英飛凌正在通過在寬帶隙（SiC 和 GaN）半導體領域增加制造能力來加強其在功率半導體領域的市場領導地位。該公司正在投資超過 20 億歐元在其位于馬來西亞居林的工廠建造第三個模塊。一旦配備齊全，新模塊將通過基于碳化硅和氮化鎵的產品產生 20 億歐元的額外年收入。
英飛凌首席運營官 Jochen Hanebeck 表示：”創(chuàng)新技術和綠色電能的使用是減少碳排放的關鍵。可再生能源和電動汽車是功率半導體需求強勁且可持續(xù)增長的主要驅動力，我們的 SiC 和 GaN 產能的擴展正在為英飛凌加速寬帶隙市場做好準備。我們正在將我們位于菲拉赫的研發(fā)中心和位于居林的具有成本效益的寬帶隙功率半導體生產結合起來。”
英飛凌目前已向 3000 多家客戶提供基于 SiC 的產品。這些半導體用于各種應用，與基于硅的解決方案相比，在效率、尺寸和成本方面具有更好的系統(tǒng)性能，因此可為客戶提供附加價值。英飛凌的戰(zhàn)略”產品到系統(tǒng)”方法還有助于采用具有領先基礎技術、最廣泛的產品和封裝組合以及無與倫比的應用知識的基于 SiC 的半導體。重點應用是工業(yè)電源、光伏、交通、驅動、汽車和電動汽車充電。英飛凌的目標是到本世紀中期通過基于 SiC 的功率半導體實現(xiàn) 10 億美元的收入。根據(jù)Yole數(shù)據(jù) ，GaN 市場也預計將經歷巨大的增長——從 2020 年的 4700 萬美元增長到 2025 年的 8.01 億美元，復合年增長率：76%。英飛凌擁有領先的系統(tǒng)和應用理解、廣泛的 GaN IP 產品組合和龐大的研發(fā)力量。一旦滿載，居林 3 號將創(chuàng)造 900 個高價值工作崗位。建設將于 6 月開始，晶圓廠將于 2024 年夏季準備好設備。第一批晶圓將于 2024 年下半年出貨。對居林的投資將包括重要的增值步驟，特別是外延工藝和晶圓單片化。未來幾年，菲拉赫工廠將通過改造現(xiàn)有的硅設施，繼續(xù)作為寬帶隙技術的創(chuàng)新基地和全球能力中心。6″ 和 8″ 號硅產線將通過重新利用非特定硅設備轉換為 SiC 和 GaN 制造。菲拉赫工廠目前正在為進一步的增長機會做準備。
原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導體網）：英飛凌擬投資超過 20 億歐元在馬來西亞擴大寬帶隙半導體制造能力
