高純氧化鋁及球形氧化鋁粉
(1)高純氧化鋁(4N):純度≥99.99%,比表面 3~5m2/g,D500.5~20μm;
(2)高純氧化鋁(5N):純度≥99.999%,比表面:1.7m2/g,D50:5μm,松裝密度:0.27g/cm3,平均孔徑:10.5nm;
(3)球形氧化鋁粉:Al2O3≥99.7%,SiO2≤0.03%,Fe2O3≤0.03%,Na2O≤0.02%,EC≤10μs/cm,含濕率≤0.03%,真實密度 3.85±0.1g/cm3,球化率>90%,白度≥90;
氮化鋁粉體、陶瓷件及基板
(1)高純氮化鋁粉體:氧含量<0.8wt.%;碳含量<350ppm;鐵含量<10ppm,硅含量<50ppm,鈣含量<200ppm;比表面積 ≥2.5m2/g。
(2)氮化鋁陶瓷件:熱導率≥180W/(m·K);抗彎強度≥350MPa;電阻率≥1014Ω·cm。
氮化硅基板
氮化硅陶瓷軸承球
氮化硼承燒板
電子級超細高純球形二氧化硅
噴射成型耐高溫耐腐蝕陶瓷涂層
陶瓷基復合材料
高性能陶瓷基板
(1)高光反射率陶瓷基板:可見光反射率≥97%,抗彎強度≥350MPa,熱導率≥22W/(m·K);
高性能水處理用陶瓷平板膜材料
片式電阻器用電阻漿料
半導體裝備用精密陶瓷部件
(1)刻蝕裝備用碳化硅電極:彈性模量≥350GPa,抗彎強度≥350MPa,純度>6N,導熱系數≥180W/(m·K),熱膨脹系數≤4.5×10-6℃-1,密度≥3.2g/cm3,硬度>29GPa,電阻率 0.005~80Ω·cm;
(2)刻蝕裝備用碳化硅環:彈性模量≥350GPa,抗彎強度≥350MPa,純度>6N,導熱系數≥180W/(m·K),熱膨脹系數≤4.5×10-6℃-1,密度≥3.2g/cm3,硬度>29GPa;
(3)刻蝕裝備用氮化硅陶瓷部件:密度≥3.15g/cm3;熱導率(RT)≥27W/(m·K);熱膨脹≤3.5×10-6/K;抗彎強度≥550MPa;平均粒度≤4μm;韋伯模量≥9;關鍵尺寸精度±0.02mm;表面0.3~5μm,尺寸顆粒≤5000count/cm3,表面有機物≤0.1μg/cm2;
(4)6 寸及以上高溫擴散工序用燒結碳化硅舟:密度≥3.1g/cm3,導熱系數≥160W/(m·K),純度≥99.9%,抗彎強度≥370MPa;
(5)6 寸及以上高溫擴散工序用 CVD 碳化硅舟:彈性模量≥350GPa,抗彎強度≥350MPa,純度>6N,導熱系數≥180W/(m·K),熱膨脹系數≤4.5×10-6℃-1,密度≥3.2g/cm3,硬度>29GPa;
電子封裝用熱沉復合材料
(1)WCu:熔滲態密度≥11.6g/cm3,CTE6.5~13.5ppm/K,TC165~290W/m·K;
(2)MoCu:軋制退火態密度≥9.2g/cm3,熔滲態密度≥9.1g/cm3,CTE6.5~13.5ppm/K,TC155~210W/m·K;
(3)CMC:CTE7~10ppm/K,TC150~300W/m·K;
高容及小尺寸MLCC 用鎳內電極漿料
片阻用高精度低阻阻漿
金屬粉:銀鈀含量 55±10%,粘度250±50Pa·s/25℃(BROOKFIELD 粘度計,CP52 轉子,2.0PRM),細度 90%處≤5μm,第二條線≤7μm;
電性能:方阻:8~10Ω,TCR<100PPM;方阻:800~1000mΩ,TCR<100PPM;方阻:90~100mΩ,TCR<100PPM;方阻:10~20mΩ,TCR<400PPM;各相鄰方阻可以互相混配;
5G 濾波器專用漿料
第三代功率半導體封裝用 AMB 陶瓷覆銅基板
高可靠性封裝的金錫合金
(1)用于高可靠性封裝的金錫合金預成形焊片:成分:金錫合金,Au 質量分數 78~80%;厚度≥7μm;長寬最小尺寸 0.2mm;熔化溫度(℃):280±3;焊接空洞率:≤3%;
(2)用于先進封裝的金錫合金焊膏:焊粉成分:金錫合金,Au 質量分數 78~80%;粘度(Pa·s):10-300;熔化溫度(℃):280±3;焊粉粒徑:5-45μm;含氧量≤50ppm,不含鹵素;
(3)用于高可靠氣密性封裝的預置金錫蓋板:焊料成分:金錫合金,Au 質量分數 78~80%;焊料熔化溫度(℃):280±3;蓋板鍍層:六面鍍鎳金,鍍層厚度 Ni(1.27~8.9μm)/Au(0.65-5.7μm);耐鹽霧:≥24H。
《重點新材料首批次應用示范指導目錄(2024年版)》(征求意見稿):https://www.miit.gov.cn/gzcy/yjzj/art/2023/art_344c36506cba4039ba9aee420b98f79f.html
原文始發于微信公眾號(艾邦陶瓷展):工信部公開征求《重點新材料首批次應用示范指導目錄(2024年版)》意見,18種先進陶瓷產業鏈產品在列
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