領(lǐng)域。
資料來(lái)源:
1.多通孔高精度薄厚膜AlN基片制造技術(shù),楊春燕,等.
2.多層薄厚膜 HTCC 微系統(tǒng)封裝基板的制備技術(shù)研究,于斐,等.
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推薦活動(dòng):【邀請(qǐng)函】第二屆陶瓷封裝產(chǎn)業(yè)論壇(11月22日·石家莊)
第二屆陶瓷封裝產(chǎn)業(yè)論壇
The 2nd Ceramic Packages Industry Forum
2024年11月22日

河北·石家莊

一、會(huì)議議題 

序號(hào)

暫定議題

擬邀請(qǐng)

1

集成電路陶瓷封裝的發(fā)展概況

擬邀請(qǐng)?zhí)沾煞庋b廠(chǎng)商/高校研究所

2

光通信技術(shù)的發(fā)展及陶瓷封裝外殼的應(yīng)用趨勢(shì)

擬邀請(qǐng)光通信企業(yè)/封裝廠(chǎng)商/高校研究所

3

電子封裝陶瓷的研究進(jìn)展

擬邀請(qǐng)?zhí)沾煞庋b廠(chǎng)商/高校研究所

4

陶瓷封裝技術(shù)在傳感器領(lǐng)域的應(yīng)用

擬邀請(qǐng)?zhí)沾煞庋b廠(chǎng)商/高校研究所

5

基于DPC的3D成型陶瓷封裝技術(shù)

擬邀請(qǐng)?zhí)沾煞庋b廠(chǎng)商/高校研究所

6

集成電路陶瓷封裝外殼仿真設(shè)計(jì)

擬邀請(qǐng)?zhí)沾煞庋b廠(chǎng)商/高校研究所

7

系統(tǒng)級(jí)封裝用陶瓷材料研究進(jìn)展和發(fā)展趨勢(shì)

擬邀請(qǐng)?zhí)沾煞庋b廠(chǎng)商/高校研究所

8

基于3D-SiP集成技術(shù)的新型微波模塊

擬邀請(qǐng)?zhí)沾煞庋b廠(chǎng)商/高校研究所

9

陶瓷封裝結(jié)構(gòu)優(yōu)化及可靠性分析

擬邀請(qǐng)?zhí)沾煞庋b廠(chǎng)商/高校研究所

10

低溫玻璃-陶瓷封裝技術(shù)的研究進(jìn)展

擬邀請(qǐng)?zhí)沾煞庋b廠(chǎng)商/高校研究所

11

低溫共燒陶瓷基板及其封裝應(yīng)用

擬邀請(qǐng)?zhí)沾煞庋b廠(chǎng)商/高校研究所

12

微電子陶瓷封裝的金屬化技術(shù)

擬邀請(qǐng)?zhí)沾煞庋b廠(chǎng)商/高校研究所

13

高溫共燒陶瓷金屬化膜厚影響因素分析

擬邀請(qǐng)?zhí)沾煞庋b廠(chǎng)商/高校研究所

14

銅漿在多層陶瓷封裝外殼制備技術(shù)中的應(yīng)用

擬邀請(qǐng)?zhí)沾煞庋b/漿料廠(chǎng)商/高校研究所

15

電子陶瓷封裝用玻璃粉的開(kāi)發(fā)

擬邀請(qǐng)?zhí)沾煞庋b/玻璃粉廠(chǎng)商/高校研究所

16

金屬陶瓷膠黏劑封裝工藝及可靠性研究

擬邀請(qǐng)?zhí)沾煞庋b/材料廠(chǎng)商/高校研究所

17

陶瓷封裝外殼釬焊工藝研究

擬邀請(qǐng)釬焊設(shè)備企業(yè)/高校研究所

18

高密度陶瓷封裝外殼散熱問(wèn)題探討

擬邀請(qǐng)?zhí)沾煞庋b/材料廠(chǎng)商/高校研究所

19

陶瓷封裝平行縫焊工藝與技術(shù)

擬邀請(qǐng)?zhí)沾煞庋b/設(shè)備廠(chǎng)商/高校研究所

20

陶瓷封裝缺陷自動(dòng)檢測(cè)技術(shù)

擬邀請(qǐng)檢測(cè)方案商

21

傳感器技術(shù)的發(fā)展及陶瓷封裝的應(yīng)用趨勢(shì)

擬邀請(qǐng)傳感器/封裝廠(chǎng)商/高校院所

22

紅外探測(cè)器技術(shù)的發(fā)展及陶瓷封裝的應(yīng)用趨勢(shì)

擬邀請(qǐng)?zhí)綔y(cè)器/封裝廠(chǎng)商/高校院所

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作者 gan, lanjie

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