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功率器件用陶瓷覆銅基板的材料目前主要有氧化鋁(Al2O3 )、氮化鋁(AlN)和氮化硅(Si3N4 )等。隨著第三代功率芯片(如 SiC、GaN)制備技術的成熟,更高功率密度和更高工作環境溫度導致 Al2O3 和 AlN 覆銅基板的高低溫循環沖擊次數迅速下降,可靠性降低,不能滿足使用要求。氮化硅陶瓷覆銅基板優異的高可靠性使其成為高鐵、電動汽車等領域功率模塊最有前途的基板材料之一。
表??三種陶瓷基板材料物理力學性能對比
近“0”空洞率!AMB-Si3N4基板的活性釬焊技術

● Al2O3 覆銅基板主要采用直接覆銅方法(Direct Bonded Copper,DBC)制備,其熱導率低,散熱能力有限,多用于功率密度不高且對可靠性沒有嚴格要求的領域。

● AlN 覆銅基板主要采用具有更高可靠性的活性金屬釬焊工藝(Active Metal Brazing,AMB),由于氮化鋁 AMB覆銅基板具有較高的散熱能力,從而適用于一些高功率、大電流的工作環境,但是由于機械強度相對較低,使得 AlN-AMB覆銅基板的高低溫循環沖擊壽命有限,限制了其應用范圍。

●?氮化硅 AMB 覆銅基板(Si3N4-AMB)以其高強度、高韌性、耐高溫、可靠性高等優異的綜合熱力學性能成為較有前途的候選材料之一。Si3N4-AMB覆銅基板不僅具有與 AlN 相當的散熱能力,而且其使用壽命可以提高一個數量級以上。
隨著電力電子向高功率、大電流、高能量密度的方向快速發展,市場對于更高可靠性的氮化硅陶瓷覆銅基板的需求越來越迫切。界面空洞率是衡量AMB陶瓷覆銅基板性能的重要指標之一,也是國內Si3N4-AMB產品難以突破的瓶頸之一。

1、Si3N4-AMB基板的制備工藝

活性金屬釬焊法(Active MetalBrazing,AMB)制備的氮化硅陶瓷覆銅基板具有工藝簡單、污染小、服役溫度高和可靠性強的優勢。AMB主要工藝流程為在無氧銅片和陶瓷板間放置銀銅鈦焊片或印刷銀銅鈦焊膏,然后置于800~900℃的高真空環境中進行釬焊,形成銅-釬料-Si3N4-釬料-銅的結構。其中活性釬料的制備和活性金屬釬焊是目前的重點和難點。

近“0”空洞率!AMB-Si3N4基板的活性釬焊技術

圖?Si3N4-AMB覆銅陶瓷基板工藝流程
Ti、Zr、Hf、V、Nb等是常見的幾種活性金屬元素,可以浸潤陶瓷表面,被廣泛用于陶瓷與金屬的活性封接。其中以Ti為活性元素的Ag-Cu-Ti系合金是研究最多、實際應用最為廣泛的一種活性釬料,其在800~950?℃的溫度下可以潤濕大多數陶瓷表面,釬焊接頭強度高、性能穩定,從而可以較好地實現陶瓷和金屬、陶瓷和陶瓷的封接。

近“0”空洞率!AMB-Si3N4基板的活性釬焊技術

圖源亞通新材招股說明書
Ag-Cu-Ti系活性釬料的使用形式隨Ti元素的形態、釬料的組合方式不同而有所不同:①預涂Ti粉(或TiH,粉)膏劑,然后加預成形焊片(通常為Ag72Cu28合金焊片);②預先在陶瓷表面以PVD(物理氣相沉積)或CVD(化學氣相沉積)鍍一層Ti薄膜,然后再加Ag-Cu釬料。③使用Ag-Cu-Ti焊片;④使用Ag-Cu-Ti焊膏。

2、Si3N4-AMB界面空洞的形成原因

AMB覆銅陶瓷基板一般采用銀銅鈦焊片或印刷焊膏,但這兩種方法都存在一定局限:

①焊片工藝所用的銀銅鈦焊片在制備過程中容易出現活性元素Ti的氧化、偏析問題,導致成材率極低,焊接接頭性能較差。

②對于焊膏工藝,在高真空中加熱時有大量有機物揮發,導致釬焊界面不致密,出現較多空洞,使得基板在服役過程中易出現高壓擊穿、誘發裂紋的問題。

③釋放的有機揮發物會造成污染,影響使用壽命。

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圖??銀銅鈦活性焊膏,來源:亞通新材
使用銀銅鈦活性釬料制備Si3N4陶瓷覆銅基板時,導致界面空洞的原因主要有幾點:

①原料表面質量:焊接前陶瓷和無氧銅表面的劃痕、凹坑、氧化、有機污染的問題都會對焊料的潤濕鋪展造成負面影響,為釬焊界面帶來了潛在的空洞風險。

②焊料印刷質量:大面積焊膏印刷過程中,較易出現焊膏漏印、印刷不均勻的問題,焊料熔化后一旦沒有鋪展覆蓋這些漏印區域,就會直接導致空洞的形成。

③活性元素失活:AgCuTi焊膏中的活性元素Ti對氧十分敏感,高溫釬焊過程中,往往要求真空度優于10-3Pa,若真空度無法滿足焊接要求導致Ti氧化失活,焊料無法潤濕Si3N4陶瓷表面,會造成大面積虛焊、漏焊等現象。

④焊膏揮發氣體:釬焊過程中,焊膏中揮發出的氣體會被助焊劑包裹形成氣泡,此外助焊劑中的有機酸和金屬氧化物反應也會產生氣泡,隨著反應的進行氣泡逐漸變大,排出的氣泡會在焊膏表面留下密密麻麻的氣孔,而未排出的氣泡同樣會隨著焊料熔化凝固的過程滯留在釬焊界面處,形成空洞。

⑤釬焊工藝參數:Ag-Cu-Ti活性釬料往往在800?℃以上才能潤濕Si3N4表面,若釬焊溫度過低或保溫時間過短,將會使得Ti與陶瓷表面的反應不夠充分,導致釬料無法完全潤濕陶瓷表面。

3、降低Si3N4-AMB空洞率的措施

AMB氮化硅覆銅基板的制備過程中,在空洞率控制方面,高真空或高真空+惰性氣體的釬焊環境、預脫脂的釬焊工藝、適當的釬焊壓力、原材料的清洗(對Si3N4陶瓷和銅片進行除油和除氧化處理)都可以降低釬焊界面空洞率。張義政等人以空洞率為指標,對原材料前處理、AMB工藝參數(焊接壓力和焊接溫度)進行全因子試驗設計(DOE)及方差分析,結果表明焊接壓力是空洞率最主要的影響因素,較大的釬焊壓力有助于減少釬焊界面的空洞率。華中科技大學李伸虎、吳懿平等人采用AgCuTi活性焊膏作為釬料,研究了預脫脂工藝和不同釬焊壓力對氮化硅陶瓷覆銅基板界面空洞率的影響,結果表明,采用預脫脂工藝能顯著降低界面空洞率,在預脫脂且施加400N釬焊壓力的工藝條件下,界面空洞率近乎為0,界面剝離強度可達17.3 N/mm。

資料來源:

1.《銀銅鈦焊膏制備Si3N4陶瓷覆銅基板工藝》,李伸虎、吳懿平等;

2.《氮化硅覆銅基板活性釬焊研究進展》,李伸虎、吳懿平等;

3.《Si3N4覆銅基板的界面空洞控制技術》,張義政等;

4.《氮化硅陶瓷覆銅基板制備及可靠性評估》,余曉初等.
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作者 gan, lanjie

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