電子封裝基板種類繁多，常用的基板主要分為塑料封裝基板、金屬封裝基板和陶瓷封裝基板。
陶瓷基板與塑料基板和金屬基板相比具有絕緣性能好、低介電系數，高頻性能、高導熱系數、氣密性好、化學性能穩定等特點，對微電子系統起到很好的保護作用。基于以上優勢，陶瓷基板在高可靠性、高頻、耐高溫、氣密性好的產品例如移動通信、計算機、家用電器、汽車電子上都可以找到它們的身影。尤目前，電子封裝主要的陶瓷基板材料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）、氧化鈹（BeO）等。
氧化鋁基板是目前使用量最大的基板。目前使用的Al2O3陶瓷基片主要是多層基板。Al2O3的加入提高了材料的電絕緣性能、熱導率和抗沖擊性能，但同時也會導致燒結溫度和生產成本的提高。所以為了降低Al2O3基板燒結溫度，一般加入一些燒結助劑，如Y2O3、B2O3、MgO等。
AlN氮化鋁陶瓷基片是一種新型的基片材料。近年來，AlN氮化鋁出色的導熱性，是新一代高集成度半導體基板和電子封裝材料的首要選擇。導熱有多好？AlN陶瓷基片熱導率可達150~230W/(m·K)，是Al2O3的8倍以上。目前，商業上一般都在170W/(m·K)以上。另外，AlN的熱膨脹系數為（3.8~4.4）×10-6/℃，與Si、SiC和GaAs等半導體芯片材料熱膨脹系數匹配良好。高成本是限制了AlN陶瓷廣泛應用重要因素，目前AlN陶瓷基片主要應用于高端產業。
Si3N4 氮化硅具有三種晶體結構，分別是α相、β相和γ相 ,其中α與β相是最常見形態。Si3N4具有硬度大、強度高、熱膨脹系數小、高溫蠕變小、抗氧化性好、熱腐蝕性能好、摩擦系數小等優良性能。在現有可作為基板材料使用的陶瓷材料中，Si3N4 陶瓷抗彎強度高 (大于 800 MPa)。但是，Si3N4陶瓷的介電性能較差，介電常數為8.3，介電損耗為0.001～0.1。目前的生產成本也較高。
SiC陶瓷具有較高的熱導率，在高溫下熱導率為100w/（m·k）～400W/（m·k），是Al2O3的13倍。抗氧化性能好，在1600℃的氧化氣氛中仍可使用；而且電絕緣性好，熱膨脹系數低于Al2O3和AlN。因其抗壓強度較低，一般僅適用于低密度封裝，而不適用于高密度封裝。除集成電路元件、陣列元件、激光二極管等外，還用于導電結構件。
BeO氧化鈹具有較高的熱導率，BeO氧化鋁約為10倍，其室溫下的熱導率可達250W/（m K），且導熱系數對金屬而言，且在高溫、高頻下，其電氣性能好，耐熱性好，耐沖擊性好，化學穩定性好。氧化鈹可以應用在大功率晶體管的散熱片、高頻大功率半導體器件的散熱片、發射管、行波管、激光管、速調管。由于 Al2O3 和 AlN 具有較好的綜合性能，且現在市場上早已達到了量產能力，所以影響市場相對較多；Si3N4 基板抗彎強度高的優點也被重視了起來，在下游應用在陶瓷封裝中的潛力不可小覷。原文始發于微信公眾號（艾邦陶瓷展）：陶瓷封裝基片材料一覽
