7月13日，博世宣布將在 2026 年前向其半導體業務投資 30 億歐元，作為微電子和通信技術 IPCEI 資助計劃的一部分。
博世管理委員會主席 Stefan Hartung 博士："微電子是未來，對博世所有業務領域的成功至關重要。"
博世計劃用這筆資金投資的項目之一是在羅伊特林根和德累斯頓建造兩個新的開發中心，總成本超過 1.7 億歐元。此外，該公司將在未來一年斥資 2.5 億歐元，在其位于德累斯頓的晶圓廠新建一個 3,000 平方米的潔凈室。
德累斯頓 300 毫米芯片生產大幅擴張，這項對微電子的新投資也為博世開辟了新的創新領域。博世的新創新領域包括芯片系統，例如用于在自動駕駛期間對其周圍環境進行 360 度掃描的車輛雷達傳感器。博世現在將尋求增強此類組件，使其更小、更智能且生產成本更低。此外，博世還致力于進一步改進其專門用于消費品行業的微機電系統 (MEMS)，并計劃在 300 毫米晶圓上制造其MEMS 傳感器，生產計劃于 2026 年開始。
博世的另一個重點是新型半導體的生產。自 2021 年底以來，博世在其羅伊特林根工廠一直在量產碳化硅 (SiC) 芯片。這些芯片用于電動和混合動力汽車所需的電力電子設備，它們已經幫助將工作范圍擴大了到 6%。在強勁的市場增長背景下，以每年 30% 或更高的速度增長，對 SiC 芯片的需求仍然很高，這意味著博世的訂單已滿。為了使這些電力電子產品更實惠、更高效，博世也在探索使用其他類型的芯片，例如研究開發用于電動汽車應用的基于氮化鎵的芯片。
過去幾年，博世對其半導體業務進行了多項投資，如2021 年 6 月開業的德累斯頓晶圓廠，該項目投資額達10億歐元。博世計劃到2025年投資約4億歐元用于羅伊特林根工廠擴產以及將現有工廠轉換為潔凈室。到2025年年底，羅伊特林根工廠的潔凈室面積將從目前的 35,000平方米左右增長到 44,000多平方米。
位于羅伊特林根的博世半導體工廠在過去 50 年中一直在生產基于 150 和 200 毫米晶圓的芯片。該公司的德累斯頓工廠于 2021 年開始制造基于 300 毫米晶圓的芯片。在羅伊特林根和德累斯頓制造的半導體包括專用集成電路 (ASIC)、微機電系統 (MEMS) 傳感器和功率半導體。博世還在馬來西亞檳城建立了一個新的半導體測試中心。到 2023 年，該中心將用于測試成品半導體芯片和傳感器。
原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：博世計劃到2026年投資30億歐元于半導體
