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導(dǎo)語

11月30日,中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所將出席并贊助支持第七屆陶瓷封裝產(chǎn)業(yè)論壇,研究員 龐學(xué)滿做《微波大功率封裝外殼技術(shù)發(fā)展》主題演講,歡迎大家與會交流。

中電科55所將參加第七屆陶瓷封裝產(chǎn)業(yè)論壇并做《微波大功率封裝外殼技術(shù)發(fā)展》主題演講

演講大綱:

1、封裝外殼分類簡介

2、大功率外殼技術(shù)及發(fā)展方向

3、高頻率外殼技術(shù)及發(fā)展方向
嘉賓簡介:

龐學(xué)滿,天津大學(xué)材料學(xué)博士學(xué)位,中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所封裝事業(yè)部副主任,研究員級高工。主要專業(yè)方向?yàn)榉庋b外殼與基板,先后主持承擔(dān)并完成了多項(xiàng)國家重大工程配套項(xiàng)目。主持研發(fā)的低損耗陶瓷材料以及相應(yīng)微波外殼系列達(dá)到國際領(lǐng)先水平,獲得國防科工局以及中國電子科技集團(tuán)公司多項(xiàng)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng),申請并獲得授權(quán)十余項(xiàng)外殼領(lǐng)域發(fā)明專利,其中包括獲得俄羅斯以及歐洲多個(gè)國家授權(quán)。

公司介紹

中電科55所將參加第七屆陶瓷封裝產(chǎn)業(yè)論壇并做《微波大功率封裝外殼技術(shù)發(fā)展》主題演講

中電國基南方集團(tuán)有限公司封裝事業(yè)部主要從事微波毫米波及各類半導(dǎo)體器(組)件、集成電路等封裝所需的外殼、基板及相關(guān)產(chǎn)品的技術(shù)研究、產(chǎn)品開發(fā)與生產(chǎn)經(jīng)營工作。“十五”以來事業(yè)部承擔(dān)了國家下達(dá)的預(yù)研、新品、型譜、支撐、863、973、產(chǎn)業(yè)化、可靠性增長、核高基等課題70余項(xiàng)。“十五”以來共獲省部級以上科技進(jìn)步獎(jiǎng)32項(xiàng),獲得國家發(fā)明專利授權(quán)26項(xiàng)。

封裝事業(yè)部形成了氧化鋁、氮化鋁高溫共燒多層陶瓷、低溫共燒多層陶瓷和微晶玻璃四大類材料的產(chǎn)品體系,為客戶提供微波毫米波為主的各類封裝外殼、多層陶瓷基板、薄膜基板、無源元件等產(chǎn)品以及鍍覆、氣密封裝等工藝服務(wù)。事業(yè)部建有多條生產(chǎn)線,廠房面積16000平方米,設(shè)備先進(jìn),工藝穩(wěn)定,具有良好的批量供應(yīng)能力。

產(chǎn)品使用頻率可以覆蓋至60GHz,滿足千瓦級功率器件的散熱需求,廣泛應(yīng)用于各類微波毫米波器(組)件、集成電路封裝、光電產(chǎn)品封裝、電力電子產(chǎn)品封裝、MEMS 器件封裝、金屬玻璃封裝等。

產(chǎn)品介紹

微波電路封裝陶瓷外殼

封裝部開發(fā)的CQFN封裝采用的垂直信號傳輸結(jié)構(gòu),可傳輸DC~40GHz的控制信號或射頻信號。常用的引出端節(jié)距有1.27mm、0.65mm、0.5mm等,端口數(shù)量12~80,外殼與芯片尺寸接近1.2:1。分為金屬化接地或金屬熱沉接地以滿足芯片不同的散熱需求。封帽形式有平行縫焊、合金熔封等多種。具有尺寸小、重量輕、高頻性能優(yōu)異等特點(diǎn)。

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SIP多芯片組件封裝外殼
系統(tǒng)封裝是當(dāng)前電子設(shè)備小型化、集成化發(fā)展的趨勢所向,采用基板集成的一體化技術(shù)和三維封裝結(jié)構(gòu)的SIP(system in package)多芯片組件封裝外殼可以滿足系統(tǒng)及子系統(tǒng)封裝需求,結(jié)構(gòu)緊湊,集成度高。封裝形式多樣,覆蓋BGA、QFN。
BGA 型陶瓷外殼主要分為通用BGA型陶瓷外殼與定制BGA陶瓷外殼,其中通用型BGA外殼提供射頻與直流傳輸端口,用戶可將多層復(fù)雜布線放置于 PCB 中,單層或多層堆疊。定制類BGA陶瓷外殼可根據(jù)用戶需求進(jìn)行多層布線,以實(shí)現(xiàn)多芯片組件的封裝。

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功率電子封裝
功率電子封裝外殼通常指以二極管、三極管、整流器為代表的分立器件封裝,主要分為TO和SMD兩類。
現(xiàn)階段TO陶瓷封裝外殼為三面腔體壁為金屬,一面腔體壁為陶瓷,金屬引針穿過陶瓷片到內(nèi)部。以TO外殼為例,耐壓性能從1200V提升至 3000V DC,滿足以SiC為代表的新一代芯片的封裝需求。
SMD封裝是基于SMT技術(shù)發(fā)展而來的封裝形式,可通過自動(dòng)拾放設(shè)備進(jìn)行自動(dòng)化裝配。在傳統(tǒng)SMD封裝的基礎(chǔ)上,對載流能力和集成化提出了新要求。通過內(nèi)鑲嵌高導(dǎo)電材料實(shí)現(xiàn)大載流,同時(shí)腔內(nèi)集成其他無源/有源器件。

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紅外探測器類陶瓷封裝外殼
封裝部開發(fā)的紅外探測器封裝外殼分為制冷型及非制冷型。其中制冷型紅外焦平面探測器用陶瓷引線環(huán)其主體采用圓形通腔結(jié)構(gòu),陶瓷引線環(huán)可實(shí)現(xiàn)外殼內(nèi)外的電氣連接以及芯片的支撐保護(hù),金屬圓環(huán)實(shí)現(xiàn)與光窗和外部制冷器的焊接。廣泛應(yīng)用于各類高精度高可靠紅外成像和制導(dǎo)領(lǐng)域。
非制冷型紅外探測器陶瓷封裝外殼,從結(jié)構(gòu)上可分為蝶形結(jié)構(gòu)的金屬外殼以及CLCC(CQFN)和CPGA類型的陶瓷外殼。具有多引出端、高可靠性的特點(diǎn)。最大電流承載能力:5A,氣密性:漏率≤1.0× 10-3pa?cm9/s,絕緣電阻≥1.0× 109Ω。

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光通訊封裝外殼系列
光通訊陶瓷封裝外殼應(yīng)用于光纖通信領(lǐng)域,主要分為蝶形封裝外殼及BOX封裝外殼,用于封裝各類光電發(fā)射、接收器件以及大功率激光器。產(chǎn)品參數(shù)、氣密性、可靠性均滿足國際標(biāo)準(zhǔn)要求,產(chǎn)品外形、結(jié)構(gòu)可接受用戶的定制化要求。
BOX封裝多用于多通道并行封裝,主要應(yīng)用于40G以上速率的高速光模塊,具有高速率電磁干擾、體積小、散熱性好等特性。

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集成電路陶瓷外殼
封裝部開發(fā)的集成電路陶瓷外殼廣泛應(yīng)用于FPGA、DSP、CPU、SOC等大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路封裝,是目前應(yīng)用范圍最廣的封裝外殼,產(chǎn)品系列包括CSOP、CQFP、CFP、CLCC、CDIP、CPGA等封裝形式,可根據(jù)用戶的要求定制開發(fā)各種集成電路外殼。端口數(shù)量:3~256。典型節(jié)距:2.54、1.27mm、1.0mm、0.80mm、0.635mm、0.50mm等 ,月產(chǎn)能30萬只。

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吸氫材料
封裝部開發(fā)以鈦合金為基材制備的吸氫材料,能夠有效吸附并貯存器件及組件密閉腔體內(nèi)所不停釋放的氫氣,避免了封裝體內(nèi)氫氣對器件或組件的電性能和物理性能上的損壞,防止“氫中毒”事件的發(fā)生,可廣泛用于各類有控氫要求的器件和組件。吸氫材料的特點(diǎn)為吸氫量大,最大吸氫量可達(dá) 1.8%wt,同時(shí)可定制不同形狀(片式、圍框、螺釘?shù)龋瑹o粉末,使用溫度寬,耐高溫,使用簡便,無需前處理。其適用于各類封裝材料的器件組件,如可伐、鎢銅、硅鋁、鋁合金等;密度為4.5g/cm3,可滿足各類器件或組件。吸氫材料經(jīng)85℃~250℃烘烤48h激發(fā)后,內(nèi)部氫含量≤500ppm。貨架尺寸:3×3×0.3、4×4×0.3、2×5×0.3、3.5×5×0.3,使用方式為導(dǎo)電膠粘接(通用)、錫銀銅/鉛錫/金錫等焊接。

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