基板在我國的發展已有很長一段時間的歷史，基板類型一直在不斷應需增加，傳統的基板包括了纖維基板、FR-4、鋁基板、銅基板等類型。

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隨著工業要求的提升、細化，受到熱耗散和熱膨脹系數匹配性等方面的限制，當傳統的基板性能難以滿足新需求時，人們不得不開始尋求替代品，在尋求的過程中根據各式各樣的需求自然會對各種基板進行對比，擇優而購。

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氮化鋁陶瓷基板，來源：浙江正天

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作為最佳選擇，采用了LAM技術（激光快速活化金屬化技術Laser high-peed activation metallization）的氮化鋁陶瓷基板讓金屬層與陶瓷之間結合得更緊密，金屬層與陶瓷之間結合強度高，最大可以達到45，Pa（大于1mm厚陶瓷片自身的強度）。使氮化鋁基板擁有更牢、更低阻的金屬膜層，導電層厚度在1μm～1mm內還可任意定制。

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比較傳統陶瓷基板，鋁基基板的熱導率是1～2W/mk，雖然銅本身的導熱率達到了383.8W/m.K，但絕緣層的導熱率只有1.0W/m.K.左右，好一點的能達到1.8W/m.K。而氮化鋁陶瓷基板具有更高的熱導率，數據為170～230 W/m.k。 　　舉例來說熱膨脹系數（CTE）。在LED照明領域，主流基板CTE平均導熱率為14~17ppm/C，而硅芯片的CTE為6ppm/C，在溫差過大、溫度劇變的情況下，PCB會比芯片封片封裝膨脹得更劇烈，導致脫焊問題。在這種困擾之下，氮化鋁陶瓷基板的CTE為4-5ppm/C讓人眼前一亮，和芯片的膨脹率更為接近，能有效避免類似情況。

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除此之外，氮化鋁陶瓷基板不含有機成分，銅層不含氧化層，使用壽命長，可在還原性氣氛中長期使用，適于航空航天設備。

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氮化鋁陶瓷基板的在市面上的用途相當廣泛，由于它高頻損耗小，介電常數小的特性，可進行高頻電路的設計和組裝，也可進行高密度組裝，線/間距（L/S）分辨率可以達到20μm，在以輕薄小巧為科技潮流的當下，十分利于實現設備的短、小、輕、薄化。

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陶瓷基板的生產市場主在海外，近年來為了實現氮化鋁陶瓷基板的國產化、自主研究優勢和滿足國內市場越加高漲的對氮化鋁基板的需求，為了擁有更好基礎進行技術研發，從而占據行業一線地位，國內PCB企業紛紛加以重視，氮化鋁陶瓷基板的優勢相當突出。

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在電子工業上沒有貴不貴，只有適不適用，最合適的才是對的。如何讓物有所值，物超所值？正是航空航天、通訊信息、照明家電等等領域工業的飛速發展促使了氮化鋁陶瓷基板這樣的產品出現，這些擁有突出優勢的產品也必然會成為新的潮流，來印證時代對它們的選擇。氮化鋁基板作為更優越的選擇，是大勢所趨。

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文本來源：鈺瓷電子

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