隨著半導體及集成電路制程設備和制程工藝的發(fā)展，傳統(tǒng)的以有機高分子材料和陽極氧化層為電介質的靜電卡盤逐步被陶瓷靜電卡盤逐漸替代，陶瓷靜電卡盤擁有良好的導熱和耐鹵素等離子氣氛的性能，廣泛應用于半導體及集成電路核心制程制作中，在高真空等離子體或特氣環(huán)境中起到對晶圓的夾持和溫度控制等作用，是離子注入、刻蝕等關鍵制程核心零部件之一。

晶片處理過程中，之所以需要把晶片牢牢地吸到吸盤表面，主要是增加晶片與吸盤之間的傳熱。此外，晶片背面與吸盤表面之間的氦氣是傳熱的重要媒介。

氧化鋁靜電卡盤采用層壓技術實現(xiàn)極高的面內溫度均一性，通過使用高純度的氧化鋁可以降低金屬污染，在鹵素氣體等離子體環(huán)境下發(fā)揮出出色的耐久性。有的氧化鋁靜電卡盤使用特有等離子納米噴涂工藝制造的靜電卡盤，可以形成致密的電介質絕緣層，相對于共燒及層壓工藝生產的靜電吸盤，價格上擁有很大的優(yōu)勢，耐溫性能及使用壽命又比薄膜電介質更高。

通過控制AIN的體積電阻率，可以獲得大范圍的溫度域和充分的吸附力。通過自由度高的加熱器設計可以實現(xiàn)良好的溫度均勻性。因使AIN和電極完成一體化熔結，不會出現(xiàn)因電極的劣化造成的歷時變化。也可以應對采用接合技術的陶瓷中空結構和陶瓷軸安裝。

氮化鋁[AlN]靜電卡盤/加熱器[Heater]是以最高的質量標準和先進的工藝設計制造，以承受半導體及微電子最苛刻的制程環(huán)境，旨在提供穩(wěn)定的吸附力和溫度控制。

一般來說，迥斯熱背類吸盤的吸力比庫侖類的大。在對晶片溫度控制要求很高的蝕刻機中，越來越多地采用迥斯熱背類吸盤，其電介質通常是參雜的氮化鋁陶瓷材料。氮化鋁有很好的導熱性。

在吸盤中，除了直流電極外，還有射頻電極。射頻電極用來提供晶片處理過程中需要的射頻偏置功率。有些使用的時候，ESC與電極通過一個濾波器相連接。

當前，陶瓷靜電卡盤市場被國外廠商占據(jù)，主要有Kyocera、NTK、SHINKO、TOTO、CreativeTechnology、FMIndustries等。近年來，受到半導體行業(yè)的快速發(fā)展，國內陶瓷靜電卡盤行業(yè)也逐步放量。

原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦陶瓷展）：陶瓷靜電卡盤成半導體晶圓用靜電夾盤主流