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隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,電子計(jì)算機(jī)、移動(dòng)終端、智能穿戴等通訊設(shè)備越來(lái)越小型化和多功能化,為了滿足需求,多層陶瓷電容器(MLCC)也在不斷向小型化、高容量的方向發(fā)展。

MLCC高容量化關(guān)鍵技術(shù)——疊層工藝

圖 MLCC容量計(jì)算公式,來(lái)源 techclass.rohm

從以上公式中可以看出,MLCC的容量正比于陶瓷介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)、內(nèi)電極層數(shù)、內(nèi)電極的疊加面積,反比于介質(zhì)陶瓷的厚度,因此,為了使MLCC大容量化,就需要使每層電介質(zhì)越來(lái)越薄,使介電常數(shù)提高,增加疊層數(shù)。在保證單層薄片大容量化的同時(shí),提高薄片層數(shù)可以盡可能地提高M(jìn)LCC產(chǎn)品的容量。目前領(lǐng)先的MLCC廠商已經(jīng)實(shí)現(xiàn)堆疊層數(shù)達(dá)1000層以上,這對(duì)于疊層工藝技術(shù)提出更高的要求。艾邦建有MLCC微信群,誠(chéng)邀MLCC生產(chǎn)企業(yè)、設(shè)備、材料企業(yè)參與。

MLCC高容量化關(guān)鍵技術(shù)——疊層工藝

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1.疊層設(shè)備的工作原理

疊層設(shè)備主要完成圖案切割剝離、按工藝要求疊層電極圖案、電容體生料層壓等工序,其工作原理是:

設(shè)備將絲印好電極圖案的薄膜以設(shè)定的恒張力展開(kāi),以規(guī)定尺寸切割好薄膜電極圖案,利用特定工作臺(tái)真空吸附、剝離薄膜,通過(guò)圖像定位系統(tǒng)掃描定位后搬送到預(yù)定的疊層工作臺(tái),將薄膜疊壓在定位好的載板上,按產(chǎn)品生產(chǎn)工藝將圖案錯(cuò)位形成兩電極,并以預(yù)壓壓力疊夠所需層數(shù)形成電容體生料,然后由輸送機(jī)構(gòu)把載板連同電容體生料一起送到保護(hù)膜覆蓋工位加好保護(hù)膜,再送到壓實(shí)工位施加大的壓力,保壓一定時(shí)間以使電容體生料組織致密,最后送到收料框收料,完成整個(gè)工作循環(huán)。

MLCC高容量化關(guān)鍵技術(shù)——疊層工藝

圖 MLCC層壓工藝,來(lái)源TDK

疊層工藝對(duì)疊層機(jī)的可疊層數(shù)和疊層精度要求很高,目前高端的疊層機(jī)仍以進(jìn)口為主。

2.MLCC疊層工藝難度

隨著MLCC的小型化、高容化發(fā)展,其疊層的技術(shù)難度很大,主要有以下難點(diǎn):

1) 在將膜片從PET載帶上剝離時(shí),疊層設(shè)備對(duì)介質(zhì)膜片的剝離效果是實(shí)現(xiàn)內(nèi)電極精確對(duì)位的一個(gè)重要前提。剝離效果不好一般有兩種情況。一是膜片被撕裂,不能完整地被剝離。二是膜片雖然被完整剝離,但疊層設(shè)備的吸著板對(duì)膜片的吸附不牢,被吸著在吸著板上的膜片輕微起皺,疊層后內(nèi)電極的對(duì)位發(fā)生偏移,即疊層移位現(xiàn)象。較大規(guī)格MLCC使用的介質(zhì)膜片一般比較厚,強(qiáng)度較大,不容易被撕裂,而微型MLCC因受尺寸限制,介質(zhì)膜片較薄,強(qiáng)度較低,剝離時(shí)受力不均勻時(shí)很容易被撕裂。

MLCC高容量化關(guān)鍵技術(shù)——疊層工藝

圖 MLCC印刷、切分、疊層,來(lái)源Micro-tec

2) 介質(zhì)膜片為幾個(gè)μm時(shí),印刷的內(nèi)電極的厚度與介質(zhì)膜片的厚度接近,介質(zhì)膜片上有內(nèi)電極的區(qū)域和沒(méi)有內(nèi)電極的區(qū)域之間的厚度差的影響不可忽視,“臺(tái)階效應(yīng)”變得顯著。由于微型MLCC的絲網(wǎng)的電極圖案區(qū)域較小,在電極圖案區(qū)域的外圍的空白區(qū)域較大,剝離介質(zhì)膜片時(shí),空白區(qū)域在“臺(tái)階效應(yīng)”下處于微觀的懸空狀態(tài),所以吸著板對(duì)膜片邊緣區(qū)域的吸力相對(duì)不足,容易發(fā)生剝離不良。

3) 由于微型MLCC的內(nèi)電極尺寸大幅縮小,而芯片的邊量(即芯片中沒(méi)有印刷內(nèi)電極的空白部分)的尺寸卻不適宜過(guò)多地減小,以保證足夠的切割工藝余量,于是芯片中單個(gè)內(nèi)電極的面積占比顯著減小。由此帶來(lái)的問(wèn)題是,將印刷有內(nèi)電極的介質(zhì)膜片進(jìn)行疊層時(shí),相鄰膜片之間的接觸面較小,結(jié)合不夠牢固,容易產(chǎn)生相對(duì)滑動(dòng),造成移位。

要解決以上問(wèn)題,需要提高疊層設(shè)備的性能,除此之外,還需要改善介質(zhì)膜片的強(qiáng)度、韌性等物理參數(shù)以及優(yōu)化絲網(wǎng)圖案設(shè)計(jì)。

3.疊層對(duì)MLCC容量的影響

疊層是將印刷好內(nèi)電極的陶瓷膜片,根據(jù)設(shè)計(jì)要求,按照一定的錯(cuò)位方式交錯(cuò)的疊壓在一起,形成一個(gè)巴塊。疊層的對(duì)位精度,將直接影響到上下電極的正對(duì)面積,進(jìn)而影響產(chǎn)品的容量。疊層對(duì)MLCC容量的影響主要是體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:

對(duì)位精度:疊層設(shè)備對(duì)位精度差,產(chǎn)生移位會(huì)影響上下兩層電極間的正對(duì)面積,正對(duì)面積變小,相應(yīng)的容量變小。

設(shè)計(jì)層數(shù):通常設(shè)備會(huì)按照設(shè)計(jì)層數(shù)進(jìn)行堆疊,但電腦或者傳感器出現(xiàn)異常,導(dǎo)致計(jì)數(shù)錯(cuò)誤,就會(huì)造成實(shí)際疊層層數(shù)和設(shè)計(jì)層數(shù)的有偏差,影響產(chǎn)品容量;

MLCC高容量化關(guān)鍵技術(shù)——疊層工藝

疊層巴厚:疊層時(shí)的溫度越高,壓力越大,巴塊的巴厚越薄,相應(yīng)的介質(zhì)膜片變薄,容量變大。但是壓力過(guò)大,會(huì)造成整體斜移,嚴(yán)重的介質(zhì)膜片開(kāi)裂,正對(duì)面積變小,容量變小。

介質(zhì)夾膜碎、折角、起皺:在疊層過(guò)程中普遍存在夾膜碎的情況,夾膜會(huì)造成相應(yīng)的介質(zhì)膜片變厚,同時(shí)引起一定程度上的移位,介質(zhì)膜片變厚,有效正對(duì)面積變小,相應(yīng)的容量變小。折角或起皺,會(huì)使相應(yīng)的正對(duì)面積變小,同時(shí)介質(zhì)厚度變大,造成容量變小。

8月27日,金岷江半導(dǎo)體設(shè)備事業(yè)部總監(jiān)李保華將出席深圳MLCC產(chǎn)業(yè)論壇,并作《電子陶瓷制程疊層技術(shù)應(yīng)用介紹》主題報(bào)告分享,歡迎各位行業(yè)朋友與會(huì)交流。

資料來(lái)源:

1.制備工藝對(duì)多層陶瓷電容器容量的影響研究,林顯竣,等.

2.片式多層陶瓷電容器生產(chǎn)用疊層設(shè)備的研究和開(kāi)發(fā),黃浩,等.

3.01005型MLCC關(guān)鍵制備工藝研究,卓金麗,等.

推薦活動(dòng):【邀請(qǐng)函】第三屆高端片式多層陶瓷電容器(MLCC)產(chǎn)業(yè)論壇(深圳 8月27日)
第三屆高端片式多層陶瓷電容器(MLCC)產(chǎn)業(yè)論壇
暨精密陶瓷行業(yè)頒獎(jiǎng)典禮
8月27日
深圳·沙井維納斯皇家會(huì)議酒店
地址:深圳市寶安區(qū)沙井路118號(hào)
一、會(huì)議議程

時(shí)間

演講主題

演講嘉賓

08:45-09:00

開(kāi)場(chǎng)致辭

艾邦創(chuàng)始人 江耀貴

主題報(bào)告

09:00-09:30

車(chē)規(guī)MLCC端電極對(duì)可靠性的影響

風(fēng)華高科 研究院元器件研發(fā)中心副主任 陳濤

09:30-10:00

突破超高容MLCC、助力高質(zhì)量發(fā)展

三環(huán)集團(tuán) 潮州三環(huán)事業(yè)部助理總經(jīng)理 王亞超

10:00-10:30

信諾超分散劑在鈦酸鋇納米化制備及MLCC制漿中的應(yīng)用

安徽嘉智信諾 董事長(zhǎng) 陳永康

10:30-11:00

茶歇

11:00-11:30

MLCC的漿料過(guò)濾技術(shù)研究與應(yīng)用

邁博瑞 董事長(zhǎng) 陳冠龍博士

11:30-12:00

C0G型MLCC用可低溫共燒的陶瓷-玻璃復(fù)合粉體研究

贛州中傲新瓷 研發(fā)總監(jiān) 繆錫根

12:00-14:00

午餐

14:00-14:30

MLCC電極用超細(xì)金屬粉體的研發(fā)與改性

712所 主任 陳大鵬

14:30-15:00

人工智能加速先進(jìn)電介質(zhì)材料研發(fā)

佛山(華南)新材料研究院 先進(jìn)功能陶瓷中心負(fù)責(zé)人 戚俊磊?

15:00-15:30

電子級(jí)高純納米二氧化鈦形態(tài)結(jié)構(gòu)調(diào)控及應(yīng)用關(guān)鍵技術(shù)

上海大學(xué)納米中心 教授 施利毅博士

15:30-16:00

茶歇

16:00-16:30

光學(xué)篩選機(jī)中 AI 人工智能技術(shù)的應(yīng)用細(xì)節(jié)

岳一科技 總經(jīng)理 岳來(lái)鵬

16:30-17:00

電子陶瓷制程疊層技術(shù)應(yīng)用介紹

深圳金岷江半導(dǎo)體設(shè)備事業(yè)部總監(jiān) 李保華

17:00-17:30

“全球首款”無(wú)間隙滾筒印刷機(jī)在MLCC中的應(yīng)用

SERIA 銷(xiāo)售技術(shù)支持 蔡兵華

17:30-20:00

致敬卓越,共鑄未來(lái)——精密陶瓷行業(yè)領(lǐng)軍者榮耀之夜

頒獎(jiǎng)典禮暨答謝晚宴

演講&贊助請(qǐng)聯(lián)系李小姐:18124643204

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贊助及支持企業(yè):

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