近日，金冠電氣(688517.SH)在投資者互動平臺表示，陶瓷基板和覆銅陶瓷基板產品主要應用于新能源、電動機車用的IGBT等大功率半導體芯片的封裝。其核心產品避雷器的關鍵元器件電阻片采用先進的電子陶瓷工藝制造，性能卓越，具備低殘壓、高能量吸收以及優異的老化性能等特點，在此基礎上，公司進一步研發泛半導體領域的先進陶瓷。
據金冠電氣2024年半年報資料，金冠電氣常規導熱的氮化鋁和氮化硅基板實驗室研發已經完成，高導熱的氮化鋁陶瓷基板粉料選型、有機體系以及流延工藝開發完成；硅粉氮化工藝制備低成本氮化硅陶瓷基板已完成流延坯體的開發，下一步將重點研究反應燒結工藝。直接鍵合 DBC 覆銅基板和活性金屬釬焊 AMB 覆銅基板后道蝕刻、化學鍍、激光切割等工藝已打通，目前正在進行可靠性測試。
此外，在研項目碳化硅和氮化硅等陶瓷部件研發，目前原材料和設備采購以及工藝方案的制定初步完成，計劃重點研究反應燒結和無壓燒結工藝。目標是搭建實驗線，打通實驗工藝，找到適合的陶瓷部件產品并研發成功，綜合性能達到國內一般水平，主要應用于半導體設備上用的陶瓷部件，如靜電吸盤、真空吸盤、晶圓加熱盤、基座、腔室、機械臂、機械密封等。
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