相比傳統(tǒng)FR4基板，氮化物陶瓷基板具有優(yōu)異的性能，特別適用于高功率和高頻設(shè)備。它們具有較低的熱膨脹系數(shù)和更強(qiáng)的機(jī)械強(qiáng)度，避免翹曲，且導(dǎo)熱性遠(yuǎn)超F(xiàn)R4基板，有效散熱延長設(shè)備壽命。同時，氮化物陶瓷基板還具有出色的絕緣性和高載流能力，能夠在高溫、高壓和高濕度環(huán)境下穩(wěn)定工作，適合大功率電氣設(shè)備。此外，低介電常數(shù)使其在射頻和微波領(lǐng)域具有良好的高頻性能。固家智能可根據(jù)客戶需求提供定制化的散熱解決方案，確保設(shè)備性能的最佳匹配。

通過加大對氮化硅/氮化鋁技術(shù)的研發(fā)投入，固家智能不僅提升了核心技術(shù)水平，也進(jìn)一步鞏固了其在高端散熱技術(shù)市場的領(lǐng)先地位。隨著氮化硅項(xiàng)目的持續(xù)推進(jìn)，固家智能必將成為全球領(lǐng)先的芯片散熱技術(shù)供應(yīng)商，為全球客戶提供更加高效、綠色的散熱方案。

氮化物陶瓷基板的應(yīng)用工藝可通過幾種不同的線路制作方法來區(qū)分，其中較為常見的有DBC和AMB兩種工藝。

1、DBC：

在銅和陶瓷之間引入適量的氧元素，在1065~1083℃范圍內(nèi)，銅金屬因高溫氧化、擴(kuò)散與陶瓷產(chǎn)生共晶熔體，使銅與陶瓷基板黏合；

2、AMB：

工藝技術(shù)是利用釬料中含有的少量活性元素Ti、Zr與陶瓷反應(yīng)生成能被液態(tài)釬料潤濕的反應(yīng)層，從而實(shí)現(xiàn)陶瓷與金屬接合的一種方法;

（氮化鋁/氮化硅）材料在芯片散熱領(lǐng)域的應(yīng)用，特別是在高功率激光器、激光泵浦源、IGBT模塊等關(guān)鍵領(lǐng)域，展示了其巨大的市場潛力。與傳統(tǒng)的96氧化鋁、ZTA相比，（氮化鋁/氮化硅）的理論熱導(dǎo)率可達(dá)300W/m·K以上，顯著提升了散熱效率，同時它對高溫和化學(xué)腐蝕的抵抗力使其在高溫環(huán)境下依然保持良好的性能。

通過（氮化鋁/氮化硅）材料，固家智能能為客戶提供更加穩(wěn)定、持久的散熱解決方案，不僅解決了功率密集型芯片散熱難題，也推動了整個行業(yè)在電力電子、激光設(shè)備、光通訊、能源等多個領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步。

氮化物瓷片項(xiàng)目建設(shè)規(guī)劃：

陶瓷-氮化物項(xiàng)目為江蘇固家智能科技有限公司二期建設(shè)的主體項(xiàng)目之一，緊鄰已建成的一期。氮化物瓷片項(xiàng)目用地25畝，新建廠房及附屬用房30,000平米，總投資約6,000萬元，其中設(shè)備投資4,000-,5000萬元（含各類設(shè)備100多臺套）項(xiàng)目建成后預(yù)計可年產(chǎn)200萬氮化硅片和150萬氮化鋁片，2025年2月底竣工投產(chǎn)。