提純石英砂獲得高純石英是緩解天然水晶資源不足,滿足光學、半導體及微電子行業(yè)對高質(zhì)量石英玻璃材料需求的有效途徑。
天然石英砂的提純技術(shù)直接決定以天然石英礦為原料熔制石英玻璃的材料性能。
石英晶體結(jié)構(gòu)中的雜質(zhì)離子是形成石英玻璃氣泡、雜質(zhì)缺陷的主要因素之一。
金屬雜質(zhì)的存在對石英玻璃材料的固有性質(zhì)如石英玻璃的透過率、軟化點、折射率、熒光、膨脹系數(shù)等的影響非常大。
此外,鉀、鈉、鋰等堿金屬是極易擴散到硅片中的有害雜質(zhì),在半導體工業(yè)中對石英制品的堿金屬雜質(zhì)含量要求極為嚴格。
因此,需要進一步提純石英砂原料,大大降低其堿金屬含量。
傳統(tǒng)的石英砂提純工藝流程為:水洗—酸浸—焙燒—水碎—二次酸浸。
在傳統(tǒng)提純工藝中,主要用氯化焙燒工藝去除石英砂晶格內(nèi)的雜質(zhì)元素。
氯化焙燒又稱為氯化脫氣,不同的氯化劑與晶格雜質(zhì)的作用方式和效果存在較大差異。本研究采用不同的氯化劑,如干燥的HCl、Cl2、Cl2與HCl混合氣體對石英砂進行高溫氯化提純試驗。
結(jié)果表明高溫氯化處理均對Na、Fe、K的去除效果明顯;探究氯化時間、氯化溫度等參數(shù)對石英砂提純效果的影響規(guī)律,發(fā)現(xiàn)干燥HCl氣體對石英砂提純效果最好,提純后石英砂的Na、Fe、K等雜質(zhì)含量大幅下降。
01
試驗過程

圖1 ?氯化焙燒裝置
1—石英玻璃筒;2—螺旋狀石英玻璃擋板;3—電加熱線圈;
Fe(OH)3+3HCl=FeCl3+3H2O ??(1)
Fe2O3+6HCl=2FeCl3+3H2O ???(2)
02
結(jié)果與討論
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試驗方案1 稱取4kg經(jīng)水洗烘干后的國內(nèi)石英砂1放入氯化焙燒裝置內(nèi),通入不同組成的氯化劑(干燥Cl2150g、干燥HCl 300g、干燥HCl 150g與Cl2?75g的混合氣體)與石英砂混合均勻,在1000℃下,高溫焙燒2h。 不同氯化劑對石英砂提純的效果見表2,并對氯化前后石英砂中K、Na、Fe、Al四種主要元素的雜質(zhì)質(zhì)量分數(shù)下降百分比進行了分析,結(jié)果見圖2。 ??表2 ?不同氯化劑對石英砂的提純效果 單位:μg/g
由表2和圖2可見,不同種類的氯化劑對Na、Fe、K的去除均有明顯效果,說明本試驗氯化提純工藝可以降低石英砂產(chǎn)品中雜質(zhì)尤其是Na、K和Fe元素雜質(zhì)質(zhì)量分數(shù),使石英砂總雜質(zhì)質(zhì)量分數(shù)有一定程度降低,這對提升石英砂品質(zhì)意義重大。 國產(chǎn)石英砂1中主要雜質(zhì)元素為Al,但不同氯化劑對雜質(zhì)元素Al的去除效果不明顯。 比較不同氯化劑對石英砂氯化提純的效果,可以發(fā)現(xiàn)使用干燥HCl氣體對雜質(zhì)Na的去除效果要大大優(yōu)于HCl與Cl2的混合氣體和單獨的Cl2。 其中,干燥HCl氣體對雜質(zhì)Fe的去除率為82.9%、對雜質(zhì)Na的去除率為73.8%、對雜質(zhì)K的去除率為30%。 圖2? 不同氯化劑作用下Al、Fe、Na、K雜質(zhì)質(zhì)量分數(shù)下降率 稱取4kg不同品種(國內(nèi)石英砂1、國內(nèi)石英砂2、國外石英砂3)的石英砂,先經(jīng)過水洗。 在氯化焙燒裝置內(nèi)通入干燥HCl氣體300g與4kg不同品種石英砂混合均勻,在1000℃下焙燒2h,得到提純后的石英砂產(chǎn)品。 HCl氣體對不同品質(zhì)的石英砂氯化提純后的主要雜質(zhì)的質(zhì)量分數(shù)的影響見表3。 表3 ?HCl對不同品質(zhì)的石英砂氯化提純結(jié)果? ? 單位:μg/g
對比表3和表1數(shù)據(jù)可知,本試驗方案可將國外石英砂3的總雜質(zhì)質(zhì)量分數(shù)從16.24×10-6降低至13.61×10-6,且提純后鉀鈉元素總質(zhì)量分數(shù)低于1×10-6,降低了46.0%;可將國內(nèi)石英砂2的總雜質(zhì)質(zhì)量分數(shù)從36.75×10-6降低至25.87×10-6,且鈉鉀元素總質(zhì)量分數(shù)由7×10-6降至1×10-6以下,降低了88.9%。 稱取4kg國內(nèi)石英砂2,先經(jīng)過水洗。在氯化焙燒裝置內(nèi)通入干燥HCl氣體300g與國內(nèi)石英砂2混合均勻,在1000℃下,分別氯化焙燒1、2、3、4h,得到提純后的石英砂產(chǎn)品。氯化時間對石英砂氯化提純后主要雜質(zhì)質(zhì)量分數(shù)的影響見表4。 表4 ?氯化時間對石英砂氯化提純的影響???????? ?單位:μg/g?
由表4可知,國內(nèi)石英砂2氯化提純的時間為2h時,對降低Na、K和Fe元素雜質(zhì)質(zhì)量分數(shù)有顯著效果,但延長氯化時間并不能提高對石英砂金屬雜質(zhì)的去除效果。 稱取4kg國內(nèi)石英砂2,先經(jīng)過水洗。在氯化焙燒裝置內(nèi)通入干燥HCl氣體300g與石英砂混合均勻,在不同溫度(900、950、1000、1050℃)條件下,氯化焙燒2h得到提純后的石英砂產(chǎn)品。 不同氯化溫度對石英砂氯化提純效果的影響見表5。 表5 ?不同氯化溫度對石英砂氯化提純的影響??? 單位:μg/g?
由表5可知,石英砂氯化提純的加熱溫度為1000℃時,對降低Na、K和Fe元素雜質(zhì)質(zhì)量分數(shù)效果尤為顯著。升高溫度至1050℃,并不能提高對石英砂雜質(zhì)元素的去除效果。 分析上述試驗現(xiàn)象,認為HCl焙燒提純工藝具有最佳提純效果的原因是高晶格雜質(zhì)含量石英在氯化提純過程中存在反應和逸出兩個階段: a.反應階段:雜質(zhì)離子(Al3+、Fe3+等)代替晶格內(nèi)的Si4+,陽離子(K+、Na+等)立即轉(zhuǎn)變?yōu)橛坞x態(tài)在晶格空隙中起電荷補償作用,石英砂顆粒內(nèi)部的堿金屬雜質(zhì)在高溫下與HCl反應生成氣態(tài)氯化物; 因此石英砂晶格內(nèi)部的熱缺陷在高溫振動下處于不斷形成與斷裂的動態(tài)平衡中,原本完全無序的缺陷遷移運動,由于石英表面和內(nèi)部形成了濃度梯度,在這種外力場的作用下,石英砂顆粒內(nèi)部的熱缺陷緩慢且定向地朝表面運動,使石英砂顆粒內(nèi)部的金屬雜質(zhì)缺陷逐漸減少。 b.逸出階段:由式(1)~式(3)可知,反應階段生成的水和部分沸點低于焙燒溫度的金屬氯化物揮發(fā)逸出到石英砂顆粒表面并向體系內(nèi)擴散,導致其表面生成物濃度較低,平衡反應更容易向右進行;由于石英砂內(nèi)部熱缺陷的遷移速率和其他因素的影響,其產(chǎn)生的肖特基缺陷很難完全遷移至表面,因此石英砂表面的晶格雜質(zhì)在氯化焙燒過程中得以去除。 -
試驗方案4 -
試驗方案3 -
試驗方案2
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03
結(jié)論
b.試驗表明,高溫氯化工藝可以很好地降低Fe、Na、K雜質(zhì)的含量,但對雜質(zhì)元素Al沒有很好的去除效果。
c.該工藝最優(yōu)參數(shù)為:干燥的HCl氣體300g,焙燒溫度1000℃,焙燒時間2h。
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