基板在我國(guó)的發(fā)展已有很長(zhǎng)一段時(shí)間的歷史，基板類型一直在不斷應(yīng)需增加，傳統(tǒng)的基板包括了纖維基板、FR-4、鋁基板、銅基板等類型。

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隨著工業(yè)要求的提升、細(xì)化，受到熱耗散和熱膨脹系數(shù)匹配性等方面的限制，當(dāng)傳統(tǒng)的基板性能難以滿足新需求時(shí)，人們不得不開始尋求替代品，在尋求的過程中根據(jù)各式各樣的需求自然會(huì)對(duì)各種基板進(jìn)行對(duì)比，擇優(yōu)而購。

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氮化鋁陶瓷基板，來源：浙江正天

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作為最佳選擇，采用了LAM技術(shù)（激光快速活化金屬化技術(shù)Laser high-peed activation metallization）的氮化鋁陶瓷基板讓金屬層與陶瓷之間結(jié)合得更緊密，金屬層與陶瓷之間結(jié)合強(qiáng)度高，最大可以達(dá)到45，Pa（大于1mm厚陶瓷片自身的強(qiáng)度）。使氮化鋁基板擁有更牢、更低阻的金屬膜層，導(dǎo)電層厚度在1μm～1mm內(nèi)還可任意定制。

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比較傳統(tǒng)陶瓷基板，鋁基基板的熱導(dǎo)率是1～2W/mk，雖然銅本身的導(dǎo)熱率達(dá)到了383.8W/m.K，但絕緣層的導(dǎo)熱率只有1.0W/m.K.左右，好一點(diǎn)的能達(dá)到1.8W/m.K。而氮化鋁陶瓷基板具有更高的熱導(dǎo)率，數(shù)據(jù)為170～230 W/m.k。 　　舉例來說熱膨脹系數(shù)（CTE）。在LED照明領(lǐng)域，主流基板CTE平均導(dǎo)熱率為14~17ppm/C，而硅芯片的CTE為6ppm/C，在溫差過大、溫度劇變的情況下，PCB會(huì)比芯片封片封裝膨脹得更劇烈，導(dǎo)致脫焊問題。在這種困擾之下，氮化鋁陶瓷基板的CTE為4-5ppm/C讓人眼前一亮，和芯片的膨脹率更為接近，能有效避免類似情況。

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除此之外，氮化鋁陶瓷基板不含有機(jī)成分，銅層不含氧化層，使用壽命長(zhǎng)，可在還原性氣氛中長(zhǎng)期使用，適于航空航天設(shè)備。

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氮化鋁陶瓷基板的在市面上的用途相當(dāng)廣泛，由于它高頻損耗小，介電常數(shù)小的特性，可進(jìn)行高頻電路的設(shè)計(jì)和組裝，也可進(jìn)行高密度組裝，線/間距（L/S）分辨率可以達(dá)到20μm，在以輕薄小巧為科技潮流的當(dāng)下，十分利于實(shí)現(xiàn)設(shè)備的短、小、輕、薄化。

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陶瓷基板的生產(chǎn)市場(chǎng)主在海外，近年來為了實(shí)現(xiàn)氮化鋁陶瓷基板的國(guó)產(chǎn)化、自主研究?jī)?yōu)勢(shì)和滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)越加高漲的對(duì)氮化鋁基板的需求，為了擁有更好基礎(chǔ)進(jìn)行技術(shù)研發(fā)，從而占據(jù)行業(yè)一線地位，國(guó)內(nèi)PCB企業(yè)紛紛加以重視，氮化鋁陶瓷基板的優(yōu)勢(shì)相當(dāng)突出。

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在電子工業(yè)上沒有貴不貴，只有適不適用，最合適的才是對(duì)的。如何讓物有所值，物超所值？正是航空航天、通訊信息、照明家電等等領(lǐng)域工業(yè)的飛速發(fā)展促使了氮化鋁陶瓷基板這樣的產(chǎn)品出現(xiàn)，這些擁有突出優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品也必然會(huì)成為新的潮流，來印證時(shí)代對(duì)它們的選擇。氮化鋁基板作為更優(yōu)越的選擇，是大勢(shì)所趨。

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文本來源：鈺瓷電子

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