日本產業技術綜合研究所（AIST）下屬企業EDP株式會社于9月26日宣布，成功實現高濃度硼摻雜金剛石基板的大尺寸化，并已上市。

圖 RB10102PP：低電阻基板10x10x0.2mm雙面拋光；RB13R2PP**：低電阻最小晶圓

金剛石半導體具有優于SiC和GaN的特性，全球范圍內正在推進開發。EDP在2023年8月發布了摻雜高濃度硼的金剛石，推出了兩種類型的金剛石基板：低電阻自支撐金剛石基板，常規基板上形成薄膜的外延生長基板。然而，之前推出的基板尺寸為7mm×7mm，無法滿足大型功率器件開發或在單一基板上制造多個器件的需求。EDP于去年11月開發了15x15mm的單晶，并開始作為種晶和基板進行銷售。此次，利用這一單晶，成功擴大了低電阻基板的面積并實現了商品化。高濃度硼摻雜低電阻大尺寸自支撐基板產品尺寸包括10x10x0.2mm、13x13x0.2mm、12.5φx0.2mm等規格。基本特性與2023年8月產品化的低電阻鉆石基板相同。