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AMB-SiN 有望成為 IGBT 和 SiC 器件領(lǐng)域新趨勢

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傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，在此背景下第三代半導(dǎo)體應(yīng)運而生，第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等特點，在高頻、高壓、高溫等工作場景中，有易散熱、小體積、低能耗、高功率等明顯優(yōu)勢，碳化硅已成為目前應(yīng)用最廣、市占率最高的第三代半導(dǎo)體材料。AMB 優(yōu)先采用氮化硅陶瓷基片作為基板，其與第三代半導(dǎo)體襯底 SiC 晶體材料的熱膨脹系數(shù)更為接近，匹配更穩(wěn)定，是第三代半導(dǎo)體功率器件芯片襯底的首選。另外，目前以硅基材料為主的 IGBT 模塊在具有高導(dǎo)熱性、高可靠性、高功率等要求的軌道交通、工業(yè)級、車規(guī)級領(lǐng)域正逐漸采用 AMB 陶瓷襯板替代原有的 DBC 陶瓷襯板。

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基于 AMB-SiN 陶瓷基板的高熱導(dǎo)率、高載流能力以及低熱膨脹系數(shù)，AMB-SiN 有望成為 IGBT 和 SiC 功率器件基板應(yīng)用新趨勢。高熱導(dǎo)率、高載流能力：一方面 AMB-SiN 陶瓷基板熱導(dǎo)率高于90W/mk，厚銅層具有較高熱容量以及傳熱性；另一方面 AMB-SiN 陶瓷基板采用 AMB 工藝，可將厚銅金屬（800μm）焊接到相對較薄的氮化硅陶瓷上，形成高載流能力。低熱膨脹系數(shù)：AMB-SiN 陶瓷基板熱膨脹系數(shù)為 2.4ppm/K，與硅芯片（4ppm/K）接近，具有良好的熱匹配性，適用于裸芯片的可靠封裝。

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中國已經(jīng)成為全球最大的功率半導(dǎo)體需求市場，但國產(chǎn)化率低，未來國產(chǎn)替代空間大；AMB 陶瓷襯板當前仍主要依賴進口，國內(nèi)產(chǎn)能相對較小，另外隨著新能源汽車銷量的快速增長，驅(qū)動 IGBT 和第三代 SiC 功率器件市場景氣度高企，帶來廣闊的"藍海"市場。

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博敏電子：具備 AMB、DPC 陶瓷襯板生產(chǎn)工藝

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陶瓷襯板又稱陶瓷電路板，是在陶瓷基片上通過覆銅技術(shù)形成的基板；再通過激光鉆孔、圖形刻蝕等工藝制作成陶瓷電路板。公司具備 AMB、DPC 陶瓷襯板生產(chǎn)工藝，AMB 工藝生產(chǎn)的陶瓷襯板主要運用在功率半導(dǎo)體模塊上作為硅基、碳化基功率芯片的襯底，DPC 工藝生產(chǎn)的陶瓷襯板主要運用在激光雷達、激光熱沉、器件襯底。

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博敏電子擁有國際領(lǐng)先的 AMB 工藝技術(shù)和生產(chǎn)流程，使用自研釬焊料生產(chǎn)的陶瓷襯板具備性能優(yōu)越、質(zhì)量可靠、成本優(yōu)勝的特點，可達到 5,000 次冷熱沖擊測試，滿足航空航天的性能要求；現(xiàn)階段，博敏電子 AMB 陶瓷襯板具備產(chǎn)能 8 萬張/月，處于國內(nèi)前列，后續(xù)隨著設(shè)備不斷投入及配合相關(guān)客戶進行擴產(chǎn)，預(yù)計 2023 年有望 達到 15-20 萬張/月的產(chǎn)能規(guī)模，相關(guān)產(chǎn)品已在軌道交通、工業(yè)級、車規(guī)級等領(lǐng)域取得認證，先后在航空體系、中車體系、振華科技、國電南瑞、比亞迪半導(dǎo)體等客戶中開展樣板驗證和量產(chǎn)使用。

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