絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種通過與MOSFET相同的方式控制柵極和發射極之間的電壓，接通和關斷集電極和發射極之間電源的器件。

作為功率半導體的IGBT被應用于從車載用途到工業設備、消費電子等各種用途。從以電車及HEV/EV等高輸出電容的三相電機控制逆變器用途，到UPS、工業設備電源等的升壓控制用途、IH(電磁感應加熱)家用炊具的共振用途等，其用途正在逐漸擴大。

IGBT的常見結構包括：

（a）穿通型（PT）

（a）PT IGBT

（b）非穿通型（NPT）

（b）NPT IGBT（NPT：非穿通型）

（c）薄晶圓穿通型，亦稱為場截止型（FS）

（c）薄型PT IGBT（FS-IGBT）

（d）反向導通IGBT（RC-IGBT）是IGBT家族的最新成員

（d）RC-IGBT

其中，FS IGBT的集電極P區的一部分被N區所取代，并且續流二極管像MOSFET一樣集成。下表顯示了各代IGBT及其結構。

• PT IGBT：自從IGBT問世以來，一直使用PT結構。集電極側的P層很厚，低電流區的正向電壓很高。
• NPT IGBT：PT IGBT之后出現了NPT IGBT。NPN IGBT具有很強的耐久性，可用于硬開關和其它逆變器應用。
• 薄型PT IGBT：薄型PT是最新的IGBT結構之一，使用薄晶圓技術來改善正向電壓降和開關速度之間的平衡性。憑借由于低損耗，薄型PT IGBT被廣泛使用。
• RC-IGBT：RC-IGBT使用最新的薄晶圓技術，并集成了一個快速恢復二極管（FRD）。RC-IGBT可用于電壓諧振和其它應用。

來源：東芝電子元件、羅姆、富士電機

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原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：IGBT有哪些常見結構？