一、氧化鈹(BeO)
BeO晶體結(jié)構(gòu) 圖源自網(wǎng)絡(luò)
二、氧化鋁(Al2O3)
三、氮化鋁(AlN)
AlN粉體 圖源自網(wǎng)絡(luò)
AlN是一種具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的Ⅲ-Ⅴ族化合物，其單元晶胞為AlN4四面體，屬于六方晶系，具有很強(qiáng)的共價(jià)鍵，因而其機(jī)械性能優(yōu)良、抗彎強(qiáng)度較高。理論上其晶體密度為3.2611g/cm3，因而具有高導(dǎo)熱性能，純凈的AlN晶體室溫?zé)釋?dǎo)率高達(dá)320W/(m·k)，熱壓燒制的AlN基片熱導(dǎo)率可達(dá)150W/(m·K)，為Al2O3的5倍以上，熱膨脹系數(shù)為3.8×10－6～4.4×10－6/℃，與Si、SiC和GaAs等半導(dǎo)體芯片材料熱膨脹系數(shù)匹配良好。
四、氮化硅(Si3N4)
五、碳化硅(SiC)
單晶SiC以第三代半導(dǎo)體材料而被大家熟知，其具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高以及電子飽和速度高等優(yōu)點(diǎn)。
通過(guò)在SiC中添加少量的BeO和B2O3來(lái)增加其電阻率，再添加相應(yīng)的燒結(jié)助劑在1900℃以上的溫度中使用熱壓燒結(jié)，即可制備出致密度達(dá)98%以上的SiC陶瓷。采用不同的燒結(jié)方法、燒結(jié)助劑制備出的不同純度的SiC陶瓷，其室溫下熱導(dǎo)率為100～490W/(m·K)。由于SiC陶瓷的介電常數(shù)非常大，因而其只適合低頻應(yīng)用，并不適合高頻應(yīng)用。
參考文獻(xiàn)：
1、陸琪， 劉英坤， 喬志壯等. 陶瓷基板研究現(xiàn)狀及新進(jìn)展
2、劉雄章，郭冉，李青達(dá)等．高熱導(dǎo)率氮化硅散熱基板材料的研究進(jìn)展；
3、劉佳佳，劉英坤，譚永亮．SiC 電力電子器件研究現(xiàn)狀及新進(jìn)展
4、鄭銳， 席生岐， 周敬恩． AlN 低溫?zé)Y(jié)助劑的研究現(xiàn)狀
活動(dòng)推薦：
第二屆高端電子陶瓷MLCC、LTCC產(chǎn)業(yè)高峰論壇
2021年7月9日（周五）
深圳 觀瀾 格蘭云天酒店
時(shí)間 | 議題 | 演講單位 |
09:00-09:25 | 開(kāi)場(chǎng)介紹 | 艾邦智造 江耀貴 創(chuàng)始人 |
09:25-09:50 | 淺談MLCC未來(lái)發(fā)展趨勢(shì) | 宇陽(yáng)科技 陳永學(xué) 戰(zhàn)略總監(jiān) |
9:50-10:15 | MLCC高端關(guān)鍵生產(chǎn)裝備國(guó)產(chǎn)化解決方案 | 宏華電子 梁國(guó)衡 副總工程師 |
10:15-10:40 | 茶歇 | |
10:40-11:05 | 應(yīng)用于電子陶瓷領(lǐng)域的畢克產(chǎn)品介紹 | 畢克化學(xué) 王玉立 博士 |
11:05-11:30 | 淺談我國(guó)無(wú)源元器件的機(jī)遇與挑戰(zhàn) | 風(fēng)華高科 黃昆 LTCC事業(yè)部經(jīng)理/技術(shù)總監(jiān) |
11:30-11:55 | 微波毫米波無(wú)源集成關(guān)鍵材料與技術(shù) | 南方科技大學(xué)工學(xué)院黨委書(shū)記/副院長(zhǎng) 汪宏 教授 |
11:55-14:00 | 午餐 | |
14:00-14:25 | 封接玻璃作用機(jī)理及在電子元器件應(yīng)用研究進(jìn)展 | 華東理工大學(xué) 曾惠丹 教授/博導(dǎo) |
14:25-14:50 | LTCC高頻低介電常數(shù)陶瓷生料帶 | 上海晶材新材料 汪九山 總經(jīng)理 |
14:50-15:15 | 稀土在先進(jìn)電子陶瓷電容材料中的研究進(jìn)展 | 晶世新材料 程佳吉 教授 |
15:15-15:40 | 高性能電容器材料的應(yīng)用研究 | 上海硅酸鹽研究所 陳學(xué)鋒 研究員/博士 |
15:40-16:05 | 茶歇 | |
16:05-16:30 | MLCC產(chǎn)品失效分析和檢測(cè)手段 | 深圳納科科技 段建林 總經(jīng)理 |
16:30-16:55 | 物理氣相法制備MLCC內(nèi)外電極金屬粉體 | 江蘇博遷新材料 江益龍 總經(jīng)理 |
16:55-17:20 | 如何提升LTCC激光開(kāi)孔效果對(duì)后段工藝良率影響 | 東莞盛雄激光 王耀波 高級(jí)項(xiàng)目總監(jiān) |
17:20-17:45 | MLCC在5G基站的應(yīng)用及可靠性評(píng)估方法 | 中興 楊航 材料技術(shù)質(zhì)量高級(jí)工程師 |
17:45-20:00 | 晚宴 | |
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