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DBC陶瓷基板為銅-陶瓷-銅組成的雙材料三層結(jié)合結(jié)構(gòu),在熱循環(huán)試驗(yàn)過程中,界面上的邊界條件為一側(cè)材料對(duì)另一側(cè)材料的變形約束,當(dāng)基板整體受到均勻的隨時(shí)間變化的溫度載荷時(shí),由于銅和陶瓷熱膨脹系數(shù)不匹配以及變形約束的存在而導(dǎo)致界面處出現(xiàn)應(yīng)力集中,尤其是在界面的幾何突變處(通常稱之為奇異點(diǎn))。界面上奇異點(diǎn)及其附近的應(yīng)力σ和位移u可描述為:

其中

  • r代表距離奇異點(diǎn)的距離:
  • λn表示第n個(gè)特征值,該特征值由奇異點(diǎn)附近的幾何形狀及材料性能所決定,λn越小,奇異性越強(qiáng);
  • kn為應(yīng)力強(qiáng)度因子;
  • f和F為角函數(shù);
  • N為奇異性個(gè)數(shù)。

從式(1)中可以看出,理想彈性條件下界面的奇異點(diǎn)處存在著非的應(yīng)力奇異性,即應(yīng)力趨于無窮大;裂紋通常萌生于奇異點(diǎn)。當(dāng)DBC陶瓷基板裂紋萌生后,熱循環(huán)載荷將驅(qū)動(dòng)裂紋進(jìn)一步擴(kuò)展。

DBC陶瓷基板失效過程包括裂紋萌生與裂紋擴(kuò)展兩個(gè)階段。

由于界面端的當(dāng)外部溫度載荷超過125℃時(shí),DBC陶瓷基板上的銅層將發(fā)生塑形變形,在熱循環(huán)過程中銅層的塑性變形累積較大,銅層-陶瓷層界面的幾何奇異處會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力集中;由于界面端處的應(yīng)力奇異性較弱,當(dāng)界面處出現(xiàn)應(yīng)力集中時(shí),結(jié)合材料的破壞將從應(yīng)力集中的位置開始,從而萌生裂紋。

由剝離強(qiáng)度測(cè)試可知DBC陶瓷基板界面結(jié)合力較強(qiáng),同時(shí)由于在制造過程中經(jīng)歷1066℃到室溫的較大溫差,基板中存在較大殘余應(yīng)為,這將導(dǎo)致裂紋萌生后偏離原裂紋方向而向陶瓷母材中擴(kuò)展,發(fā)生曲折破壞;

圖DBC基板熱循環(huán)試驗(yàn)中的常見失效模式

此外,陶瓷通過粉末燒結(jié)而成,通過試驗(yàn)檢測(cè)可知其中通常存在極微小的裂紋或空洞等固有缺陷,這些固有缺陷也會(huì)作為陶瓷母材的薄弱處而誘使裂紋朝缺陷方向擴(kuò)展。而后裂紋在擴(kuò)展一定長(zhǎng)度后沿平行于界面的方向繼續(xù)擴(kuò)展,最終導(dǎo)致基板完全斷裂。具體的失效橫式如上圖所示,即鋼層邊緣或幾何奇異處萌生裂紋,裂紋向陶瓷層中擴(kuò)展而最終導(dǎo)致陶瓷層斷裂。

DBC基板熱循環(huán)試驗(yàn)及失效試樣分析

1.DBC基板熱循環(huán)試驗(yàn)

由于DBC基板中銅層和陶瓷層材料的熱膨脹系數(shù)不匹配,且模塊在服役過程中進(jìn)行頻繁的開關(guān)而導(dǎo)致周期性的溫度變化,從而導(dǎo)致基板內(nèi)上下銅層與中間陶瓷層之間相互變形約束而導(dǎo)致熱應(yīng)力的產(chǎn)生,長(zhǎng)期工作條件下會(huì)進(jìn)一步導(dǎo)致陶瓷層斷裂、界面脫層等失效。為了加速失效,采用熱循環(huán)試驗(yàn)對(duì)該失效機(jī)理進(jìn)行分析。

將該樣品放入熱循環(huán)試驗(yàn)箱中。根據(jù)JESD22-A104D國際標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置熱循環(huán)可靠性試驗(yàn)曲線,熱循環(huán)溫度變化范圍為205℃(-55~150℃),由于熱循環(huán)試驗(yàn)主要考察的是材料本身性能對(duì)極端環(huán)境條件的響應(yīng),要求元件內(nèi)部濕度一致,排除溫度梯度對(duì)失效的影響(與熱沖擊試驗(yàn)區(qū)分開),因此要求升降溫速率不超過15℃/min。根據(jù)這一原則,本次試驗(yàn)中設(shè)定升降溫時(shí)間分別為20分鐘,高低溫保持時(shí)間各為15分鐘。試驗(yàn)箱內(nèi)設(shè)置熱電偶檢測(cè)實(shí)時(shí)試樣的實(shí)際溫度,溫度曲線如圖1所示,實(shí)測(cè)溫度基本與所設(shè)定的溫度相吻合。

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圖1?熱循環(huán)試驗(yàn)溫度曲線

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?同一批次取10塊帶有銅層線路設(shè)計(jì)的DBC基板為一個(gè)試驗(yàn)組,編號(hào)為1至10;前50次循環(huán)時(shí)每隔5次循環(huán)取出樣品并在金相顯微鏡下進(jìn)行目測(cè),未見任何失效;之后每隔1次循環(huán)取出樣品并進(jìn)行SAm測(cè)試,觀察銅層和陶瓷層直接是否出現(xiàn)脫層和裂紋。經(jīng)試驗(yàn)發(fā)現(xiàn),10個(gè)DBC基板樣品有8個(gè)在65-70次循環(huán)間出現(xiàn)裂紋,1個(gè)在62次循環(huán)時(shí)出現(xiàn)裂紋,另一個(gè)在75次循環(huán)式出現(xiàn)裂紋,統(tǒng)計(jì)結(jié)果如圖2所示,可見樣品的制造工藝一致性良好。

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圖2?DBC基板失效時(shí)熱循環(huán)次巧的試驗(yàn)統(tǒng)計(jì)

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??2.?失效分析


為了分析DBC基板界面脫層失效中裂紋的萌生及擴(kuò)展過程,為后期理論分析和數(shù)值分析建立試驗(yàn)基礎(chǔ)及提供試驗(yàn)驗(yàn)證,按照從無損的到破壞性的失效分析方法,首先采用SAM無損測(cè)試方法檢測(cè)裂紋萌生后隨著熱循環(huán)次數(shù)的增加DBC基板上銅層與陶瓷層界面裂紋的擴(kuò)展情況。SAM測(cè)試結(jié)果如圖3所示,分別為未進(jìn)行熱循環(huán)時(shí)(圖3(a))、裂紋開始萌生時(shí)(圖3(b))以及裂紋萌生后每隔10次循環(huán)的檢測(cè)圖片(圖3(c)-(f)。從圖3(a)-(f)中可以明顯發(fā)現(xiàn),約65次循環(huán)后DBC基板界面出現(xiàn)裂紋,且裂紋萌生位置均出現(xiàn)在銅層圖形的邊緣,增加熱循環(huán)次數(shù)后,脫層面積逐漸增大,直至陶瓷層和該塊銅層幾乎完全脫層。

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圖3?DBC基板熱循環(huán)過程中裂紋萌生及擴(kuò)展的SAM測(cè)試圖片

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?接下來進(jìn)行破壞性的失效分析。裂紋萌生后,每隔一次循環(huán)取DBC基板的失效樣品沿界面脫層位置縱向切開,采用金相顯微鏡觀察剖面裂紋,并對(duì)裂紋擴(kuò)展情況進(jìn)行定量測(cè)量;其中一塊樣品75次熱循環(huán)后的失效照片、面積最大銅塊的界面裂紋情況、界面脫層處的橫截面剖面圖及測(cè)量結(jié)果分別如圖4(a)-(c)所示。對(duì)多組樣品進(jìn)行分析測(cè)試后可以發(fā)現(xiàn),裂紋萌生及擴(kuò)展趨勢(shì)幾乎一致,即DBC基板從上銅層中的面積最大的銅塊(尺寸:20×10mm2)的邊角處開裂,并且裂紋沿著紅色箭頭方向迅速朝著該銅塊的內(nèi)部擴(kuò)展,最終使得銅層和陶瓷層沿界面脫層。從剖面圖中進(jìn)一步觀察出裂紋擴(kuò)展至陶瓷層內(nèi)部,擴(kuò)展方向與界面呈15°~30°傾角,待裂紋深入陶瓷200μm~300μm厚度后,再沿幾乎與界面平行的方向繼續(xù)擴(kuò)展,直至銅和陶瓷徹底分離,且測(cè)得平行擴(kuò)展時(shí)裂紋距陶瓷上界面的深度為170μm~190μm之間,大約位于陶瓷層中央。

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圖4?經(jīng)歷75次熱循環(huán)后氧化鋁DBC基板的失效分析

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?繼續(xù)進(jìn)行熱循環(huán)測(cè)試,直至經(jīng)歷110次熱循環(huán)后,DBC基板上面積最大的銅層塊完全從陶瓷層上剝離開,失效分析結(jié)果如圖5(a)-(b)所示。觀察完全剝離下的銅層結(jié)構(gòu),可以發(fā)現(xiàn)銅層背面黏附著陶瓷薄層。對(duì)剝離下的黏附陶瓷的銅片進(jìn)行SEM觀測(cè),可見界面處無明顯過渡層。經(jīng)能譜分析可得界面處的元素主要為O、Cu和Al且原子比例約為O:Cu:Al=2:1:1,這證明了DBC基板制造過程中銅-陶瓷界面間由于氧化反應(yīng)生成Cu(AlO2)薄膜界面物質(zhì),從而使得銅和陶瓷之間形成了牢固的粘接。

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圖5?經(jīng)歷110次熱循環(huán)后的DBC樣品失效分析

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