隨著LED技術的快速發展，功率型LED在照明、顯示、汽車電子等領域的應用日益廣泛。然而，功率型LED在工作時會產生大量熱量，若散熱問題得不到有效解決，將直接影響其光效、壽命和可靠性。在LED散熱通道中，封裝基板是連接內外散熱通路的關鍵環節，需兼有散熱通道、電路連接和對芯片進行物理支撐的功能。而DPC基板（直接鍍銅陶瓷基板）憑借高導熱、高精度線路和優異平整度，完美適配功率型LED封裝需求。
一、DPC工藝流程
DPC 陶瓷基板制備工藝：首先利用激光在陶瓷基片上制備通孔 (孔徑一般為 60 μm ~ 120 μm)，隨后利用超聲波清洗陶瓷基片；采用磁控濺射技術在陶瓷基片表面 沉積金屬種子層 (Ti/Cu)，接著通過光刻、顯影完成線路層制作；采用電鍍填孔和增 厚金屬線路層，并通過表面處理提高基板可焊性與抗氧化性，最后去干膜、刻蝕種子 層完成基板制備。
DPC工藝流程圖
二、DPC工藝與功率型LED適配點
DPC基板具備線路精準度高、表面平整度高等特性以及與LED芯片材料相匹配的熱膨脹系數，因此成為功率型LED封裝的理想選擇。不僅能夠滿足小尺寸、高密度封裝的設計需求，還能在高功率、高溫環境下保持穩定性能，為功率型LED的高效散熱和長期可靠性提供了強有力的支持。因此，DPC適用于功率型LED覆晶/共晶工藝，以下是DPC工藝與功率LED的適配點：
圖 DPC基板用于LED封裝
1、線路精度高：
DPC陶瓷基板采用半導體微加工技術，陶瓷基板上金屬線路更加精細（線寬/線距低至30μm~50μm，與線路層厚度相關），因此DPC陶瓷基板非常適合功率型LED的應用需求 。
2、表面平整度高：
采用電鍍生長控制線路層厚度（一般為10μm~100μm），并通過研磨降低線路層表面粗糙度，滿足高溫、大電流器件封裝需求；
3、成本低：
低溫制備工藝（300℃以下）避免了高溫對基片材料和金屬線路層的不利影響，同時也降低了生產成本。
4、便于封裝:
采用激光打孔和電鍍填孔技術，實現了陶瓷基板上下表面垂直互連，可實現電子器件三維封裝與集成，降低器件體積；可有效滿足倒裝共晶、 COB (板上芯片封裝)、CSP (芯片尺寸封裝) 等技術白光 LED 封裝需求。
5、高導熱性
功率型LED在工作時會產生大量熱量，若散熱不良會導致光效下降、壽命縮短。DPC基板采用高導熱陶瓷材料（如Al?O?或AlN），導熱性能優異，能快速將熱量從LED芯片傳導至外部，確保LED穩定工作。
6、絕緣性好：
功率型LED工作電壓較高，要求基板具有良好的電氣絕緣性。DPC基板的陶瓷層絕緣性能優異，能夠有效防止漏電和短路。
7、熱膨脹系數小：
功率型LED在工作時會產生熱脹冷縮，若基板與芯片材料的熱膨脹系數不匹配，會導致熱應力問題。DPC基板的熱膨脹系數與LED芯片材料（如GaN、Si）接近，能夠減少熱應力，提高可靠性。
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