昭和電工是第一家開始出貨用于 SiC（碳化硅）功率半導(dǎo)體的 200 mm（8 英寸）尺寸 SiC 外延片樣品的日本制造商。該產(chǎn)品使用了該公司的SiC 單晶基板（SiC 晶片）。

圖 SiC 外延片

與使用硅晶片的傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體相比，SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)生的功率損耗和熱量更少，作為有助于節(jié)能的器件，在電動汽車和可再生能源方面的市場正在迅速擴大。與SiC功率半導(dǎo)體性能密切相關(guān)的SiC外延片要求缺陷少、質(zhì)量穩(wěn)定。目前，碳化硅功率半導(dǎo)體主要使用150毫米（6英寸）碳化硅外延片生產(chǎn)。隨著 SiC 外延片直徑的增加，單片晶圓可以獲得更多的芯片，有望為器件制造商提高生產(chǎn)率并降低成本。

在這些市場需求的背景下，昭和電工將從2021年開始全面開發(fā)200mm晶圓，并開始使用的200mm SiC晶片進行SiC外延片的樣品出貨。昭和電工已經(jīng)在 SiC 外延片領(lǐng)域擁有世界第一的市場份額。這次，除了從合作公司采購SiC晶片外，昭和電工還將致力于使用自己的晶片進行產(chǎn)品開發(fā)，旨在擴大200mm SiC外延片的生產(chǎn)，建立穩(wěn)定的供應(yīng)體系，進一步提高質(zhì)量。

此外，昭和電工將以到2030年將SiC外延片及其原材料SiC晶片尺寸減小到200mm，缺陷密度降低一位數(shù)以上為目標(biāo)，進行下一代綠色功率半導(dǎo)體的碳化硅晶片技術(shù)開發(fā)。

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