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? ?氮化硅基板具有優異的高熱導率、低熱膨脹系數和高抗熱震性,力學性能優異,其抗彎強度和斷裂韌性是氮化鋁氧化鋁的2倍以上,成為大功率第三代半導體的關鍵材料之一,隨著5G時代不斷發展,航天航空、軌道交通、電動汽車、光伏逆變、智能電網等多種場景都需要氮化硅陶瓷基板的應用。氮化硅基板也是世界級的戰略材料,是目前世界上兼具高導熱性、高可靠性的綜合性能最好的陶瓷基板材料,因其綜合性能高,研發難度大,尤其是即燒型氮化硅基板難度更大,美、日也在對其進行封鎖,國內部分研究機構和陶瓷企業進行了比較大的研發投入,艾森達作為氮化鋁陶瓷基板的領先企業,也是國內首家氮化鋁即燒型基板的量產化企業,艾森達團隊于2020年開始進行氮化硅基板的潛心研發,目前已突破即燒型氮化硅基板的流延、排膠、燒結、后處理等技術工藝瓶頸,實現氮化硅基板的量產化,形成了不同粉體和性能的系列氮化硅產品。

? ?艾森達使用國際先進的生產設備,自主研發高品質氮化硅陶瓷基板,適用于功率半導體AMB陶瓷覆銅板,已通過多家國內外客戶認證,艾森達氮化硅陶瓷基板熱導率達到80-90W/m·k,抗彎強度>700MPa,并且可同時用于AMB焊片和焊料兩種工藝,剝離強度>100N/cm,高低溫循環沖擊5000次無孔洞,滿足下游企業對基板性能的需求。

艾森達氮化硅基板近況

上圖為艾森達氮化硅遠銷海外市場的原產地證明)

艾森達氮化硅基板近況

艾森達氮化硅基板近況

目前艾森達138*190*0.32規格的氮化硅陶瓷基板月產能在4-5萬片左右。為滿足客戶需求,艾森達已經開始實施氮化硅陶瓷基板擴產方案,繼續采購國際知名制程設備用以保證產品質量和穩定性,同時提高生產自動化能力以及各種可靠性測試能力,形成氮化硅10萬片的自動化的生產線,預計2024年上半年達成,為下游客戶的快速發展提供穩定的核心原材料。

一、即燒型氮化硅基板特性參數

項目
單位
ASD-1
ASD-2
ASD-3
熱導率

W/m?K

85-90
80-85
65-75
表面粗糙度

μm

0.6
0.6
0.6
翹曲度

in

5
3‰
3‰
表觀密度

g/cm3

3.20
3.20
3.20
抗彎強度

MPa

700-800

700-800
700-800
體電阻率

Ω?cm

>1014
>1014
>1014
熱膨脹系數RT-400℃

10-6/K

2.72
2.72
2.68
斷裂韌性

MPa?m1/2

6.5
6.5
6.5
維氏硬度

GPa

15
15
15
介電常數1MHz
-
9
9
9
擊穿電壓

KV/mm

20
20
20

二、流延生胚工藝

艾森達氮化硅基板近況

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三、排膠、燒結工藝

艾森達氮化硅基板近況

艾森達氮化硅基板近況

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原文始發于微信公眾號(株洲艾森達新材料科技有限公司):艾森達氮化硅基板近況

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作者 gan, lanjie

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