陶瓷金屬化深孔/通孔濺射鍍膜設備采用負載鎖定型濺射技術,射頻、直流、HiPIMS高功率脈沖磁控濺射、脈沖偏壓等模塊化組合,進出料室可使用五個基材托盤,自動升降傳輸基材,提高生產率,支持多個陰極同時濺射,鍍制多層膜,自動處理工藝并記錄數據。廣泛應用于電子元器件的研發和生產,在陶瓷、玻璃、金屬上鍍制金屬膜或電阻膜,實現深孔/通孔全覆蓋鍍膜,孔徑Φ20um,深徑比20:1。
設備特點
? 配置裝載室,支持多個陰極共濺射及多層膜濺射。
? 基材托盤定制化,自動升隆傳輸基材,提高生產率。
? 工藝室維持真空狀態,縮短生產周期,自動處理工藝并記錄數據。
? 鍍銅后產品具有低曲翹度,高均勻性,高平整度的特點。
? PVD鍍膜膜層穩定性強,具有高硬度、高磨性、高耐腐等特點。
? 先進封裝工藝:Ⅰ底部金屬化;Ⅱ重分布制程;Ⅲ鈦/銅種子層。
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關鍵應用技術
??高能離子源:有效清潔基材表面,增強膜層附著力。
? 高功率脈沖磁控濺射:提高等離子體能量密度和離化率,能有效讓等離子體進入深孔、溝槽等復雜結構,實現優異填孔沉積(高臺階覆蓋率),提高膜層致密性。
? 連續式生產線:提升產能,維持真空環境,提高涂層穩定性。
? 多種鍍膜方式:磁控濺射/射頻濺射等方式可選,適配多種材料。
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卓越金屬涂層性能
? 適用于陶瓷通孔/玻璃通孔/硅通孔內鍍膜,廣泛應用于電子元器件的研發和生產。
? 鍍微孔范圍:孔直徑20~100um,深度100~1000um。
? 高結合力與優異導電性,滿足各種高性能應用需求。
? 膜厚均勻性小于±3%,提高器件性能穩定性。