據報道，U-MAP將從2024年下半年開始量產使用具有高散熱性的氮化鋁（AlN）的電子設備散熱材料。計劃每年供應約 4,000 平方米作為電動汽車 (EV) 和工業激光器的基板。使用纖維狀 AlN 的基板是該公司的強項之一，其強度大約是競爭對手的粉末狀 AlN 的兩倍。 該公司旨在以接近每平方米 16 日元的市場價格提供產品。

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產品以陶瓷基板的形式提供，用于電子設備。使用 AlN 的基板具有高散熱性，因此具有能夠抑制因熱量累積導致的性能下降的優點。但是，與氮化硅相比，斷裂韌性值只有一半左右，在耐久性方面是弱點。此次，U-MAP利用制作纖維狀AlN的技術，開發出兼具散熱性和耐久性的基板，斷裂韌性值達到與氮化硅相同。社長西谷健治表示："我們可以在保持散熱性能的同時使零件更小。"

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首先，U-MAP計劃在光纖通信、工業激光零部件等產品生命周期較短的領域將產品銷往國內市場，預計最快2027年供應EV逆變器（功率轉換器）。

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目前已經籌集約7億日元用于構建生產體系。該公司計劃在其位于愛知縣瀨戶市的工廠安裝設備，以去除纖維狀 AlN 中所含的雜質。在陶瓷基板的生產方面，該公司與岡本硝子合作，將生產外包。U-MAP 是名古屋大學的一家企業，成立于 2016 年。 該公司在纖維狀 AlN 制造技術方面具有優勢，該技術采用從氣態中提取固體的氣相生長方法。

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來源：日刊工業新聞

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