
● Al2O3 覆銅基板主要采用直接覆銅方法(Direct Bonded Copper,DBC)制備,其熱導率低,散熱能力有限,多用于功率密度不高且對可靠性沒有嚴格要求的領域。
● AlN 覆銅基板主要采用具有更高可靠性的活性金屬釬焊工藝(Active Metal Brazing,AMB),由于氮化鋁 AMB覆銅基板具有較高的散熱能力,從而適用于一些高功率、大電流的工作環境,但是由于機械強度相對較低,使得 AlN-AMB覆銅基板的高低溫循環沖擊壽命有限,限制了其應用范圍。
1、Si3N4-AMB基板的制備工藝
2、Si3N4-AMB界面空洞的形成原因
①焊片工藝所用的銀銅鈦焊片在制備過程中容易出現活性元素Ti的氧化、偏析問題,導致成材率極低,焊接接頭性能較差。
②對于焊膏工藝,在高真空中加熱時有大量有機物揮發,導致釬焊界面不致密,出現較多空洞,使得基板在服役過程中易出現高壓擊穿、誘發裂紋的問題。
①原料表面質量:焊接前陶瓷和無氧銅表面的劃痕、凹坑、氧化、有機污染的問題都會對焊料的潤濕鋪展造成負面影響,為釬焊界面帶來了潛在的空洞風險。
②焊料印刷質量:大面積焊膏印刷過程中,較易出現焊膏漏印、印刷不均勻的問題,焊料熔化后一旦沒有鋪展覆蓋這些漏印區域,就會直接導致空洞的形成。
③活性元素失活:AgCuTi焊膏中的活性元素Ti對氧十分敏感,高溫釬焊過程中,往往要求真空度優于10-3Pa,若真空度無法滿足焊接要求導致Ti氧化失活,焊料無法潤濕Si3N4陶瓷表面,會造成大面積虛焊、漏焊等現象。
④焊膏揮發氣體:釬焊過程中,焊膏中揮發出的氣體會被助焊劑包裹形成氣泡,此外助焊劑中的有機酸和金屬氧化物反應也會產生氣泡,隨著反應的進行氣泡逐漸變大,排出的氣泡會在焊膏表面留下密密麻麻的氣孔,而未排出的氣泡同樣會隨著焊料熔化凝固的過程滯留在釬焊界面處,形成空洞。
3、降低Si3N4-AMB空洞率的措施
資料來源:
1.《銀銅鈦焊膏制備Si3N4陶瓷覆銅基板工藝》,李伸虎、吳懿平等;
2.《氮化硅覆銅基板活性釬焊研究進展》,李伸虎、吳懿平等;
3.《Si3N4覆銅基板的界面空洞控制技術》,張義政等;
推薦活動:【邀請函】2024年半導體陶瓷產業論壇(2024年4月12日·泉州)
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“功率半導體封裝用DBC/AMB陶瓷襯板、半導體設備精密陶瓷部件”
福建省泉州市晉江市濱江路999號
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原文始發于微信公眾號(艾邦陶瓷展):近“0”空洞率!AMB-Si3N4基板的活性釬焊技術
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