據一道新能首席技術官宋登元博士介紹，從2019年第1條TOPCon研發和生產線建立，一道新能持續加大在N型技術領域科技投入力度，持續引領N型技術發展，已經研發成功三代技術路線。此次發布的TOPCon3.0是在2.0基礎上的全面升級。2.0技術是以多主柵16BB技術和超高發射極方塊電阻的為技術特征，背面通過SiOx/摻雜PolySi消除金屬與硅接觸復合，正面通過16BB多主柵與超細金屬柵線疊加超高發射極方塊電阻，增強了鈍化效果，大幅降低了表面的光反射，提升了太陽電池效率。一道新能DAON TOPCon電池技術路線
然而進一步提升效率最大的瓶頸是提升TOPCon電池前表面短波長光譜的利用率和背表面長波光譜的利用率。
一道新能通過多年的技術積累，研發成功了具有自主知識產權的高能量激光i-SE（industry-selected emitter）產業化技術，有效的降低前表面光生載流子的復合，提升短波長光譜的利用率；
而背面超薄ut-polySi（Ultrathin Poly Si）技術能有效的降低背面多晶硅層對長波長光譜的寄生吸收，大幅提升長波長光譜的利用率，這兩種技術完美的結合攻克了TOPCon太陽電池效率提升的瓶頸，使短波長和長波長光量子效率分別提升了40.6%和15.3%，電池效率平均提升超過25.2%。
TOPCon3.0光量子效率的提升電池正面i-SE的核心是實現金屬柵線下面的局域的精密擴散，形成符合余誤差函數的雜質分布，這涉及到在大規模工業化生產條件下的激光光斑的塑形技術、焦點控制技術、多物理場耦合技術以及硼雜質的源的沉積技術。一道新能通過高密度激光，精確控制焦點在硅片處的能量場分布和溫度場分布，通過精密擴散形成了與激光能量分布一致的高濃度摻雜區。電池背面超薄ut-polySi 硅技術的核心是沉積超薄的高質量多晶硅薄膜，同時在多晶硅薄膜中摻入少量的雜質原子。一方面薄的多晶硅可以降低紅外光的寄生吸收，提升紅外光的利用率，另一方面摻入少量的雜質原子能夠提升SiOx/Poly-Si鈍化接觸性能，也能進一步降低對到達電池背面長波長光的吸收。TOPCon3.0使用低壓化學氣象沉積（LPCVD）超薄的高質量多晶硅薄膜，這是基于熱分解的多晶硅薄膜生長技術，在所有的多晶硅生長方法中（PECVD、PVD等）具有最高的多晶硅質量。
一道新能TOCon3.0核心技術來源：一道新能
原文始發于微信公眾號（光伏產業通）：一道新能TOCon3.0核心電池技術??
