2024年9月20日，長光華芯先進化合物半導(dǎo)體光電子平臺項目正式封頂，長光華芯董事長總經(jīng)理閔大勇及公司高管、中設(shè)建設(shè)集團負責(zé)人等出席封頂儀式。

長光華芯先進化合物半導(dǎo)體光電子平臺建設(shè)項目總占地面積約31畝，含生產(chǎn)中心、研發(fā)中心、動力站及配套設(shè)施，旨在建設(shè)國內(nèi)一流的半導(dǎo)體激光芯片研發(fā)及生產(chǎn)平臺，對標(biāo)國際頂尖水準(zhǔn)，打造基于多種化合物半導(dǎo)體的光電與電子器件的材料、工藝以及封裝技術(shù)開發(fā)的先進器件研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化平臺。該項目是繼2022年8月8日長光華芯搬遷新基地后的又一重大工程，是公司實施“一平臺，一支點，橫向擴展，縱向延伸”發(fā)展戰(zhàn)略的里程碑工程，該項目已被列入江蘇省重點工程。

項目于2023年開工，預(yù)計2025年建成并全面投產(chǎn)。

本次項目封頂標(biāo)志著長光華芯在多種化合物半導(dǎo)體光電芯片、器件等方面的產(chǎn)能、研發(fā)水平、橫向擴展和縱向延伸能力都將邁上新臺階！橫向覆蓋從可見光、近紅外、中波、長波多波段激光芯片和硅光集成芯片，縱向延伸從激光顯示、工業(yè)激光、光通訊、激光傳感到生命科學(xué)與健康等主流應(yīng)用和未來產(chǎn)業(yè)。

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在目前國際領(lǐng)先的6吋化合物生產(chǎn)線基礎(chǔ)上，推動研發(fā)硬件條件以及研發(fā)生產(chǎn)水平全面達到國際先進，全力構(gòu)建政府、資本、產(chǎn)業(yè)、區(qū)域、研究所及企業(yè)、上下游創(chuàng)新協(xié)同、供應(yīng)鏈互通的新一代中國激光國產(chǎn)化產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈，推動我國激光產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新！