1 研究的目的和意義

太能能級和電子級多晶硅產(chǎn)品對硅棒的質(zhì)量要求很高，如果多晶硅產(chǎn)品在生產(chǎn)時混進甲烷等含碳化合物的話，可以測得發(fā)黑的硅棒電阻率很低，從而導(dǎo)致產(chǎn)品品質(zhì)下降;另外如果有上述氣體或者其他水氣和雜質(zhì)混入還原爐，那么氣體的均勻分布特性，會使得整爐硅棒發(fā)黑，或者電阻率低。

另外還原爐爐內(nèi)溫度控制的不夠高、不夠均勻，使得低溫硅沉積在硅棒上，有時甚至形成像洋蔥一樣的可剝離的殼層。從而產(chǎn)量的品質(zhì)有了極大的下降，從而增加了客戶投訴和企業(yè)利潤的下降。

因此，研究異常料的產(chǎn)生及解決辦法對于控制產(chǎn)品品質(zhì)和提高企業(yè)利潤率有較大的意義。

2.1 對于夾層問題的控制

2.1.1 確定安裝硅芯的要點

每爐次裝爐前要求清理電極、瓷環(huán)以及絕緣套周圈的縫隙;每爐使用過的石墨件要求密封，與空氣隔絕。吊爐筒時，用絲扣將視孔水活接頭扣住，避免有水滴在底盤上。還原爐底盤墊圈下用無水乙醇脫水。

安裝硅芯時，要注意避免與污物接觸：硅芯車的潔凈、小車扶手的潔凈、一次性手套的及時更換以及防護呼吸器的正確佩戴。爐筒清洗時，始終保持氮氣吹掃視孔氫管線。爐筒吊開后立即給進氣管線通入氮氣，避免物料與空氣接觸。

2.1.2 操作過程控制的要求

檢查伴熱管線的投用情況及溫度是否正常。對于內(nèi)漏嚴(yán)重的尾氣管線，不進行抽真空。爐筒罩好后，先通入135度的爐筒夾套水循環(huán)5min，再進行置換工作，增加抽真空的次數(shù)，目的是帶走爐壁上的少量水分。

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在置換氣密合格后，將爐內(nèi)壓力降至0.15MPa，在爐筒水循環(huán)下靜致1.5h，再用純氫置換。對于尾氣閥門內(nèi)漏嚴(yán)重的要提高爐內(nèi)壓到0.3MPa。確認DCS的閥位狀態(tài)與現(xiàn)場的保持一致。

高壓啟動硅芯擊穿后，打開電解氫氣40-50m3/h，在1180-1220度以上空燒20-30min后轉(zhuǎn)換回收氫氣，此時要保證爐內(nèi)溫度不波動，注意觀察電壓曲線，要求電壓波動小于20V;回收氫空燒時間到后，再打開FV0403-1前手閥（FV0403-2手閥保持關(guān)閉），緩慢打開后手閥，如爐內(nèi)發(fā)現(xiàn)明顯有料或電壓波動超過15V應(yīng)立即關(guān)閉手閥補加電流，5min后再緩慢打開手閥保證電壓波動小于20V（如電壓仍然較快上漲要立刻關(guān)閉手閥，待穩(wěn)定后再重復(fù)以上步驟）。

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待FV0403-1手閥全開后，再緩慢打開FV0403-1，每次0.1%的速度開至5%，每開1%停頓2-3min;在整個過程中，要及時補加電流，保證溫度變化平穩(wěn)，注意觀察電壓變化，保證電壓波動小于20V;隨著物料的逐漸提升，電流要適當(dāng)補給，維持電壓曲線呈逐漸下降的趨勢。進料后觀察硅芯表面若有附著物，立即停爐后，在拆爐前進行冷洗。

2.2 通過啟爐置換流程來減少外部異常料

2.2.1 還原爐置換的方法、流程的改進

為了避免熱空氣被冷凝，在鐘罩扣上后，及時通入氮氣打開放開管線，將空氣置換成干燥的氮氣，15min后在通入冷卻水，這樣就可以避免氧化夾層的生成。

2.2.2 實驗

分別從有表面異常料的硅棒和正常硅料的表面上采樣做金屬雜質(zhì)分析，收集數(shù)據(jù)如下：通過樣品分析異常料與正常硅棒表面的硅料對比，發(fā)現(xiàn)異常料的樣品中所含銅的含量（單位PPb）是正常硅料的200倍-2000倍，其他金屬雜質(zhì)Ca、Mg、AL、Fe、Ni等對比無明顯差異。

實驗結(jié)論：多晶硅表面銅含量的異常升高，來源于CVD內(nèi)的電極，電極本體為純紫銅材質(zhì)，表面的鍍銀層經(jīng)過打磨、受熱后逐漸脫落，電極頭的金屬銅熔點為1080度，當(dāng)石墨座與電極的接觸由面接觸發(fā)展到線接觸，電流引起電極頭變形后完成是點接觸時，電極頭打火，銅瞬間汽化與反應(yīng)爐內(nèi)的氯化氫氣體反應(yīng)生成活性極高的催化劑CuCl（氯化亞銅），Cu+HCl=CuCl+H2↑（可逆反應(yīng)）CuCl作為催化劑再與物料三氯氫硅、氫氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，加快了氫還原反應(yīng)的速度，一定的溫度和壓力下在CVD內(nèi)硅棒上生成了針形狀、顆粒狀、粉末狀、柳絮狀的異常硅料，即行業(yè)內(nèi)所說的表面異常。

36對棒CVD還原爐由于項數(shù)較多，運行過程中出現(xiàn)異常斷電后，電器復(fù)位過程中硅棒表面容易產(chǎn)生表面褐色硅粉沉積，不易去除，在品質(zhì)上判定為異常料。異常料的銷售價格與正常料價格相差2-3萬元，對公司整體成本的下降造成嚴(yán)重的影響。

2.3 調(diào)整工藝生產(chǎn)中硅棒的電流增加幅度來控制異常料的產(chǎn)生

多晶硅生產(chǎn)中為了提高單爐產(chǎn)量，追求時間短，見效快的結(jié)果，大都采用加大反應(yīng)物料流量和大幅增加電流數(shù)來實現(xiàn)，這樣勢必導(dǎo)致每對電極的負載過大，電極頭溫度急速上升，電極大批量受損。

目前要維護電極的使用壽命，控制銅的氣化反應(yīng)，減少異常料的生成，必須調(diào)整工藝配方，前期控制反應(yīng)物料的投入量，調(diào)整電流，控制硅棒的生長溫度，要緩慢提升電流，減少大電流對電極的沖擊，減輕電極的損失，減少電極打火的幾率。

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硅棒生長到后期時，逐漸的調(diào)低反應(yīng)物料的流量，控制好物料配比，降低還原爐的總電量，控制電壓的下降幅度，多采用調(diào)整料量的方式維持硅棒的表面溫度，確保總功率的逐漸下降，使CVD內(nèi)的溫場和氣場達到穩(wěn)定的狀態(tài)，這樣，電極溫度會隨著氣場的穩(wěn)定變化趨于穩(wěn)定。

2.4 改善接觸面減少異常料

電極的形式是多樣化的，經(jīng)過多種電極在CVD中的試驗，發(fā)現(xiàn)表面積較大的電極使用壽命較廠，將現(xiàn)有石墨件與電極的接觸表面積34.6m2 增加到72.8cm2，通過將原有電極的接觸面較小的電極更改為36對棒使用的還原爐電極。通過石墨件與電極的接觸面變大，硅棒的導(dǎo)電性能越好，電極的損失越小，出現(xiàn)異常料的幾率自然減小。

2.5 電極本體的改造

橫剖電極的切面，會發(fā)現(xiàn)電極內(nèi)部的構(gòu)造是由一根上水管和回水管形成的冷卻換熱系統(tǒng)，上水管線的長短粗細取決于電極的換熱效果，改良電極的冷卻水道，降低電極頭的發(fā)熱溫度。在原有的水道上進行延長，同時增加電極的強度，避免電極頭的受熱變形、氣化反應(yīng)等。

2.6 石墨件清潔的改善降低異常料的產(chǎn)生

石墨座放置在電極頭上的導(dǎo)電介質(zhì)，在CVD運行中石墨座凹槽中會附著一層黃色的聚合物質(zhì)，這種物質(zhì)的存在影響了石墨的導(dǎo)電性能，極易發(fā)生石墨件與電極頭之間的打火現(xiàn)象，電極頭受損，異常料生成。

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因此，在CVD停止運行時，重復(fù)使用的石墨件必須清理潔凈，保證石墨件良好的導(dǎo)電性，確保電流通過順暢，避免電極打火帶來的異常料損失。

3 結(jié)論

通過本次實驗總結(jié)，從理論依據(jù)上和設(shè)備及附屬件上找到了異常料的生成真正原因，從而找到解決的方法，全年外部異常率逐漸下降，避免了多晶硅生產(chǎn)中異常料的生成，對企業(yè)的產(chǎn)品質(zhì)量提升邁出了重要的一步，對企業(yè)成本的再次下降做出了重要的技術(shù)貢獻。

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來源：光伏學(xué)習(xí)