表面鈍化技術(shù)的優(yōu)化是高效晶硅電池提效的核心路徑。切割硅片過程中會發(fā)生硅片表面晶格的破壞。硅原子周期性排列的破壞導(dǎo)致懸掛鍵的存在，從而形成復(fù)合中心。鈍化即通過技術(shù)優(yōu)化將上述缺陷失去活性，達(dá)到 減少電荷載流子表面復(fù)合的目的。高效晶硅電池技術(shù)升級，包括 TOPCon、HJT 等電池工藝在內(nèi)，均是圍繞表 面鈍化技術(shù)展開。①BSF 電池升級為 PERC 電池即背面接觸升級為背面線接觸；
②PERC 電池升級為 TOPCon 電池即背面線接觸升級為背面無接觸；
③TOPCon 電池升級為 HJT 電池即背面無接觸升 級為雙面無接觸。
目前產(chǎn)業(yè)化（或未來有望產(chǎn)業(yè)化）的高效晶體硅太陽能電池在表面鈍化方面的技術(shù)特點(diǎn)分別為：①PERC（P 型）：發(fā)射極和背面鈍化電池，在常規(guī) BSF 電池基礎(chǔ)上加入背面鈍化層（氧化鋁）降低背表面 復(fù)合，通過激光開槽形成局部背電極。②TOPCon（N 型）：隧穿氧化層鈍化接觸電池，在 N 型硅片背面沉積一層極薄的氧化硅層，再沉積一層重 摻多晶硅薄膜，實(shí)現(xiàn)背面的隧穿鈍化提高開路電壓。③HJT（N 型）：在 N 型硅片基底基礎(chǔ)上采用非晶硅形成異質(zhì)結(jié)并作為鈍化層，異質(zhì)結(jié)開路電壓相對更高， 最外層制備透明導(dǎo)電氧化物層（TCO）。④TBC（N 型）：IBC（指交叉背接觸電池）的優(yōu)點(diǎn)為正面無柵線遮擋，電流有所提高。IBC 與 TOPCon 結(jié) 合，疊加鈍化接觸技術(shù)形成 TBC 電池。⑤HBC（N 型）：IBC（指交叉背接觸電池）的優(yōu)點(diǎn)為正面無柵線遮擋，電流有所提高。IBC 與 HJT 結(jié)合， 采用非晶硅鈍化層形成 HBC 電池。原文始發(fā)于微信公眾號（光伏產(chǎn)業(yè)通）：高效電池在表面鈍化方面的技術(shù)特點(diǎn)
