日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（AIST）下屬企業(yè)EDP株式會(huì)社于9月26日宣布，成功實(shí)現(xiàn)高濃度硼摻雜金剛石基板的大尺寸化，并已上市。

圖 RB10102PP：低電阻基板10x10x0.2mm雙面拋光；RB13R2PP**：低電阻最小晶圓

金剛石半導(dǎo)體具有優(yōu)于SiC和GaN的特性，全球范圍內(nèi)正在推進(jìn)開(kāi)發(fā)。EDP在2023年8月發(fā)布了摻雜高濃度硼的金剛石，推出了兩種類型的金剛石基板：低電阻自支撐金剛石基板，常規(guī)基板上形成薄膜的外延生長(zhǎng)基板。然而，之前推出的基板尺寸為7mm×7mm，無(wú)法滿足大型功率器件開(kāi)發(fā)或在單一基板上制造多個(gè)器件的需求。EDP于去年11月開(kāi)發(fā)了15x15mm的單晶，并開(kāi)始作為種晶和基板進(jìn)行銷售。此次，利用這一單晶，成功擴(kuò)大了低電阻基板的面積并實(shí)現(xiàn)了商品化。高濃度硼摻雜低電阻大尺寸自支撐基板產(chǎn)品尺寸包括10x10x0.2mm、13x13x0.2mm、12.5φx0.2mm等規(guī)格。基本特性與2023年8月產(chǎn)品化的低電阻鉆石基板相同。