2024年9月20日，長光華芯先進化合物半導體光電子平臺項目正式封頂，長光華芯董事長總經理閔大勇及公司高管、中設建設集團負責人等出席封頂儀式。

長光華芯先進化合物半導體光電子平臺建設項目總占地面積約31畝，含生產中心、研發中心、動力站及配套設施，旨在建設國內一流的半導體激光芯片研發及生產平臺，對標國際頂尖水準，打造基于多種化合物半導體的光電與電子器件的材料、工藝以及封裝技術開發的先進器件研發和產業化平臺。該項目是繼2022年8月8日長光華芯搬遷新基地后的又一重大工程，是公司實施“一平臺，一支點，橫向擴展，縱向延伸”發展戰略的里程碑工程，該項目已被列入江蘇省重點工程。

項目于2023年開工，預計2025年建成并全面投產。

本次項目封頂標志著長光華芯在多種化合物半導體光電芯片、器件等方面的產能、研發水平、橫向擴展和縱向延伸能力都將邁上新臺階！橫向覆蓋從可見光、近紅外、中波、長波多波段激光芯片和硅光集成芯片，縱向延伸從激光顯示、工業激光、光通訊、激光傳感到生命科學與健康等主流應用和未來產業。

?

在目前國際領先的6吋化合物生產線基礎上，推動研發硬件條件以及研發生產水平全面達到國際先進，全力構建政府、資本、產業、區域、研究所及企業、上下游創新協同、供應鏈互通的新一代中國激光國產化產業生態鏈，推動我國激光產業科技創新！